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欧洲汽车和电力电子行业的先进引线键合标准
2 Fraunhofer IZM Berlin Gustav-Meyer-Allee 25, 13355 Berlin Germany Email: martin.schneider-ramelow@izm.fraunhofer.de 摘要 本文介绍了德语国家和欧洲国家广泛使用的引线键合标准 DVS-2811。该标准于 1996 年推出，现在包含所有当前使用的键合方法的定义和限值，包括其他所有官方标准中都没有的重/粗引线键合连接的剪切测试。特别是考虑到电池键合用户数量的不断增长，指定适当的粗引线测试限值具有重要意义。除了概述当前状态之外，还展望了未来 1-2 年的进一步更新。 关键词 引线键合、拉力测试、剪切测试、质量、标准、测试 I. 简介 标准和细间距引线键合技术继续经历小幅发展，材料更加精炼、几何尺寸更小，可靠性要求也不断变化。当前可用的引线键合标准无法回答在测试此类先进引线键合触点时出现的问题。需要在这一领域开展活动。向新技术领域的发展在重引线键合中更为明显。一个例子是，用于生产电池模块的大面积键合机的需求不断增加。此外，新功能已集成到现有的键合机机器平台中，包括激光键合技术（F&K Delvotec）和智能焊接技术（Hesse Mechatronics、Kulicke & Soffa）。目前没有跟上这种快速发展的一个方面是过程控制和质量检查的标准化。现有标准（如 MIL-883、ASTM F1269 或 JEDEC 22B116B）不包含任何测试粗线（直径 > 100 µm）的指导。偏离此几何形状（如重带或超声波焊接成型部件或接线片）也没有得到解决。这给用户、机器供应商和最终客户带来了挑战。测试规范、工具属性、极限值等的定义必须单独讨论并达成一致。25 年来，DVS 公告 2811 一直
量子随机Oracle模型中的紧密键合封码机制★
摘要。键盘包裹机制可保护量子随机甲骨文模型中所选的密文攻击（Ind-CCA-Secure KEMS），已由Boneh，Dagdelen，Fischlin，Lehmann，Lehmann，Schafner和Zhandry（Crypto 2012），Crypto 2012），Targhi and Targhi and targhi and targhi（targhi and unuh and unuh（tcc and unruh and unruh and in ccc and kirfmanz and hofmanz and hofmanz）提出。 2017）。但是，所有这些构造获得的方案的安全级别尤其是其构建基块原始安全级别的一半。在本文中，我们给出了一种将弱安全的公钥加密方案紧密转换为量子随机甲骨文模型中的IND-CCA安全KEM的转换。更准确地说，我们为确定性的公钥加密（DPKE）定义了一个称为“不相关性的可模拟性”的新安全概念，我们提出了一种方法，可以将不连接的可模拟DPKE方案转换为Ind-CCA键键封闭机制方案，而无需授予相当可能的安全性降级。此外，我们还提供了DPKE方案，其差异性可显着降低为量词后假设。结果，我们获得了量子随机甲骨文模型中各种量子后假设的Ind-CCA安全性KEM。关键字：紧密的安全性，被选为ciphertext的安全性，Quantum加密后，KEM。
晶圆级封装的光子脱键合
2 2401 Brewer Driver，Rolla，MO 65401，美国 * 通讯作者的电子邮件：vikram.turkani@novacentrix.com 摘要 临时键合和脱键合 (TB/DB) 工艺已成为晶圆级封装技术中很有前途的解决方案。这些工艺为晶圆减薄和随后的背面处理提供了途径，这对于使用 3D 硅通孔 (TSV) 和扇出晶圆级封装等技术实现异质集成至关重要。这些对于整体设备小型化和提高性能至关重要。在本文中，介绍了一种新颖的光子脱键合 (PDB) 方法和相应的键合材料。PDB 通过克服与传统脱键合方法相关的许多缺点来增强 TB/DB 工艺。