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超导电流的门控制
1 Department of Physics, University of Kontanz, Universit € AtsTraße 10, 78464 Konstanz, Germany 2 Nest, Nanoscienze-Cnr Institute Normal School, Piazza San Silvestro 12, 56127 Pisa, Italy 3 MTA-BME SuperConducting Nanoelectronics Momentum Research Group, M € M € M € M € Ugyetem RKP。 3.，1111布达佩斯，匈牙利4物理系，布达佩斯大学技术与经济学，M€uegyetem RKP。 3.，1111 Budapest，匈牙利5物理学系，科学系，许多大学，Al-Geish St.，31527 Tanta，Gharbia，Gharbia，Gharbia，埃及6 Microtechnology and Nanoscience系，Chalmers Technology，41296 g 41296 g欧特伯格，Sweden 7 Cnr cnr cnr cnr cnr cn. Paolo II 132，84084 Fisciano，意大利萨勒诺市8物理学系“ E. R. Caianiello”，萨勒诺研究的大学，通过Giovanni Paolo II 132，84084 Fisciano，salerno，意大利，意大利> > >1 Department of Physics, University of Kontanz, Universit € AtsTraße 10, 78464 Konstanz, Germany 2 Nest, Nanoscienze-Cnr Institute Normal School, Piazza San Silvestro 12, 56127 Pisa, Italy 3 MTA-BME SuperConducting Nanoelectronics Momentum Research Group, M € M € M € M € Ugyetem RKP。3.，1111布达佩斯，匈牙利4物理系，布达佩斯大学技术与经济学，M€uegyetem RKP。3.，1111 Budapest，匈牙利5物理学系，科学系，许多大学，Al-Geish St.，31527 Tanta，Gharbia，Gharbia，Gharbia，埃及6 Microtechnology and Nanoscience系，Chalmers Technology，41296 g 41296 g欧特伯格，Sweden 7 Cnr cnr cnr cnr cnr cn. Paolo II 132，84084 Fisciano，意大利萨勒诺市8物理学系“ E. R. Caianiello”，萨勒诺研究的大学，通过Giovanni Paolo II 132，84084 Fisciano，salerno，意大利，意大利> > >
量子计算的基本门
我们表明，由所有一位量子门（u（u（2））组成的一组门和两位独家或门（将布尔值（x，y）映射到（x，x，x，x，x，y））在所有对所有统一操作上都可以在任意的n（u（2 n）上都可以表达为这些gates的构图。我们调查了实现其他门所需的上述门的数量，例如通用的deutsch-to oli门，这些门将特定的U（2）适用于一个输入位，并且仅当逻辑和所有其余所有输入位时，就满足了一个输入位。这些门在许多量子构造网络的构造中起着核心作用。我们在建立各种两位和三位数的大门所需的基本门数量上得出了上限和下限，这是n-bit deutsch-to to oli大门所需的渐近数，并就任意n-bit n-bit单位操作所需的数量进行了一些观察。PACS编号：03.65.ca，07.05.bx，02.70.rw，89.80。+H
使用双门MOSFET
摘要 - 使用Double-Gate（DG）MOSFET设计了差分交叉耦合电压控制的振荡器（VCO）。DG MOSFET具有高噪声图的出色噪声免疫力，适用于低功率，高频应用。该提出的VCO是使用差分拓扑设计的，具有提高功耗，设计灵活性和降低噪音的提高。这也提高了现有差分放大器的高频性能。此后，将提出的VCO与制造和设计方法进行了比较，尤其是基于硅的CMOS和单栅（SG）MOSFET VCOS（可能）的替代方法。遵循各种印刷电路板（PCB）设计实践，以最大程度地减少噪声并提高电路的整体效率。进行该VCO分析的关键参数是功率的输出功率，相位噪声和数字，在峰值处已实现为-2.91 dbm和1 MHz的-69.79 dbc/hz。设计VCO的功耗为36兆瓦。关键字 - MOSFET，双门MOSFET，差分放大器，微电子，纳米技术，VLSI，VCO。1。简介
WAVE规范文档
符号和约定 1 1. 介绍 3 2. 波签名方案——草图 4 3. 设计原理：波陷门 5 3.1. 权重和一般解码问题 5 3.2. 波陷门 5 3.3. 用陷门签名 6 4. 规范 7 4.1. 有用的算法：高斯消元法和变体 7 4.2. 波密钥生成 9 4.3. 波签名 10 4.4. 波验证 15 5. 性能分析 17 6. 已知答案测试 18 7. 可证明的安全性 19 7.1. 难题 19 7.2. 签名分布和 Rényi 散度 19 7.3. 安全性降低声明 20 8. 最佳已知攻击 21 8.1. 经典攻击 21 8.2.量子攻击 22 8.3. 声称的安全级别 22 9. 优点和局限性 23 9.1. 优点 23 9.2. 局限性 23 参考文献 24 附录 A. 散列到三元向量 27 附录 B. 恒定时间实现的规范 28 B.1. F 3 上的位分片算法 28 B.2. 对三元组进行采样 29 B.3. 通过排序进行排列采样和排列 30 B.4. 生成秘密矩阵的主密钥 33 B.5. 恒定时间内的高斯消元法及其变体 34 B.6. 恒定时间内的波密钥生成和签名 39 附录 C. 密钥表示和压缩签名 41 C.1. 密钥表示 41 C.2. 压缩签名 41 C.3.限制签名长度 43 附录 D. 命题 3 的证明 44
