摘要在本文中,已经开发了不对称高架源隧道场效应晶体管(AES-TFET)的二维分析模型,以获得更好的隧道连接装置性能。基于设备物理学的分析建模是通过求解2-d poisson方程进行的。表面电势分布,电场变化和带对波段隧道(B2B)的速率已通过此数值建模研究。在我们提出的结构中,来源已升高(不同的2 nm至6 nm)以融合角效应。这可以通过薄隧道屏障进行载体运输,并具有控制的双极传导。这最终为N通道AES-TFET结构产生更好的源通道界面隧道。2-D数值设备模拟器(Silvaco TCAD)已用于模拟工作。模拟图形表示最终通过AES-TFET的分析建模验证。关键字AES-TFET·表面电势分布·电场变化·B2B隧道·TCAD·数值建模。1介绍纳米科学和纳米技术在纳米级设备中的出现,晶体管的物理大小已被绝对地缩小。通过遵循2022年摩尔的法律预测,微型化已达到其对金属氧化物施加效应晶体管(MOSFET)的极限[1]。在这方面,过去二十年中已经出现了各种扩展问题。短通道效应(SCE),排水诱导的屏障降低(DIBL)[2]。 为了克服这些问题,在新型MOSFET结构中正在进行持续的研究。短通道效应(SCE),排水诱导的屏障降低(DIBL)[2]。为了克服这些问题,在新型MOSFET结构中正在进行持续的研究。但是,在目前的情况下,在60mv/十年的MOSFET上有限的子阈值摇摆(SS)是研究人员的主要缺点。ritam dutta ritamdutta1986@gmail.com
摘要已开发了不对称扩展源隧道场效应晶体管(AES-TFET)的二维分析模型,以获得更好的设备性能。已通过求解2-D Poisson的方程来分析并执行所提出的设备模型。表面电势分布,电场变化和带对频带隧道(BTBT)速率已通过此数值建模研究。TFET新颖结构的源区域已扩展(不同的2 nm至6 nm),以结合角效应,从而通过薄薄的隧道屏障进行了BTBT,并具有受控的双极传导。这最终为N通道AES-TFET产生了更好的源通道接口隧道。2-D数值设备模拟器(Silvaco TCAD)已用于模拟工作。最终通过AES-TFET的分析建模来验证模拟工作。更好的是,我关闭和切换比是从这个新颖的TFET结构中获得的。
Thermapro™ 隔热分段门厚度为 3 英寸,采用压力注入的无氟聚氨酯泡沫,计算出的 R 值为 25.8。CHT-850 型号采用钢化铝面板,具有 24 号规格的灰泥纹理,内外侧带有 V 型槽。CHT-832 型号采用镀锌钢面板,外侧面为 20 号规格的齐平光滑表面,内侧面为 26 号规格的木纹纹理,带有 V 型槽(内侧面 20 号规格为可选)。CHT-816 型号采用镀锌钢面板,具有 26 号规格的木纹纹理,内外侧带有 V 型槽。分段接头为榫槽接头,可抗风。分段具有 16 号规格钢制端立柱和全垂直钢制背板,可增加强度,并具有坚固的表面硬件连接点。
AE 6931 5255 1010 80.97 18.47 14.47 14.44 33.3.9.9.9.9 29.9.9 22 22 316 223 23 1450 2080 2049 289.43 28.43 28.44 13.44 41.50 41.50 41.50 41.5 41.5 41.5 37.5 37.5 37.5 37.3 275 275 275 275 275 275 275 275 275 275 275 275 275 250 250 250 250 250 285 285 250 250 250 250 250 250 250 250 250 250 250 2502252522522522522522222222222222222222222222222222222222222222222222222222222222222222222性范表350 286 152 152 21210 1707888883894 75.71 25。 25.4 18.8 350 317 117 CH 19930 13937 1937 1937 1937 11。 12.69 27。 76.99 23.43 13.76 13.76 33.1.3.3.3.3 24.7 24, 2983 2983 243 243 243 243 243 243 243 243 243 243 243 2430 2457 2457 2592 2592 1302 1602 160 16.95 16.95 25 25 25 25 25 25 25 25 22 5959999 12596 1259.48 16.18 2555.55 25.7 23.1 17.1 17。 336 2359 2359 2357 73.3 22.23 235 35.8 35。 130 GG1 7154 5574 5574 1377 75.3.21 14。AE 6931 5255 1010 80.97 18.47 14.47 14.44 33.3.9.9.9.9 29.9.9 22 22 316 223 23 1450 2080 2049 289.43 28.43 28.44 13.44 41.50 41.50 41.50 41.5 41.5 41.5 37.5 37.5 37.5 37.3 275 275 275 275 275 275 275 275 275 275 275 275 275 250 250 250 250 250 285 285 250 250 250 250 250 250 250 250 250 250 250 2502252522522522522522222222222222222222222222222222222222222222222222222222222222222222222性范表350 286 152 152 21210 1707888883894 75.71 25。 