PDB 使用来自闪光灯的脉冲宽带光 (200 nm – 1100 nm) 来脱键合临时键合的晶圆对与玻璃作为载体晶圆。这些闪光灯在短时间间隔（~100 µs）内产生高强度光脉冲（高达 45 kW/cm 2 ）以促进脱粘。通过成功将减薄（<70 μm）硅晶圆从玻璃载体上脱粘，证明了 PDB 在 TB/DB 工艺中的可行性。对减薄晶圆和载体的脱粘后清洁进行了评估。通过每个闪光灯提供均匀、大面积照明（75 mm x 150 mm），并且能够串联灯以增加 PDB 工具的照明面积，PDB 方法为晶圆级和面板级封装技术提供了一种高通量、低成本的脱粘解决方案。关键词光子剥离、闪光灯、临时键合和脱粘、临时键合材料、晶圆级封装。
热处理对由定向能量沉积键合的不锈钢 /不锈钢物理特性的效果< / div>
在这项研究中，不锈钢316L和Inconel 625合金粉是通过使用定向的能量沉积过程加上制造的。对粘合不锈钢316L/Inconel 625样品的硬度和微观结构的热处理效应。微观结构表明，除了几个小裂缝外，不锈钢316L和Inconel 625之间没有次要相和界面区域附近的大夹杂物。TEM和Vickers硬度的结果表明，界面区域的厚度几十微米。有趣的是，随着热处理温度的升高，不锈钢区域的裂纹不会改变形态，而不锈钢316L的硬度值和Inconel 625的硬度值也下降。这些结果可用于使用定向能量沉积的不锈钢316L材料的表面处理管道和阀门，并通过表面处理材料进行表面处理。关键字：定向能量沉积，界面，物理特性，热处理
键合类型碲-氮相互作用
摘要：我们回复 J.-M. Mewes、A. Hansen 和 S. Grimme (MHG) 的评论，他们对我们通过气体电子衍射 (GED) 确定的 (C 6 F 5 )Te(CH 2 ) 3 NMe 2 中 N···Te 距离的 re 值的准确性提出质疑。我们最终证明，MHG 引用的参考计算结果不如他们声称的固态和气相准确。我们通过更高级别的计算表明，我们并未遗漏开链构象异构体的重大贡献。对模拟散射数据的细化表明，此类贡献对 re (N···Te) 的影响几乎可以忽略不计。MHG 建议使用 H0 调谐的 GFN 方法来计算振动校正 rare ，但这并没有显著改变这些值。使用更高级别的解析谐波和数值立方力场 (PBE0-D3BJ/def2-TZVP) 进行替代振幅计算，得出 re (N···Te) = 2.852(25) 的 GED 值，该值完全在原始值 2.918(31) 的实验误差范围内，但远低于 MHG 预测的 2.67(8)。现在改进的误差估计解释了计算辅助值的不准确性。与其他涉及弱化学相互作用的系统相比，弱 N···Te 相互作用的气固差异处于现实范围内。Mewes、Hansen 和 Grimme 最近的评论 [1]
CU键合技术：用例和前景
Table of Contents Overview of Wafer Level 3-D ICs.- Monolithic 3-D Integrated Circuits.- Stacked CMOS Technologies.- Wafer Bonding Technologies and Strategies for 3-D ICs.- Through Silicon Via Fabrication, Backgrind, and Handle Wafer Technologies.- Cu Wafer Bonding for 3-D ICs Applications.- Cu/Sn Solid-Liquid Interdiffusion Bonding.- An SOI-Based 3-D电路集成技术。-3-D制造高性能CMOS技术的选择。-基于介电粘合键的3-D集成。-直接混合键合。-3-D内存。-3-D集成的电路体系结构。-3-D ICS的热挑战。
C2W 混合键合联盟