使用随机预言机的简洁盲量子计算
在通用盲量子计算问题中，客户端希望利用单个量子服务器来评估 C | 0 ⟩，其中 C 是任意量子电路，同时保持 C 的秘密性。客户端的目标是使用尽可能少的资源。这个问题由 Broadbent、Fitzsimons 和 Kashefi[4] 首次提出，已成为量子密码学研究的基础，这不仅是因为它本身的重要性，还因为它为新技术提供了试验台，这些新技术以后可以应用于相关问题（例如量子计算验证）。关于这个问题的已知协议主要是信息理论 (IT) 安全的或基于陷门假设（公钥加密）。在本文中，我们研究了由随机预言机建模的对称密钥原语的可用性如何改变通用盲量子计算的复杂性。我们给出了一种新的通用盲量子计算协议。与之前关于 IT 安全协议（例如 BFK[4]）的工作类似，我们的协议可以分为两个阶段。在第一阶段，客户端准备一些具有相对简单量子门的量子小工具并将它们发送到服务器，而在第二阶段，客户端完全是经典的——它甚至不需要量子存储。至关重要的是，该协议的第一阶段是简洁的，也就是说，它的复杂性与电路大小无关。给定安全参数 κ ，它的复杂性只是一个固定的 κ 多项式，可用于评估大小高达 κ 的次指数的任何电路（或多个电路）。相比之下，已知的方案要么要求客户端执行与电路大小成比例的量子计算 [4]，要么需要陷门假设 [18]。
使用单克隆抗体分析粘液虫（粘菌门：粘孢子门）孢子抗原
摘要：开发了一种采用 Percoll™ 梯度离心法从大西洋鲑 Salmo salar 的体肌组织中纯化 Kudoa thyrsites 孢子的方法。然后用高度纯化的孢子免疫近交系 BALB/c 小鼠，以衍生分泌 Kudoa 特异性单克隆抗体 (mAb) 的杂交瘤。通过免疫荧光显微镜和流式细胞术对 mAb 进行分析表明，几种 mAb 对 K. thyrsites 孢子表面的抗原具有特异性，而其他 mAb 与 K. thyrsites、K. paniformis 和 K. crumena 孢子的极性荚膜或极性细丝发生反应。使用表面结合 mAb 对孢子裂解物进行免疫印迹，结果显示 46 至 >220 kDa 的宽条带，而针对极性荚膜和极性细丝抗原的特异性 mAb 检测到不同分子量的更清晰条带，具体取决于 Kudoa 物种。K. thyrsites 孢子表面抗原的主要表位被证明是碳水化合物，这是由其对无水三氟甲烷磺酸处理的敏感性和对蛋白酶 K 处理的抗性决定的。使用 K. thyrsites 特异性 mAb 对分离的、完整的、透化的疟原虫和含有疟原虫的体细胞肌肉组织薄切片进行免疫荧光显微镜检查，发现在产生孢子的疟原虫和受感染的大西洋鲑鱼肉中都有孢子的强烈标记。通过免疫印迹法检测到的孢子只有 100 个，表明这些 mAb 具有用于开发基于现场的诊断测试的潜力。
三重材料双门TFET的分析建模，具有异性登录门堆栈
摘要在本文中，已经开发了不对称高架源隧道场效应晶体管（AES-TFET）的二维分析模型，以获得更好的隧道连接装置性能。基于设备物理学的分析建模是通过求解2-d poisson方程进行的。表面电势分布，电场变化和带对波段隧道（B2B）的速率已通过此数值建模研究。在我们提出的结构中，来源已升高（不同的2 nm至6 nm）以融合角效应。这可以通过薄隧道屏障进行载体运输，并具有控制的双极传导。这最终为N通道AES-TFET结构产生更好的源通道界面隧道。2-D数值设备模拟器（Silvaco TCAD）已用于模拟工作。模拟图形表示最终通过AES-TFET的分析建模验证。关键字AES-TFET·表面电势分布·电场变化·B2B隧道·TCAD·数值建模。1介绍纳米科学和纳米技术在纳米级设备中的出现，晶体管的物理大小已被绝对地缩小。通过遵循2022年摩尔的法律预测，微型化已达到其对金属氧化物施加效应晶体管（MOSFET）的极限[1]。在这方面，过去二十年中已经出现了各种扩展问题。短通道效应（SCE），排水诱导的屏障降低（DIBL）[2]。 为了克服这些问题，在新型MOSFET结构中正在进行持续的研究。短通道效应（SCE），排水诱导的屏障降低（DIBL）[2]。为了克服这些问题，在新型MOSFET结构中正在进行持续的研究。但是，在目前的情况下，在60mv/十年的MOSFET上有限的子阈值摇摆（SS）是研究人员的主要缺点。ritam dutta ritamdutta1986@gmail.com
三重材料双门TFET的分析建模，具有异性登录门堆栈
摘要已开发了不对称扩展源隧道场效应晶体管（AES-TFET）的二维分析模型，以获得更好的设备性能。已通过求解2-D Poisson的方程来分析并执行所提出的设备模型。表面电势分布，电场变化和带对频带隧道（BTBT）速率已通过此数值建模研究。TFET新颖结构的源区域已扩展（不同的2 nm至6 nm），以结合角效应，从而通过薄薄的隧道屏障进行了BTBT，并具有受控的双极传导。这最终为N通道AES-TFET产生了更好的源通道接口隧道。2-D数值设备模拟器（Silvaco TCAD）已用于模拟工作。最终通过AES-TFET的分析建模来验证模拟工作。更好的是，我关闭和切换比是从这个新颖的TFET结构中获得的。