XiaoMi-AI文件搜索系统
World File Search System非磁性
基于自旋的磁性随机存取存储器，用于高...
存储器是当今电子系统中用于数据存储和处理的关键组件。在传统的计算机架构中，由于存储器之间在操作速度和容量方面的性能差距，逻辑单元和存储器单元在物理上是分开的，从而导致冯·诺依曼计算机的根本限制。此外，随着 CMOS 技术节点的演进，晶体管变得越来越小，以提高操作速度、面积密度和能源效率，同时提供更低的驱动电流。然而，嵌入式闪存和 SRAM 等主流技术正面临着重大的扩展和功耗问题。更密集、更节能的嵌入式存储器将非常可取，特别是对于 14 纳米或更小的先进技术节点。与操纵非磁性半导体中的电荷来处理信息的传统电子设备不同，自旋电子器件基于电子自旋，提供创新的计算解决方案。为了将自旋电子学融入到现有的成熟的半导体技术中，基于自旋的器件一般设计以磁隧道结为核心结构，起到磁随机存取存储器（MRAM）的作用。
基于自旋的磁性随机存取存储器，用于高...
存储器是当今电子系统中用于数据存储和处理的关键组件。在传统的计算机架构中，由于存储器之间在操作速度和容量方面的性能差距，逻辑单元和存储器单元在物理上是分开的，从而导致冯·诺依曼计算机的根本限制。此外，随着 CMOS 技术节点的演进，晶体管变得越来越小，以提高操作速度、面积密度和能源效率，同时提供更低的驱动电流。然而，嵌入式闪存和 SRAM 等主流技术正面临着重大的扩展和功耗问题。更密集、更节能的嵌入式存储器将非常可取，特别是对于 14 纳米或更小的先进技术节点。与操纵非磁性半导体中的电荷来处理信息的传统电子设备不同，自旋电子器件基于电子自旋，提供创新的计算解决方案。为了将自旋电子学融入到现有的成熟的半导体技术中，基于自旋的器件一般设计以磁隧道结为核心结构，起到磁随机存取存储器（MRAM）的作用。
抑制金属界面处的自旋泵浦
导电金属通常会传输或吸收自旋电流。本文报告了将两层金属薄膜连接在一起可以抑制自旋传输和吸收的证据。我们研究了铁磁体/间隔层/铁磁体异质结构中的自旋泵浦，其中间隔层（由金属 Cu 和 Cr 薄膜组成）将铁磁自旋源层和自旋吸收层分隔开。Cu/Cr 间隔层在很大程度上抑制了自旋泵浦，即既不传输也不吸收大量自旋电流，尽管 Cu 或 Cr 单独传输了相当大的自旋电流。Cr 的反铁磁性对于抑制自旋泵浦并不是必不可少的，因为我们观察到 Cu/V 间隔层也有类似的抑制作用，其中 V 是 Cr 的非磁性类似物。我们推测，自旋透明金属的多种组合可能形成抑制自旋泵浦的界面，尽管其潜在机制仍不清楚。我们的工作可能会激发人们对理解和设计金属多层中的自旋传输的新视角。
通过磁场辅助离心滑移铸造获得的Al2O3 – Ni复合材料的结构和机械性能，
摘要：这项研究研究了通过以离心机铸造以1500 rpm制造的Al 2 O 3 - Ni复合材料的磁场对Al 2 O 3 - Ni复合材料的影响。al 2 O 3，并将ni功能与水和弱化物结合，均质化，然后将其铸造成被ND-FE-B磁铁包围的多孔石膏模具。由于磁场和离心力的综合效应而导致的三区结构烧结，在还原的大气中烧结，具有不同的Ni含量。SEM，EDX和XRD分析确定了相的分布和组成。硬度测试揭示了最外层区域的最高值，并且逐渐降低了内部区域。采用数字图像相关性的压缩测试显示，与非磁性领域方法相比，抗压强度的较高的内部应力和抗压强度的显着改善。这项研究证实了磁性辅助离心滑移的显着性铸造可显着增强Al 2 O 3 - Ni复合材料的结构，硬度和抗压强度，表明对先进应用的有希望的潜力。
使用脉冲激光探索TAAS Weyl半准薄膜的生长条件
taas是第一个实验发现的Weyl半分材料，由于其高载流子迁移率，高各向异性，非磁性特性以及与光的强烈相互作用，引起了很多关注。这些使其成为研究量子计算，热电设备和光电检测中Weyl Fermions和应用的理想候选者。迫切需要进行进一步的基本物理研究和潜在的应用，大尺寸和高质量的TAAS漏洞。然而，由于AS在生长过程中的挥发，生长出色的taas纤维很难。为了解决这个问题，我们尝试使用脉冲激光沉积（PLD）使用具有不同AS化学计量比的靶标在不同底物上生长TAAS漏洞。在这项工作中，我们发现在生长过程中，部分作为GAAS底物的离子可能会扩散到TAAS纤维中，这是由结构表征，表面地形和组成分析最初确认的。结果，提高了TAAS纤维中的AS含量，并实现了TAAS相。我们的工作提出了一种使用PLD制造TAAS漏洞的有效方法，从而使Weyl SemimetalFim可以用于功能设备。
利用静电和
