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脑机接口对刑法产生的挑战及其应对
① 参见王行愚 、 金晶 、 张宇等 :《 脑控 : 基于脑 — 机接口的人机融合控制 》, 载 《 自动化学报 》2013 年第 3 期 , 第 208-221 页 。
脑机接口领域发展态势 - 生命科学
题名 主要研究内容 神经系统记录与调控的新概念和早期研究 处于早期开发阶段的独特和创新型记录和 ( 或 ) 调控技术，包括处于概念化 初始阶段的新的和未经测试的想法。适用于多种记录方式，包括声学、 化学、电学、磁学和光学，以及遗传工具的使用等 在人脑中使用侵入性神经记录和刺激技术的探索 组建跨学科团队，开发侵入性神经记录与刺激技术，验证新技术原理、可 性研究 行性，并进行早期开发工作 优化用于神经系统记录和调控的仪器和设备技术 通过与最终用户的迭代测试来优化现有或新兴技术的应用程序。这些技术 和方法有望解决与细胞 ( 即神经元和非神经元 ) 和网络的记录与调控相关 的重大挑战，实现对中枢神经系统动态信号的变革性理解 神经系统记录和调控的新技术和新方法 开发极具创造性的方法，以解决在细胞分辨率或接近细胞分辨率水平记录 和调控 CNS 活动相关的重大挑战。可以是各类技术，如光学、磁学、 声学和 ( 或 ) 基因操作等 大脑行为量化与同步 支持能精确量化人类行为并将其与同时记录的大脑活动联系起来的下一代 平台和分析方法的开发和验证。用于分析行为的工具应该是多模态的， 并且应该能够与大脑活动相关联，因而能够准确、特异性、灵活地测量 和调控行为相关的大脑环路活动 在人脑中使用侵入性神经记录和刺激技术 使用先进、创新技术研究行为相关的动态神经环路功能的跨学科研究，旨 在通过系统地控制刺激和 ( 或 ) 行为，同时主动记录和 ( 或 ) 操纵神经活动 的相关动态模式，并通过测量由此产生的行为和 ( 或 ) 感知来了解中枢神 经系统相关环路的动态与功能 推进下一代人类中枢神经系统记录与调控侵入性 支持新型侵入式脑机接口治疗中枢神经系统疾病的临床试验，鼓励研究人 设备的临床研究 员开展转化活动和小型临床研究 人类中枢神经系统中新型记录和调控技术的临床 支持用于人类使用的下一代记录和 ( 或 ) 调控设备的开发，从概念验证到临 前概念验证 床前测试，以进一步了解人类中枢神经系统并治疗神经系统疾病 通过 Blueprint MedTech 将开创性技术从早期开发 鼓励转化新型神经技术，由美国 BRAIN 计划提供资助并由 NIH “蓝图医疗 转化为早期临床研究 科技”计划监督。鼓励学术和小企业合作开展非临床验证研究，鼓励支 持开发和转化开创性神经技术
脑机接口赋能医疗大健康 - myqcloud.com
脑机接口（ brain-computer interface ， BCI ）是在大脑与外部设备之间建立直 接交互的通信和控制通道。行业起步最早可追溯至 1924 年，经历了前期 的理论探索期、科学论证期，目前已进入成果落地时期。脑机接口最早在 20 世纪未提出，目的是帮助残疾人重新行走或支配上肢，技术发展至今已 更能应用于正常人的生活和生产。随着脑机接口、人工智能、生物医学工 程、神经工程与康复工程、认知神经科学与心理科学等的发展， BCI 的内 涵和外延在不断丰富。近年来，脑机接口技术在医疗领域不断取得新成果， 尤其在临床康复领域，目前以脑功能评估为目的的脑机交互检测，以解码 交流与设备控制为目的的脑机接口应用，以功能重塑康复为目的的脑机训 练反馈等领域的探索及应用越来越深入。随着技术的应用领域不断拓宽， 未来将逐步应用于游戏娱乐、学习教育、智能家居和军事领域。
W2W 混合键合界面的可靠性研究
摘要 — 评估了 1 µm 间距晶圆对晶圆 (W2W) Cu/SiCN 混合键合界面的电气可靠性。使用控制 IV 方法获取 W2W 混合堆栈的击穿电压分布。假设幂律模型，对使用条件外推可确认使用寿命超过 10 年，当温度低于 175 ◦ C 时，幂律指数高于 10。发现沿 Cu/SiCN 混合键合界面的传导机制为 Poole-Frenkel 发射，能量势垒等于 0.95 eV。仅在温度高于 200 ◦ C 和场高于 1.5 MV/cm 时才能观察到移动铜，证实了该键合界面对铜漂移具有良好的稳定性。索引术语 — 晶圆对晶圆 (W2W) 键合、可靠性、电介质击穿、混合焊盘泄漏。
工艺参数对Ag-SiC复合板键合性能的影响...
