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基于结构函数理论的微通道冷板热阻研究
[1] 赵学历 , 金尚忠 , 王乐 , 等 . 基于结构函数的 LED 热特 性测试方法 [J]. 光电工程 , 2011, 38(9): 115-118. [2] 张立 , 汪新刚 , 崔福利 . 使用 T3Ster 对宇航电子元器件 内部热特性的测量 [J]. 空间电子技术 , 2011(2): 59-64. [3] MEY G, VERMEERSCH B, BANASZCYK J, et al. Thermal Impedances of Thin Plates[J]. International Journal of Heat and Mass Transfer, 2007, 50: 4457-4460. [4] VASILIS C, PANAGIOTIS C, IONNANIS P, et al. Dy- namic Thermal Analysis of Underground Medium Power Cables Using Thermal Impedance, Time Constant Distri- bution and Structure Function[J]. Applied Thermal Engi- neering, 2013, 60: 256-260. [5] MARCIN J, JEDRZEJ B, BJORN V, et al. Generation of Reduced Dynamic Thermal Models of Electronic Systems from Time Constant Spectra of Transient Temperature Responses[J] Microelectronics Reliability, 2011, 51: 1351-1355. [6] MARCIN J, ZOLTAN S, ANDRZEJ N. Impact of
iFreeETF 中国科创板50（STAR50）（2104）
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板到板和背板
5.1 t es eSt车辆............................................................................................................................................................................................................................................................................................................................. ....................................................................................................................................... 16 6 ANNEXES ........................................................................................................................................................... 17
国防部互助协会国防学院分会
备注 1 户口簿摘录（企业为法人的，需提供登记簿核证副本） 1 份 2 企业历史 1 份 3 国防部互助会 国防学院分会 清洁管理委托合同（草稿） 1 份 4协议书（草案） 1份 5 都道府县知事等颁发的营业执照复印件 1份（仅限于需要营业执照等的企业） 6财务报表 1 份 7 纳税证明（个人为《国税通则施行条例》附件第 9 号格式 3-2，法人为
杭州华澜微电子股份有限公司首次公开发行股票并在科创板 ...
声明................................................................................................................................ 1
采购、技术和物流代理
实现高密度电流、轴向晶体技术、提高输出性能的轴向晶体技术。关于“减轻结构发热影响的高散热技术”的三大要素技术。我们就是从这个时候开始进行基础研究的。在该计划的最后一年，结合了基本技术来演示一种设备，其目标是使产量比传统技术增加一倍。 结果，我们完成了图1所示的所有开发项目，并创建了结合了各种基本技术（例如使用金刚石基板的散热技术）的原型设备（图2）。此外，我们还演示了功率放大器在超过传统 AlGaN/GaN-HEMT 结构的电压下运行，并实现了约传统结构三倍的创新输出密度。 此外，在这项研究中，我们利用 In 基 HEMT（高电子迁移率晶体管）结构展示了毫米波和微波频段的世界最高输出密度。