XiaoMi-AI文件搜索系统
World File Search System降阶
使用p-d，i-tord阶的汽车纵向速度控制...- ijrpr
Tejado等人，2011年指出，需要准确的控制器以确保在导航期间安全。他们着重于设计用于雪铁龙自动型原型的低速控制的分数PI控制器的实现。他们得出结论，测试显示了提出的控制器的有效性[1]。Cohring，2012年为德国自动驾驶汽车提供了实时控制器体系结构。他描述了一种算法，证明了其在柏林茂密的城市交通中的适用性[2]。Alonso，Oria，Al-Hadithi和Jimenez，2013年，2013年提出了一个在线自我调整的PID控制器，用于控制车辆，沿着距离和速度在城市交通中典型的速度和速度。他们提出了一种调整技术，以改善不同输入或噪声存在下的鲁棒性[3]。
阶 - disorder相变和离子电导率，LI2B12H12固体电解质
摘要：使用基于范德华校正的密度功能理论（Rev-VDW-DF2函数），使用使用机器学习的原子质势模拟了温度诱导的相变和离子电导率。阶 - 疾病相变的模拟温度，晶格参数，扩散，离子电导率和激活能与实验数据非常吻合。我们对Li 2 B 12 H 12的模拟发现了[B 12 H 12] 2-阴离子的重新定位运动的重要性。在有序的α-相（t <625 K）中，这些阴离子具有明确的方向，而在无序的β-相（t> 625 K）中，它们的方向是随机的。在空缺系统中，观察到其完整的旋转，而在理想的晶体中，阴离子显示有限的vabrational运动，表明没有动态无序的相位过渡的静态性质。使用机器学习间的原子势使我们能够以长（纳秒尺度）分子动力学研究大型系统（> 2000个原子），从头开始质量。关键字：密度功能理论，机器学习间原子潜能，固体电解质，相变，离子电导率
分数阶薛定谔方程中双曲势的量子信息熵
摘要：本文通过计算位置熵和动量熵，研究了分数阶薛定谔方程（分数阶导数（0 < n ≤ 2））中两个双曲单阱势的 Shannon 信息熵。我们发现，随着分数阶导数 n 的减小，波函数会向原点移动；在分数阶体系中，即当 n 值较小时，位置熵密度局域化程度越来越严重，而动量概率密度非局域化程度越来越高。然后，我们研究了 Beckner Bialynicki-Birula–Mycieslki（BBM）不等式，发现虽然该不等式随着双曲势 U 1 （或 U 2 ）的深度 u 的增加而逐渐减小（或增大），但 Shannon 熵对于不同的深度 u 仍然满足该不等式。最后，我们还进行了 Fisher 熵的计算，发现 Fisher 熵随势阱深度 u 的增加而增大，分数阶导数n减小。
到2030年，我们已经大大降低了碳排放
引言与经济发展和外部环境的相关性是能源部门与阿鲁巴国家战略计划（NSP）2020-2022，2030年议程及以后的相关性。能源部门对于阿鲁巴的经济和支付平衡至关重要。能量在几乎所有社会活动中都起着作用。与其他国家一样，能源的成本价格是经济增长和社会经济发展的强大决定因素。因此，NSP的一个重要战略目标是确保所有人的能源获得可负担的能源，以增强经济中的购买力并实现经济增长。在这种情况下，对化石燃料的依赖性及其历史上波动的价格波动造成了生活成本，做事成本的不确定性，因此
核范数中降维的界限
对于 p ≥ 1，令 ℓ p 表示具有有限 p 阶范数的实值序列 x ∈ RN 的空间 ∥ x ∥ p = ( ∑ i | xi | p ) 1/ p 。对于任何 n ≥ 1 和任何 x 1 , ... , xn ∈ ℓ 2，存在 y 1 , ... , yn ∈ ℓ n 2 ，使得对于所有 i , j ∈{ 1, ... , n } ，∥ xi − xj ∥ 2 = ∥ yi − yj ∥ 2 。这直接源于希尔伯特空间的任何 n 维子空间都与 ℓ n 2 等距。事实上，甚至存在这样的 y 1 , ... , yn ∈ ℓ n 2通过考虑 n − 1 个向量 x 2 − x 1 , ... , xn − x 1 ，我们可以得到 ℓ n − 1 2 中的任意 n 个点都可以等距嵌入到 ℓ n − 1 2 中。通过考虑 n 点集 { 0, e 1 , ... , en − 1 } ⊆ R n − 1 ，其中 ei 是第 i 个标准基向量，不难看出维度 n − 1 是等距嵌入的最佳维度。Johnson-Lindenstrauss 引理 [JL84] 建立了一个惊人的事实，即如果我们允许少量误差 δ > 0 ，那么更好的“降维”是可能的。也就是说，对于任何 n ≥ 1 ，任何点 x 1 , ... , en − 1 } , xn ∈ ℓ 2 , 且任意 0 < δ < 1 , 存在 n 个点 y 1 , ... , yn ∈ ℓ d 2 , d = O ( δ − 2 log n ) , 并且对于所有的 i , j ∈{ 1, ... , n } ,
晶格软化显著降低了热导率……
微/纳米结构对热导率的影响是一个具有重大科学意义的课题，对热电技术尤其重要。目前的理解是，结构缺陷主要通过声子散射降低热导率，其中描述热传输时声子色散和声速是固定的，特别是当化学成分不变时。对 PbTe 模型系统进行的实验表明，声速随内部应变的增加而线性减小。这种材料晶格的软化完全解释了晶格热导率的降低，而无需引入额外的声子散射机制。此外，我们表明，高效率 Na 掺杂 PbTe 的热导率降低和随之而来的热电品质因数（zT > 2）的提高主要归因于这种内部应变引起的晶格软化效应。虽然已知非均匀内部应变场会引入声子散射中心，但这项研究表明，内部应变也能平均软化材料晶格，从而改变声速和声子色散。这为控制晶格热导率提供了新途径，超越了声子散射，利用微结构缺陷和内部应变。在实践中，许多工程材料都会表现出软化和散射效应，就像硅中显示的那样。这项研究为能源材料、微电子和纳米级传热领域的热导率研究带来了新的启示。
降低了区域气候中的浮点精度...