25.4 18.8 350 317 117 CH 19930 13937 1937 1937 1937 11。 12.69 27。 76.99 23.43 13.76 13.76 33.1.3.3.3.3 24.7 24, 2983 2983 243 243 243 243 243 243 243 243 243 243 243 2430 2457 2457 2592 2592 1302 1602 160 16.95 16.95 25 25 25 25 25 25 25 25 22 5959999 12596 1259.48 16.18 2555.55 25.7 23.1 17.1 17。 336 2359 2359 2357 73.3 22.23 235 35.8 35。 130 GG1 7154 5574 5574 1377 75.3.21 14。
1 提供并固定铝制门窗、通风机和隔断,采用挤压成型的标准管状型材/适当的 Z 型材和其他符合 IS: 733 和 IS: 1285 的已批准型号,用所需直径和尺寸的仪表板紧固件固定,包括用所需的 EPDM 橡胶/氯丁橡胶垫圈等填充连接处的间隙,即顶部、底部和侧面。铝型材应光滑、无锈、笔直、斜接并在需要的地方进行机械连接,包括夹板角、用于玻璃/镶板的铝制按扣条、CP 黄铜/不锈钢螺钉,所有零件均应按照建筑图纸和主管工程师的指示完成。阳极氧化铝(根据 IS: 1868 阳极化透明或染色成所需色调,最低阳极涂层等级为 AC 15)(玻璃、镶板和仪表板紧固件需另行付款):
半导体器件的设计、模拟和建模特别是,我对通过器件特性、模拟和建模研究半导体器件的基本物理现象感兴趣,以解决与电子设备的设计、优化和分析相关的问题。
这个多门控制器提供了多达四个门,包括对多达八个OSDP读取器和八个锁的支持。非常适合带有轴或第三方橱柜的新的和改造的集中装置。它提供的占地面积比市场上的大多数门控制器更小。内置锁定电源管理简化了安装。在支持OSDP读取器和Wiegand读取器的可选配件的情况下,该可扩展的门控制器针对小型和大型安装进行了优化。它可以与轴相机站安全进入或合作伙伴解决方案一起使用,以提供多合一的视频和访问控制管理系统。
实践中,需要大规模量子计算机来以更高的速度解决复杂问题,但在实现上存在一些问题,如量子退相干。其原因是量子比特与环境相互作用,从而对误差更敏感[10-12]。解决上述问题的一个合理方法是使用分布式量子计算机减少处理信息时使用的量子比特数量。分布式量子计算机可以由两个或多个具有较少量子比特的低容量量子计算机构建,类似于用于解决单个问题的量子系统网络中的分布式节点或子系统[13,14]。在这种结构中,需要量子(经典)通信协议来在单独的节点之间进行通信。分布式量子计算最早由 Grover [15]、Cleve 和 Buhrman [16] 以及 Cirac 等人 [17] 提出。随后,Ying和Feng [11]定义了一种描述分布式量子电路的代数语言。之后,Van Meter等[18]提出了分布式量子电路中的VBE进位波加法器结构。与此同时,该领域的一些工作集中在通信部分。2001年,Yepez [19]提出了两种类型的量子计算机。在第I类量子计算机中,量子通信用于互连分布式量子计算机的子系统。在II类量子计算机中,使用经典通信代替量子通信来互连分布式量子计算机的子系统或节点。在量子通信中,在网络节点之间传输量子比特的著名方法之一是量子隐形传态(QT)[20–23]。在隐形传态中,量子比特在两个用户或节点之间传输,而无需物理移动它们。然后,在量子比特上本地执行计算;这种方法也称为远程数据。还有一些工作侧重于优化分布式量子电路的通信成本。假设量子比特隐形传态是一种昂贵的资源,这类工作试图减少这种远程数据 [ 24 – 26 ]。在 [24 ] 中,作者考虑了具有公共控制或目标量子比特的连续 CNOT 门。他们表明,这样的结构只需一次隐形传态即可执行两个门。在 [25 ] 和 [26 ] 中,这个想法得到了扩展,并提出了一些算法来减少所需的隐形传态次数。考虑了所有可能导致通信减少的配置。[27 – 29 ] 还分别考虑了使用启发式方法、动态规划方法和进化算法来优化隐形传态次数。另一种方法称为远程门,当节点相距甚远时,它使用量子纠缠直接远程执行门。远程门方法的挑战之一是在位于分布式量子计算机不同节点的量子比特之间建立 n 量子比特控制量子门的最佳实现。根据所考虑的库(如 NCV、NCT、Clifford + T 等),可以使用不同的控制门来合成量子电路的变换矩阵。众所周知的可逆量子门之一是 Toffoli 门。Toffoli 门与 Hadamard 门一起构成了量子计算的通用集。此外,具有两个以上控制量子比特的多控制 Toffoli 门在量子计算中得到广泛应用。因此,实现在网络的不同节点之间应用 n 量子比特远程 Toffoli 门(受控非门)的协议至关重要。