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输出端口隔离度更高的毫米波宽带波导功率分配器
摘要 — 我们提出了一种新型紧凑型宽带波导 T 结功率分配器，特别适用于毫米波和太赫兹频率。它将基于基板的元件整合到波导结构中，以提供输出端口的隔离和匹配。内部端口引入在基板上形成为 E 探针的 T 结的顶点。这有助于将反射能量从输出端口有效地耦合到与 E 探针集成在同一基板上并通过薄膜技术制造的新型薄膜电阻终端。设计、模拟和制造了适用于 150-220 GHz 频带的功率分配器，以实验验证理论和模拟性能。结果表明，模拟和测量结果具有极好的一致性，对于三端口设备，输入和输出端口的回波损耗显著为 20 dB，输出端口之间的隔离度优于 17 dB。此外，测量的插入损耗小于 0.3 dB，幅度和相位不平衡分别为 0.15 dB 和 0°。此外，分压器对内置吸收负载的电阻材料的尺寸和薄层电阻具有出色的耐受性，使该设备成为毫米波和太赫兹系统（特别是射电天文接收器）非常实用的组件。
适用于按需毫米波 5G 应用的宽带 3-D 共享孔径高隔离度九元天线阵列
a 马德里卡洛斯三世大学信号理论与通信系，28911 Legan ´ es，马德里，西班牙 b 伦敦都市大学通信技术中心，英国 c 米兰比可卡大学物理系，20126，米兰，意大利 d 电气工程与计算机科学学院，KTH 皇家理工学院，SE 100 – 44 斯德哥尔摩，瑞典 e TSC。奥维耶多大学电气工程系，33203 Gij ´ on，西班牙 f 焦夫大学工程学院电气工程系，Sakaka 42421，沙特阿拉伯 g LEME，UPL，巴黎南泰尔大学，F92410，阿夫雷城，法国 h 国家科学研究所 (INRS)，蒙特利尔，QC，H5A 1K6，加拿大 i 法兰西理工大学，CNRS，里尔大学，ISEN，里尔中央大学，UMR 8520，微电子和纳米技术研究所 (IEMN)，F-59313 瓦朗谢讷，法国 j INSA Hauts de France，F-59313 瓦朗谢讷，法国 k电气、电子与通信工程系及研究所智慧城市，纳瓦拉公立大学，31006 潘普洛纳，西班牙 l 蒙特雷技术大学，工程与科学学院 m 罗马大学“Tor Vergata”电子工程系，Via del Politecnico 1，00133 罗马，意大利
PAVOS - 法拉第旋转器和隔离器
我们的 PAVOS 旋转器和隔离器提供业界最佳的激光可靠性和性能，同时提供卓越的隔离度并保持非常高的传输率。我们的 PAVOS 产品依靠高维尔德常数、低吸收率材料的法拉第效应，将线性偏振光平面向前旋转，并在反向进行额外的 45° 非互易旋转。PAVOS 可用作旋转器或隔离器。
定制集成组件 - Narda-MITEQ
MITEQ 的 136460 型宽带三通道下变频器可用作低地球轨道毫米波辐射计的第二个 IF 下变频级。该系统与五个 MITEQ 频率多路复用器之一作为输入级，可在目标频段提供最平坦的频率响应、输出功率与输入功率的高线性度以及目标频段之间以及其他不良信号之间的高隔离度。此外，这种高可靠性、星载集成组件经过优化，具有体积小、功耗低、重量轻和出色的运行热稳定性。
用于电子战的微波技术
组件包括功率分配器、混合定向耦合器、多路复用器、循环器和隔离器。有源组件系列包括低噪声放大器、驱动放大器、限幅放大器和功率放大器，控制组件包括多端口开关、衰减器、混频器、锁相介质谐振器振荡器 (PLDRO)、合成器等。多端口多通开关最多 16 个端口，覆盖多个倍频程，速度快、功率大，端口之间隔离度更高，这些都是内部设计和开发的。微波和毫米波组件、子系统和系统的全部系列都是内部设计、实现、组装、调试和测试的，所需的技能和经验已经很成熟。其中所有或大部分都是通过生产合作伙伴作为组件、子系统和系统或集成模块生产的。
1 GHz 偏置网络的分析与设计...
由于无线设备的各种应用，无线通信的带宽不断增加。射频功率放大器 (RFPA) 是收发器的关键组件之一。因此，为了满足带宽要求，需要宽带 RFPA。RFPA 不仅需要宽带匹配网络，而且更重要的是偏置网络。对于下一代通信系统，需要宽带偏置网络在宽 GHz 带宽范围内运行。本文使用四分之一波长传输线和蝶形短截线设计了功率放大器的宽带偏置网络，适用于 3.3 GHz 至 4.3 GHz 的频带。Roger 的 RO3006 用作偏置网络设计的基板。设计的网络在所需的频率范围内表现良好。偏置网络的性能显示回波损耗为 9 dB 至 19 dB，射频 (RF) 隔离度超过 35 dB，插入损耗为 0 dB 至 1.5 dB。该宽带偏置网络可用于下一代通信系统。
![2022 年第 16 届欧洲天线和传播会议 (EuCAP) [EuCAP 2022] 计划](/simg/c\c5f583d2c4872b4be36153361e313e7fb6a12e6e.webp)
2022 年第 16 届欧洲天线和传播会议 (EuCAP) [EuCAP 2022] 计划
本文介绍了用于 5G 端射应用的 SICL 馈电宽带 MIMO 天线阵列。阵列中的辐射元件是一种改进的偶极天线，倾斜 ±45 度，以避免阵列配置中连续元件之间的重叠。一个臂放在顶部，而另一个臂放在底部基板上，分别由 SICL 线的顶部和中间板（使用馈电通孔）馈电。偶极天线臂的上下排列使阵列尺寸更加紧凑。SICL 技术的另一个优势是，当一个端口被激励时，可以减少另一个端口的耦合，从而使用 SICL 实现高隔离度。建议采用四元件 MIMO 天线阵列实现 360 度方位覆盖，增益为 6 dBi，阻抗带宽为 5.6 GHz，28 GHz 时交叉极化水平低于 13.6 dB。
具有 1.7 dBm 输出功率和 45 dB 基波抑制的 E 波段 CMOS 频率四倍频器
摘要：本文介绍了一种采用40nm CMOS工艺的E波段四倍频器。该电路采用两个推推式倍频器和两个单级中和放大器。倍频器采用伪差分B类偏置共源共栅拓扑结构，提高了反向隔离度和转换增益。采用中和技术可同时提高放大器的稳定性和功率增益。堆叠变压器用于单端到差分转换以及输出带通滤波。输出带通滤波器可提高四次谐波的输出功率，同时抑制不需要的谐波，特别是二次谐波。核心芯片尺寸为0.23mm2，功耗为34mW。测得的四次谐波在76GHz时实现了1.7dBm的最大输出功率，峰值转换增益为3.4dB。对于 74 至 82 GHz 的频谱，基波和二次谐波抑制分别超过 45 dB 和 20 dB。