摘要。使用单个精度的渗透点反应在操作天气预测中变得越来越普遍。同时，气候模拟通常仍以双重精度运行。这样做的原因可能是多种多样的，范围从对依从性和保护法的关注到对缓慢过程的未知效果，或者仅仅是较不频繁的机会和较高的验证计算成本。使用基于合奏的统计方法，Zeman和Schär（2022）可以检测区域天气和气候模型Cosmo的双重和单位仿真之间的差异。但是，这些差异是最小的，通常只能在模拟的第一个小时或几天内检测到。为了评估这些差异是否与区域气候模拟相关，我们已经对100年的区域气候下限实验（Euro-Cordex）进行了为期10年的集合模拟，并与100个合奏成员进行了单一和双重精度。通过基于所有测试变量的分布差异，我们仅在每12或24小时以47个输出变量应用47个输出变量的统计测试每12或24 h，每12或24 h都会发现单精度气候模拟的排斥率略有增加。拒绝率的增加远小于模型中水平差异系数的较小变化而产生的。因此，我们认为它可以被模型不确定性掩盖，因为它被忽略了。据我们所知，这项研究代表了迄今为止对
哈里斯副总统制定降低成本的议程...
今天，副总统卡马拉·哈里斯宣布了她上任 100 天内为降低美国家庭成本而提出的几项提案。今天宣布的措施将为中产阶级减税、降低食品杂货成本、打击价格欺诈、降低购房和租房成本、继续降低处方药成本并减轻数百万美国人的医疗债务。这些大胆的行动将解决美国家庭面临的一些最严重的痛点并增强他们的财务安全。这些提议只是副总统经济计划的一部分，该计划还包括保护和加强社会保障和医疗保险；召集劳动力、小企业和大公司在美国投资、创造就业机会并为美国人提供服务；降低教育、儿童保育和长期护理的成本；赋予工人权力并赋予他们共同讨价还价更高工资的权利；创造一个稳定的商业环境和一致透明的规则；鼓励创新技术同时保护消费者；等等。哈里斯副总统明确表示，建设中产阶级将是她总统任期内的一个决定性目标。她将为那些要求新未来发展的美国人提供帮助，让所有美国人都能够振作起来，这样他们不仅可以过得去，而且可以取得进步。打造美国梦：降低租房和购房成本
组件降额指南 高可靠性电源...
注：T J 为元件的最大额定结温。> (T J -10) o C (T J -50) o C 至 (T J -10) o C < (T J -50) o C 其他类型 > (T J -10) o C (T J -50) o C 至 (T J -10) o C < (T J -50) o C 三端双向可控硅类型 > (T J -10) o C (T J -50) o C 至 (T J -10) o C < (T J -50) o C 晶闸管/SCR 类型 > (T J -10) o C (T J -50) o C 至 (T J -10) o C < (T J -50) o C 齐纳型二极管 > (T J -10) o C (T J -50) o C 至 (T J -10) o C < (T J -50) o C 电压参考>（T J -10）O C（T J -50）O C至（T J -10）O C <（T J -50）O C瞬时抑制器>（T J -10）O C（T J -50）O C TO（T J -10）O C <（T J -10）O C <（T J -50）O C Power Rectifier>（T J -10）O C（T J -10）O C（T J -10）O C（T J -50） >（T J -10）O C（T J -50）O C至（T J -10）O C <（T J -50）O C小信号二极管>（T J -10）O C（T J -50）O C（T J -50）O C TO（T J -10）O C <（T J -50）O C <（T J -50）O C Transistors>（T J -50） -10) o C (T J -50) o C 至 (T J -10) o C < (T J -50) o C FET