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反应性沉积与强静电吸附（SEA）：光催化H2生成中高度活跃的单原子共催化剂的关键
近年来，单个原子（SAS）的使用已成为光催化H 2代的迅速增长。在这里，Sa Noble金属（主要是PT SA）可以充当高度有效的共同催化剂。用最大分散的SA染色氧化物半导体表面的经典策略依赖于合适的贵金属配合物的“强静电吸附”（SEA）。在TIO 2的情况下 - 经典的基准光催化剂 - SEA需要吸附阳离子PT复合物，例如[（NH 3）4 pt] 2 +，然后对表面结合的SA进行热反应。虽然在文献中广泛使用，但在目前的工作中，直接比较表明，基于SAS的还原性锚定为基于六氯铂（IV）酸（H 2 PTCL 6）的反应性依恋，而与SAS相比，与SAS相比，SAS在构造中直接导致SAS - 最有效的活动 - 最有效的活动 - 最有效的活动 - PT加载且没有任何热沉积治疗。 总体而言，这项工作表明，反应性沉积策略优于经典的海洋概念，因为它提供了直接的电子连接的SA锚定，因此导致光催化中高度活跃的单原子位点。，但在目前的工作中，直接比较表明，基于SAS的还原性锚定为基于六氯铂（IV）酸（H 2 PTCL 6）的反应性依恋，而与SAS相比，与SAS相比，SAS在构造中直接导致SAS - 最有效的活动 - 最有效的活动 - 最有效的活动 - PT加载且没有任何热沉积治疗。总体而言，这项工作表明，反应性沉积策略优于经典的海洋概念，因为它提供了直接的电子连接的SA锚定，因此导致光催化中高度活跃的单原子位点。
二维磁性半导体 CrPS4 中的栅极控制磁输运和静电磁性调制
使用场效应晶体管 (FET) 来探索具有传输测量的原子级薄磁性半导体是困难的，因为大多数 2D 磁性半导体的极窄带会导致载流子局域化，从而阻止晶体管工作。本文表明，CrPS 4 的剥离层（一种带宽接近 1 eV 的 2D 层状反铁磁半导体）可以实现在低温下正常工作的 FET。使用这些设备，可以测量电导率作为温度和磁场的函数，以确定完整的磁相图，其中包括自旋翻转和自旋翻转相。确定了磁导率，它在很大程度上取决于栅极电压。在电子传导阈值附近达到高达 5000% 的值。尽管研究中使用的 CrPS 4 多层厚度相对较大，但栅极电压还可以调整磁态。结果表明，需要采用具有足够大带宽的二维磁性半导体来实现正常运行的晶体管，并确定一种候选材料来实现完全栅极可调的半金属导体。
静电边界条件和（电）化学界面稳定性
电极界面是电子和电化学设备不可或缺的组成部分。它们在工作条件下的稳定性对于无数应用至关重要，例如电池、非易失性存储器、忆阻器、压电换能器和电容器。[1–5] 众所周知，材料的热力学稳定性受限于其成分的化学势（活性）的固定范围。[6] 例如，只有当与氧分压相关的氧化学势高于氧化物的形成焓时，氧化物才是稳定的。除了（原子）成分的化学势之外，通过电荷中性条件决定材料中费米能的电子化学势也必须保持在一定范围内。相关的电化学不稳定性可以通过两种方式引起：i）通过形成自补偿缺陷；[7] ii）通过
静电梳状驱动微镜的集成电容传感方法
本文开发了一种基于机电调幅的实时电容传感方案，用于检测单轴静电梳状驱动微镜的扫描角度和相位，以实现闭环控制。该方案将一个叠加了高频载波信号的正弦波电压信号施加到微镜的共用梳状驱动器上，用于传感和驱动。对驱动/传感电路在频域和时域进行了全面分析，以消除馈通并最小化信号失真。实验结果表明，使用2.5 V pp 和1 MHz 的载波信号，微镜扫描角度的测量精度达到0.15 ◦，时间延迟可控制在0.47 μs 以内。为了更好地理解微镜的扫描稳定性，还研究了温度变化对微镜相位响应的影响。当温度从 25 ◦ C 变为 35 ◦ C 时，以 3840 Hz 驱动的微镜的测量时间延迟从 0 变为 2.4 μ s。所提出的电容式传感方案可用于同时有效测量静电梳状驱动 MEMS 镜的角位置和相位，而无需添加任何外部元件。
静电纺丝和细胞纤维在生物医学中的应用