摘要：对直径25 μ m的Ag-2.35Au-0.7Pd-0.2Pt-0.1Cu合金丝在不同工艺参数下进行了键合性能试验。利用扫描电子显微镜（SEM）研究了电击发（EFO）电流和EFO时间对无空气球（FAB）变形能力的影响，以及超声功率和键合力对键合特性的影响。实验结果表明：随着EFO电流和EFO时间的增加，FAB从预热尖端生长为小球、规则球，最后生长为高尔夫球，在25 mA和650 μ s时FAB呈现最佳形状。当EFO电流为25 mA时，FAB直径与EFO时间呈非线性关系，可用三次方程表示。进一步研究发现，在键合力一定的情况下，随着超声功率的增加，捣碎的球直径越来越大，毛细孔印迹越来越明显，尾部宽度也随之增大，反之亦然。球键合的最佳超声功率为70 mW，键合力为45 gf；楔键合的最佳超声功率为90 mW，键合力为75 gf。最后，在最佳工艺参数下制备的键合线样品，在破坏性拉力测试后均未发生球键合和楔键合剥离现象，在球剪切测试后键合焊盘上金属间化合物完全覆盖，形貌完好，键合线样品具有较高的键合强度，从而提高了微电子产品的可靠性。该研究为含Pt银基键合合金线的可靠性研究提供了技术支持。
具有增强键合强度的白色粘合剂
这项工作介绍了优化的模型和数值模拟的结果以及基于CNT的GAAS/INAS多个量子井（从5到70 QWS）GAAS太阳能电池的分析。这些QW被发现将吸收边缘延伸到GAA带隙的范围之外。此外，随着模型中引入宽带插入式凹陷后面场（BSF）层，由于从设备底部反射了未吸附的光子，因此提高了效率，从而提高了效率。所提出的模型使用异质的CNT层作为顶部半透明电极。可以观察到，这种具有较低板电阻和更好光线的CNT顶层可以显着提高整体效率。我们的优化单元格具有35 number 25nm量子井结构，具有100 nm CNT顶层，板电阻为128Ω/□可将效率提高到32.46％（没有CNT顶层）。EQE接近90％。为了显示我们发现的准确性，显示了数值建模的关键阶段，并使用标准实验数据检查了基本仿真数据。在创建商业上可行的QWSCS迈出的重要一步是建议基于CNT的QWSC模型在现代TCAD工具环境（Silvaco Atlas）中的有效应用。keyowrds：碳纳诺管（CNT），INAS/GAAS，SILVACO TCAD，量子井太阳能电池（QWSC）
2024 年混合键合专利格局
通过专利分析，我们描述了知识产权参与者的地位，揭示了他们加强知识产权组合的策略，强调了他们限制其他公司的专利活动和自由实施的能力，识别有前途的新参与者，并预测了未来的知识产权领导者。知识产权竞争分析应反映具有进入和发展先进半导体封装市场业务的战略的参与者的愿景。在本报告中，我们全面概述了竞争激烈的知识产权格局和与混合键合技术相关的最新技术发展。该报告涵盖了专利申请、专利权人、申请国家、专利技术和目标应用方面的知识产权动态和主要趋势。它还确定了知识产权领导者和最活跃的专利申请人，并揭示了该领域不为人知的公司和新参与者。
金球键合金属间覆盖率测量
热超声键合过程中，金球和铝合金金属化层之间的焊接是通过界面处金和铝的固态混合以及金铝金属间相的形成而发生的。由该金属间相组成的总键合面积的比例通常称为金属间覆盖率，缩写为 IMC。超声波对于通过摩擦形成 IMC 至关重要 [1-3]，但在整个界面上并不均匀，开始时是离散的岛状物，在超声波的作用下生长，最终将球锚定在铝金属化层上。如果优化了键合参数，大部分界面面积（多达 70-80%）应由 IMC 组成。在拉力测试期间，金-铝界面保持机械强度所需的最小 IMC 量只需略大于导线的横截面积。但是，如果界面大面积未键合，空气、空气中的污染物和环氧模塑料就会渗入球底，从而导致后续组装步骤中发生氧化和腐蚀反应。因此，最大化 IMC 是优化球键合工艺的重要部分。IMC 的测量通常是通过使用不会侵蚀金属间化合物或金的 KOH 溶液溶解 Al 键合垫 [4] 并观察球底面来完成的。确定形成坚固球键合所需的 IMC 的精确量并不是一门精确的科学，但经验准则是，真正键合球面积的 70% 应由 Au-Al 金属间化合物组成。有两种常用方法可用于查看和记录金球底面图像中的金属间化合物覆盖率，以便随后使用图像分析软件进行测量。第一种是使用光学显微镜 (LM)，第二种是使用扫描电子显微镜 (SEM)。SEM 要求将样品镀金，并放置在 SEM 腔中，然后抽真空并进行检查，而 LM 不需要特殊且耗时的样品制备，被认为比 SEM 更快、更容易。但是，每种方法都有其优点，并且需要了解某些因素，尤其是 LM，才能正确测量 IMC。光学显微镜可以使用不同的照明模式，与 SEM 不同，在显微镜和照明下对样品进行对准可能会使 IMC 的识别和测量变得复杂，并且很容易导致错误的测量。但是，虽然覆盖率的光学评估更快，但也更难以解释。在半导体封装的组装工程鉴定中，由于耗时较少，因此似乎更倾向于采用光学评估金属间覆盖率。在新封装鉴定的组装工程阶段，可能需要通过 SEM 测量 IMC 来获得详细信息。但是，在大规模生产过程中，光学测量可能更合适，因为它们耗时较少。本文的目的是提供