摘要：随着空间碎片对卫星运行的威胁越来越大，迫切需要能够在低地球轨道上有效捕获碎片的先进机器人系统。本文介绍了配备静电粘附机制的机械臂的开发和优化，该机械臂专为微重力环境设计。主要目标是设计一种多功能、轻便的机械臂，可以安全地捕获和固定各种类型的碎片，包括非磁性和复合材料。主要特点包括用于适应性抓握的静电粘合垫、用于以最小的机械复杂性增加伸展范围的伸缩式延伸臂以及用于简化碎片检索和处理的可伸缩存储轮廓。通过详细的计算，我们确定了所需的粘合力，以抵消作用在碎片上的惯性和重力，确保即使在较小的卫星机动过程中也能安全捕获。静电充电系统旨在产生足够的粘合力，并计算了电荷要求和垫尺寸以实现安全粘合。本文详细介绍了设计、力计算和组件选择，使机械臂高效、轻便、适应性强，有助于更安全、更有效地清除空间碎片。
六边形石墨烯纳米片中的自旋 - 循环转运
我们研究了石墨烯型纤维中磁性边缘具有磁边缘的热电效应。分别采用静态的动态均值轨道理论，我们首先表明磁力出现在曲折边缘，用于库仑相互作用的窗口，随着量的大小增加，磁磁性显着增加。然后，我们在非平衡绿色功能方法的框架中使用Landauer形式主义来计算磁性六边形石墨烯池中的自旋和电荷电流，通过改变连接温度的不同量尺寸。虽然在非磁性封闭式石墨烯中，温度梯度驱动电荷电流，但我们观察到具有磁性锯齿形边缘的六边形石墨烯纤维的显着旋转电流。特别是，我们表明，在六角形的“元”配置中，受到弱库仑相互作用的约束，纯旋转电流只能由温度范围内的温度梯度驱动，这对于设备应用来说是有希望的。发现较大的平流可以产生更大的库仑相互作用的窗口，其中这种自旋电流是由磁性曲折边缘诱导的，并且电流的较大值。
TC对高级剩余电阻率的不敏感性
关于孔掺杂高t c酸奶的少数无可争议的事实之一是它们的超导间隙δ具有D波对称性。根据“肮脏” D -Wave BCS理论，即使是结构性（非磁性）疾病也可以抑制δ，过渡温度t c和超级流体密度ρs。后者受障碍影响的程度取决于散射的性质。相比之下，T C仅对总弹性散射速率（根据剩余电阻率ρ0估计）敏感，应遵循Abrikosov-Gor的KOV搭配配对配方。在这里，我们报告了一组BI2201单晶在ρ0中的较大变化的T C的显着鲁棒性。我们还对LSCO家族进行了近期和历史数据的扩展数据，这些数据挑战了Dirty D波理论的关键预测。我们讨论了这些差异的可能原因，并认为我们不了解丘比特的疾病的本质，或者肮脏的D-波浪场景不是一个合适的框架。最后，我们提出了一种替代性（非BC）场景，该场景可能解释了以下事实：TL2201中的超导圆顶延伸到BI2201和LSCO中的范围，并提出了测试这种情况有效性的方法。
《金属、材料与矿物杂志》，第 30 卷，第 4 期，第 1-18 页，2020 年
摘要 磁传感装置是一种非常重要的探测器，有多种重要且有用的应用。几何超常磁阻 (EMR) 是与非磁性半导体-金属混合结构相关的几何类型的磁阻，受几何形状的影响。由于洛伦兹力的作用，半导体-金属混合结构中的电流路径从金属（无磁场）变为半导体（受磁场影响）是 EMR 现象的关键，即一旦将金属置于半导体中，它就会像短路一样工作，大部分施加的电流会流过金属不均匀性，在没有磁场的情况下，半导体-金属混合结构的几乎整个电阻都会下降到小于均质半导体的值；另一方面，施加磁场会改变电流路径，使其围绕金属不均匀性工作，在那里它就像开路一样工作，整个电阻会变成一个相当高的量级，这取决于设备的几何形状。控制这些现象的变量是金属和半导体的电导率、半导体电荷载流子迁移率和设备几何形状。在这篇评论中，概述了 EMR 现象的历史、控制它的变量、材料和 EMR 设备的应用。
磁传感器和几何磁倍率
抽象磁传感设备是极为重要的检测器，这些检测器被使用了几种重要且有用的应用。几何磁磁性（EMR）是与非磁性半导体 - 金属杂交结构相关的几何磁磁性，并受几何形状的影响。是洛伦兹力的结果，在半导体 - 金属杂交结构中，当前的路径从金属（没有磁场）变为半导体（在磁场的征服下）是EMR现象的关键，即一旦将金属放入半导体中，它就可以用作短路，大多数应用的电流通过金属的无机性移动，几乎全部的半导体 - 金属杂化结构的全部阻力下降到小于均质半导体的值小于均质的磁场，在其他磁场上，在其他磁场上，在其他磁场上都在磁场上，在磁场上，在磁场上进行了启动，在磁场上既有磁场，又在磁场上进行了启动的途径。并且整个电阻变成了相当高的幅度，取决于设备的几何形式。变量控制这些现象是金属和半导体电导率，半导体载体迁移率和装置几何形状。在本综述中，概述了EMR现象历史记录，变量控制IT，材料和应用程序的应用。