人体组织（例如肌肉、血管、肌腱/韧带和神经）具有纤维状束状形态，束内细胞和细胞外基质 (ECM) 以特定的 3D 方式有序排列，协调细胞和 ECM 发挥组织功能。通过利用新兴的“自下而上”生物制造技术将细胞纤维（含有活细胞的纤维）设计为活体构件，现在可以在体外重建/再造纤维状束状形态及其时空特定的细胞-细胞/细胞-ECM 相互作用，从而实现这些纤维组织的建模、治疗或修复。本文简要回顾了可用于制造细胞纤维的“自下而上”生物制造技术和材料，重点介绍了能够有效、高效地生产细细胞纤维的静电纺丝技术，以及通过适当设计的工艺，模拟天然纤维组织的 3D 细胞载运结构。强调了细胞纤维作为药物测试、细胞治疗和组织工程等领域的模型、治疗平台或组织类似物/替代品的重要性和应用。讨论了在高级层次结构和天然组织复杂动态细胞微环境的仿生学方面面临的挑战，以及细胞纤维在众多生物医学应用中的机会。
通过静电自组装的DNA夹纳米颗粒
完整的作者清单：伊丽莎白的杰吉斯；俄亥俄州立大学，William G. Lowrie化学与生物分子工程系De Araujo Fernandes Jr.，Silvio；俄亥俄州立大学，William G. Lowrie化学与生物分子工程系；俄亥俄州立大学病理学系和医学院神经研究所；俄亥俄州立大学通过工程和科学研究（CCE-CURES）CUI，YIXIAO治愈癌症；俄亥俄州立大学，生物医学工程罗宾斯，阿里尔；俄亥俄州立大学，物理学；俄亥俄州立大学，生物物理学计划，卡洛斯卡斯特罗；俄亥俄州立大学，机械和航空工程；俄亥俄州立大学，生物物理学计划Poirier，迈克尔；俄亥俄州立大学，物理学；俄亥俄州立大学，生物物理学计划Gurcan，Metin； Wake Forest医学院生物医学信息学中心Otero，Jose；俄亥俄州立大学病理学系和医学院神经研究所；俄亥俄州立大学通过工程和科学研究（CCE-CURES）冬季治愈癌症；俄亥俄州立大学，William G. Lowrie化学与生物分子工程系；俄亥俄州立大学，生物医学工程；俄亥俄州立大学通过工程和科学研究（CCE-CURES）治愈癌症；俄亥俄州立大学生物物理学计划
纳米管中栅极静电可控性的增强
近年来，随着半导体技术进入10nm以下技术节点，短沟道效应（SCE）和功耗耗散问题成为场效应晶体管进一步小型化面临的巨大挑战，需要采取强制性措施予以解决。从3nm技术节点开始，环绕栅极结构提高的SCE抑制能力使环绕栅极场效应晶体管登上了历史舞台。本文展示了双栅极纳米管环绕栅极场效应晶体管（DG NT GAAFET）的超强静电控制能力，并与具有相同器件参数设计的纳米管（NT GAAFET）和纳米线环绕栅极场效应晶体管（NW GAAFET）进行了比较。与NT GAAFET和NW GAAFET相比，DG NT GAAFET的I on 分别提升了62％和57％。此外，由于静电控制的增强，DG NT GAAFET 中的 SCE 得到了明显抑制，这可以通过改善 I off 、SS 和 I on /I off 比来证明。另一方面，NT GAAFET 的 I on 与 NW GAA-FET 相当，而与 NW GAA-FET 相比，它的 I off 小 1 个数量级，SS 小近 2 倍，体现了纳米管通道结构的优越性。最后，通过 TCAD 模拟研究验证了纳米管通道结构，特别是双栅极纳米管结构对 L g 缩放的稳健性。关键词：双栅极，纳米管，纳米线，短沟道效应，功耗耗散。
用于空中交通管制和自动驾驶的多静电组跟踪中的IMM估计器
其中y t是r n值系统状态x t的r m值观察。矩阵A，B，F和G取决于θT，W t和V t是独立的白色高斯噪音。最佳的非线性估计器涉及许多随时间t呈指数增加的卡尔曼过滤器。 IMM估计器[1,2]仅涉及N KALMAN过滤器，每种模式一个。为了补偿过滤器数量的减少，在每个估计周期开始时，N Kalman过滤器的估计值之间存在一个受控的相互作用/混合。[1]正式证明了这些相互作用/混合方程是精确的，而不是近似值。在每个估计周期结束时； IMM估计器计算过滤重量（模式概率）以及总体平均值和协方差。Bar-Shalom等。[3]给出了IMM估计器及其在跟踪和导航中的应用深度解释。运动学模型的Kalman过滤器[3]是低通滤波器。在（1）中，噪声增益少，带宽较低，适合几乎恒定的速度运动。用大B，它们具有更高的带宽，并且是
谁需要防静电地板？| StaticWorx
人们经常会问这个问题。这很令人困惑，因为普通地板材料有时被宣传为具有抗静电功能。它们的抗静电性能来自局部蜡、抛光剂或喷雾剂，这些物质会随着时间的推移而逐渐消失。*如果不反复涂抹局部抗静电剂并定期测试，就不可能知道这些地板是否保留了任何抗静电性能。换句话说，地板实际上可能会产生静电，但没有人会知道。