情况说明书 A*STAR 微电子研究所与八家半导体公司合作成立芯片到晶圆混合键合联盟 2021 年 2 月 11 日 A*STAR 微电子研究所 (IME) 与领先的半导体公司合作开发芯片到晶圆 (C2W) 混合键合，用于高密度 2.5D 和 3D 集成电路 (IC) 集成。新成立的竞争前 C2W 混合键合联盟由国际和本地行业供应链公司组成，将利用 IME 在 2.5D 和 3D IC 集成和键合技术方面的专业知识来开发 C2W 混合键合工艺并演示 4 个芯片堆叠且间距 ≤10um 互连。请参阅附件 A 以获取联盟成员的完整列表。 IME 牵头的 C2W 混合键合联盟由全球领先的工业企业和新加坡的一家中小企业组成，包括设备制造商、设备和材料供应商。设备制造商为设计、工艺和可靠性要求做出贡献，而设备供应商则通过带来新的先进工具和能力以及开发和修改专用于混合键合和模块工艺开发的硬件来做出贡献。材料供应商将带来用于混合键合的新型介电材料以及用于薄晶圆处理的临时粘合剂。本地中小企业 Capcon Singapore 为该联盟带来了其在制造倒装芯片键合机方面的强大专业知识；主要是高精度高生产率芯片键合机和倒装芯片键合机、晶圆上芯片键合机和封装上封装键合机的能力。作为该联盟的成员，Capcon 能够加速其在芯片到晶圆混合键合领域的研发并缩短其开发周期。IME 将与联盟成员一起领导开发和流程集成，以实现高产量多堆栈 C2W 混合键合。由于数据中心和高性能计算 (HPC) 应用需要大量数据存储和数据处理，对更高速度和更大内存容量的需求不断增长。此外，片上系统 (SoC) 正朝着具有高密度 2.5D/3D 集成的“小芯片”发展。混合搭配功能小芯片能够通过重复使用现有 IP 和芯片来降低设计成本和时间，而传统的 2D 缩放不再能降低芯片成本。基于对高密度 3D 堆叠内存和 2.5D/3D 异构集成的强烈需求，细间距芯片间连接引起了半导体行业的极大兴趣。使用混合键合的 C2W 堆叠是满足这些需求以及细间距互连和小尺寸的关键。
针头键合的智能系统解决方案
医疗系统中粘合剂的主要应用领域是针结合和注射器组件 - 不锈钢针或插管粘结到玻璃或塑料注射器中。这些针头大量生产，需要大量生产中的快速和可靠的键合。除了其机械键强度外，所使用的粘合剂还必须允许高精度生产和永久连接，并且必须承受各种灭菌方法。Panacol的紫外线治愈的Vitralit®粘合剂完全满足这些要求。vitralit®粘合剂有各种粘度范围，可完全适合针线轮的设计，并填补轮毂和针之间的间隙。轮毂和针的材料也影响粘合剂的选择：许多粘合剂都是紫外线，这需要使用透明和紫外线的材料。对于阻断紫外线（例如聚碳酸酯）的材料，建议使用长波LED可固化的粘合剂。建议用于针头键合的所有Vitralit®粘合剂均为无溶剂和认证的USP IV类和/或ISO 10993用于医疗设备。此外，即使在几个灭菌周期后，也要用所有针键粘合剂测量高针提取力。进行视觉质量检查，还提供了我们的医学级粘合剂的荧光版本。选择粘合剂需要一个匹配的分配系统，以在快速生产环境中可靠，精确地分配。使用BDtronic提供的迷你溶液，无论粘合粘度如何，在微氧范围内的分配都变得容易。随着针线粘合的应用，医疗设备所需的高质量需求证实了Bdtronic的体积分配设备的选择。由于连续的体积分配，分配是无脉冲的，可确保最佳过程速度，可重复性和准确性。最后，紫外线固化设备的选择取决于触发聚合的粘合剂和波长。用于使用Vitralit®产品进行针头键合您可以使用UV-A或可见的LED灯。由于特殊的LED组件和自己优化的电源，HönleLED Powerline LC保证了最快的固化和最短周期时间的高密集型照射。此外，可以在0.01 - 99.99秒的范围内选择辐照时间，因此可以精确地适合过程要求。
电线键合可靠性评估
1.1.1。球键故障球键故障是微电子包装中最常见的故障模式[2]。通常是由于热老化引起的金属间生长。来自金属间层中的微裂纹并削弱了键[3]。球键合AU，Cu，Ag基线到Al金属化形成热老化的金属间化合物（铝制）。[4]在不同的金属超声波或热音线键中有限的界面IMC形成会增加键强度。但是，过度的IMC形成可能导致债券的性能下降。IMC的厚度增加会产生较高的电阻，从而导致流动流动时较高的热量产生。这会产生乘数效应，因为由于电阻率升高而引起的加热促进了粘合界面中其他IMC的形成[5]。imcs的形成以及界面处的相关空隙和裂纹决定键的强度和可靠性。IMC的形成对粘结强度有益，但是它们的过度生长可以增加键和接触电阻的脆性，从而导致键失败[6]。