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ZK-IOT：用零...
摘要 - 本文介绍了ZK-iot框架，这是一种新颖的方法，可通过在区块链平台上使用零知识证明（ZKP）来增强物联网（IoT）生态系统的安全性。我们的框架可确保在潜在受到损害的IoT设备中固件执行和数据处理的完整性。通过利用ZKP的概念，我们建立了一个信任层，该信任层有助于在设备可能不会固有地相互信任的环境中的IoT设备之间安全的自主互动。该框架包括ZK-DEVICES，它利用功能承诺来生成执行程序的证据，以及用于编码设备之间交互逻辑的服务合同。它还分别利用区块链层和继电器作为ZKP存储和数据通信协议。我们的实验表明，在我们的系统设置中，证明生成，阅读和验证分别分别为694、5078和19毫秒。这些时间满足物联网设备通信的实际要求，证明了解决方案的可行性和效率。zk-iot框架代表着物联网安全领域的重大进步，为跨各种应用程序（例如智能城市基础架构，医疗保健系统和工业自动化）铺平了道路。索引条款 - 零知识证明，物联网，功能承诺，区块链。
部署零...
感应充电或具有更高功率密度和较高功率评级的无线充电是具有巨大潜在技术开发潜力的区域，对于具有高功率和电压的商用车尤其有用。这是在几个实验室，大学和行业中研究的，作为导电充电技术的可行替代方法。尽管存在明确的优势，例如更高的自动驾驶适用性，缺乏接触接触的滥用和易于磨损的连接器等等，但还有一些相关的挑战，例如健康和安全性，电子磁性兼容性（EMC）以及转移效率，无线充电系统的功率密度，无线充电系统（WCS）以及一些其他挑战。在印度的上下文中查看，更好的周转时间，在某些应用程序中的关键参数，可以通过驾驶员不离开驾驶室而实现，并且系统较少依赖或不依赖驾驶员或充电器操作员/技术人员。
C246627A_童童AI 1..1
兹 提 述 通通 AI 社 交 集 团 有 限 公 司 （ 「 本 公 司 」 ） 日 期 为 二 零 二 四 年 十 一 月 二 十 七 日 之 公 告 （ 「 该 公 告 」 ）， 内 容 有 关 本 公 司 与 创 辉 资 本 订 立 新 保 理 服 务 框 架 协 议 ， 以 及 本 公 司 日 期 为 二 零 二 四 年 十 二 月 十 八 日 之 公 告 （ 「 延 迟 公 告 」 ） 。 除 本 公 告 另 有 界 定 者 外 ， 本 公 告 所 用 词 汇 与 该 公 告 所 界 定 者 具 有 相 同 涵 义 。
SD6804S 说明书
4.FB 过零检测（谷底开通）和副边导通时间检测 在 FB 过零时，功率 MOSFET 开通，而后功率 MOSFET 开通时间达到 COMP 控制的时间，功率 MOSFET 关断，
UN38.3 Test Report 样品名称: 摄像机锂电池组
Test cells shall be secured to the testing machine by means of a rigid mount which will support all mounting surfaces of each test cell.Each cell or battery shall be subjected to a half-sine shock of peak acceleration of 150 gn and pulse duration of 6 milliseconds.Alternatively, large cells may be subjected to a half-sine shock of peak acceleration of 50 gn and pulse duration of 11 milliseconds.Each cell shall be subjected to three shocks in the positive direction followed by three shocks in the negative direction of three mutually perpendicular mounting positions of the cell or battery for a total of 18 shocks./ 以稳固的托架固定住每个样品。对每个电芯 样品以峰值为 150gn 的半正弦的加速度撞击，脉冲持 续 6ms ，另外，大电芯须经受最大加速度 50gn 和脉 冲持续时间 11ms 的半正弦波冲击，每个样品必须在 三个互相垂直的电池安装方位的正方向经受三次冲 击，接着在反方向经受三次冲击，总共经受 18 次冲 击。
16 bit 模数转换器TM7706 - NET
注释： 1.B 级温度范围为 -40 ℃ ~+85 ℃。 2.这些数据是按最初设计的产品发布的。 3.一次校准实际上是一次转换，因此这些误差就是表 1 和表 3 所示转换噪声的阶数。这 适用于在期望的温度下校准后。 4.任何温度条件下的重新校准将会除去这些漂移误差。 5.正满标度误差包括零标度误差 （ Zero-Scale Error ）（单极性偏移误差或双极性零误 差），且既适用于单极性输入范围又适用于双极性输入范围。 6.满标度漂移包括零标度漂移 （单极性偏移漂移或双极性零漂移）且适用于单极性及 双极性输入范围。 7.增益误差不包括零标度误差，它被计算为满标度误差——对单极性范围为单极性偏移 误差，而对双极性范围为满标度误差——双极性零误差。 8.增益误差漂移不包括单极性偏移漂移和单极性零漂移。当只完成了零标度校准时，增 益误差实际上是器件的漂移量。 9.共模电压范围：模拟输入电压不超过 V DD +30mV ，不低于 GND-30mV 。电压低于 GND-200mV 时，器件功能有效，但在高温时漏电流将增加。 10.这里给出的 AIN （ + ）端的模拟输入电压范围，对 TM7706 而言是指 COMMON 输入 端。输入模拟电压不应超过 V DD +30mV, 不应低于 GND-30mV 。 GND-200mV 的输入 电压也可采用，但高温时漏电流将增加。 11.VREF=REF IN （ + ）－ REF IN （ - ）。 12.只有当加载一个 CMOS 负载时，这些逻辑输出电平才适用于 MCLK OUT 。 13.+25 ℃时测试样品，以保证一致性。 14.校准后，如果模拟输入超过正满标度 , 转换器将输出全 1, 如果模拟输入低于负满标度， 将输出全 0 。 15.在模拟输入端所加校准电压的极限不应超过 V DD +30mV 或负于 GND － 30mV 。 16.当用晶体或陶瓷谐振器作为器件的时钟源时 （通过 MCLK 引脚 ）， V DD 电流和功耗 随晶体和谐振器的类型而变化 （见“时钟和振荡器电路”部分）。 17.在等待模式下，外部的主时钟继续运行， 5V 电压时等待电流增加到 150 μ A ， 3V 电 压时增加到 75 μ A 。当用晶体或陶瓷谐振器作为器件的时钟源时，内部振荡器在等待 模式下继续运行，电源电流功耗随晶体和谐振器的类型而变化 （参看“等待模式” 一节）。 18.在直流状态测量，适用于选定的通频带。 50Hz 时， PSRR 超过 120dB （滤波器陷波 为 25Hz 或 50Hz ）。 60Hz 时， PSRR 超过 120dB （滤波器陷波为 20Hz 或 60Hz ）。 19.PSRR 由增益和 V DD 决定，如下：