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在原子薄的异质结构中的静电陷阱中受控的层间激子电离
原子上薄的半导体异质结构提供了一个二维（2D）设备平台，用于产生高密度的冷，可控制的激子。中间层激元（IES），绑定的电子和孔定位于分开的2D量子井层，具有永久的平面外偶极矩和长寿命，从而可以根据需要调整其空间分布。在这里，我们采用静电门来捕获并控制它们的密度。通过电气调节IE鲜明的偏移，可以实现2×10 12 cm-2以上的电子孔对浓度。在此高IE密度下，我们观察到指示了指示IE离子化过渡的线宽扩大，而与陷阱深度无关。该失控的阈值在低温下保持恒定，但增加了20 K，与退化IE气体的量子解离一致。我们在可调静电陷阱中对IE离子化的演示代表了朝着实现固态光电设备中偶极激子冷凝物实现的重要步骤。
Carlos A. Martínez-Pérez* 静电纺丝：一种很有前途的药物输送系统技术
摘要：近年来，静电纺丝已成为设计和制造药物输送系统 (DDS) 的一项深入研究的技术，在此期间，已开发出多种主要由静电纺丝聚合物和许多不同活性成分组成的 DDS，许多内在和外在因素都会影响最终系统，有些因素可归因于设备设置，有些因素可归因于制造 DDS 时所用材料的物理化学性质。毕竟，这项深入研究已经产生了大量装载一种或多种药物的 DDS。本文介绍了不同类型的药物输送系统的亮点，包括静电纺丝的基本概念、设备设置类型、聚合物/药物系统以及临床应用需要克服的局限性和挑战。
晶圆翘曲和背面冷却条件变化对静电吸盘 (ESC) 性能的影响
在 ESC/BSG 系统中，冷却气体（氦气）的漏流被测量为夹紧性能的标准：大量的 BSG 漏流意味着晶圆未正确夹紧，因此冷却气体未到达晶圆。相反，少量的漏流代表晶圆夹紧良好且冷却效率高。在这种情况下，20 sccm 或以上的氦气流量代表夹紧彻底失败以及工具故障。图 2 显示在“A”和“B”型载体上制备的样品晶圆的冷却气体漏流。在所有施加电压下，弯曲程度较高的晶圆的 BSG 流量最高，漏流值已达到最大值 20 sccm。但是，只要背面冷却气体压力较低，较高电压条件就会消除弯曲对 BSG 流量的影响。换句话说，需要将 BSG 压力降低至约 10 Torr 以下才能夹住弯曲的晶圆，这会导致背面冷却系统的边缘性更严格，并且等离子蚀刻等高温工艺中晶圆过热的可能性更高。
工程MWCNT/环氧纳米纤维支架的静电纺丝，以增强CFRPS的物理和机械性能
该出版物的发行是为了进一步的合作推广工作，由5月8日和6月20日，1 9 1 4。它是由美国农业部合作而生产的；康奈尔合作扩展；康奈尔大学的农业与生命科学学院，人类生态学院和兽医学院。Cornell合作扩展提供了平等的计划和就业机会。Helene Dillard，导演。
独立铁电超晶格中静电驱动的极化翻转和应变诱导的曲率
在涉及铁电氧化物的外延异质结构中，应变与电极化之间存在强耦合，机械和静电边界条件的组合为设计具有极大增强或全新功能的新型人工层状材料提供了巨大的机会。仅应变工程就可用于显著提高铁电体的转变温度，控制铁弹畴的类型和排列，甚至稳定名义上非铁电材料的铁电性。[1–3] 同时控制静电边界条件可以进一步创建具有多种形态、复杂有序、非平凡极性拓扑和增强磁化率的纳米级畴模式。[4–13]
HyperForma 5：1单使用生物反应器（S.U.B.）用户指南
警告：静电可能会在BPC中积累。•生物处理容器（BPC）可以充当静电电荷的绝缘体。如果将静电电荷转移到BPC中，则可以将电荷存储在BPC和/或内部产品中。这种现象因产品和使用而异。因此，确保进行危害评估并消除了静电冲击的风险是最终用户的唯一责任。•如果适用，可以将不锈钢耦合器接地到框架上，以消散BPC内材料的静电堆积。通过将所有BPC接地之前，在与它们接触之前将静电堆积耗散是一个好习惯。使用BPC时，建议使用非导电材料（例如非导电手套）。
CS25N50F A9R-G 硅 N 沟道功率 MOSFET
散热器。3.VDMOSFET 是对静电敏感的器件，使用时必须保护器件免受静电损坏。4.本出版物由华晶微电子制作，如有定期更改，恕不另行通知。
CS20N50F A9R 硅 N 沟道功率 MOSFET - prom.st
散热器。3. VDMOSFET 是对静电敏感的器件，使用时必须保护器件免受静电损坏。4. 本出版物由华晶微电子制作，如有定期更改，恕不另行通知。
CS01N100 A4R硅N通道功率MOSFET
散热器。3。VDMOSFET是对静电敏感的设备，必须保护设备在使用时免受静电损坏。4。该出版物是通过瓦伊杰（Huajing）的微电子制剂而定期进行更改而毫无通知而进行的。