XiaoMi-AI文件搜索系统
World File Search System面具
果蝇 p53 亚型在生殖系基因组完整性和卵母细胞质量控制方面具有重叠和不同的功能
摘要 人类和其他生物体中的 p53 基因家族成员编码大量蛋白质亚型，其功能大部分尚不明确。以果蝇为模型，我们发现 p53B 亚型主要在生殖细胞中表达，并与 p53A 共定位到亚核体中。然而，只有 p53A 介导生殖细胞和胞体中对电离辐射的凋亡反应。相反，p53A 和 p53B 都是减数分裂 DNA 断裂正常修复所必需的，当减数分裂重组有缺陷时，这种活性更为重要。我们发现在具有持续性 DNA 断裂的卵母细胞中，p53A 也是激活减数分裂粗线期检查点所必需的。我们的研究结果表明，果蝇 p53 亚型具有 DNA 损伤和细胞类型特异性功能，与哺乳动物 p53 家族成员在基因毒性应激反应和卵母细胞质量控制中的作用相似。
pl 23202的LED面具，用于面部和颈部iNSORTLINE HILMAN
学校，康复中心，健身俱乐部和健身房等。（保修期：12个月）。默认情况下，没有关于购买证明（发票或收据）的保修变体的信息。保修包括删除缺陷，这是由于使用有缺陷的材料而可证明的，或者是生产错误的结果。保修不包括与维护，清洁，法规有关的活动，并扭曲给定物品的螺丝连接，而这些物品的螺丝连接需要自己自行购买并自费购买。提供保修的证明是这些保修条款以及购买证明（发票或收据）上包含的担保人的陈述。为了从保修中行使权利，买方应显示保修条款和购买证明（收据或增值税发票）。保修在波兰有效。保修权无权：
21世纪的面具和呼吸器
面具和呼吸器在对医护人员和公众对Covid-19的大流行的反应中发挥了至关重要的作用。但是，医护人员和公众都需要依靠很多东西的面具和呼吸器。尽管在舒适性和合身方面存在缺点，但自1990年代中期以来，绝大多数医疗工作者使用的无处不在的一次性面具和一次性N95呼吸器就无法明显改善。在19日期大流行期间，建议公众也戴口罩。面罩一直是“源控制”的有效手段（即，将呼吸液滴从佩戴者降低到其他人）。最近有证据表明，正确构造和磨损的口罩以及呼吸器对佩戴者的保护程度也有限，但也不是无关紧要的保护程度。现有的口罩和呼吸器在有效性和耐磨性方面运行范围。在未来的大规模爆发或大流行中，有可能通过更高效，更合适且舒适的口罩来增加医疗人员和公众免受感染的保护。通过利用新兴技术，自共同研究早期以来的创新研究与发展精神来实现更好的面具和呼吸器的设计和制造，以及支持技术创新的资源的可用性。
联合服务机组面具 - 战略飞机（JSAM -SA ...
表格批准的OMB编号0704-0188此信息收集的公开报告负担估计为每个响应的平均1小时，包括审查说明的时间，搜索现有数据源，收集和维护所需的数据以及完成和审查此信息集合。发送有关此负担估计值或此信息集合的任何其他方面的评论，包括为国防部减轻此负担的建议，华盛顿总部服务，信息操作和报告局（0704-0188），1215 Jefferson Davis Highway，Suite 1204，Suite 1204，Arlington，VA 222022202-4302。受访者应意识到，尽管有其他法律规定，但如果没有显示当前有效的OMB控制号码，则任何人都不得遵守信息的收集。请不要将您的表格返回上述地址。1。报告日期（dd-mm-yyyy）
WAVE1 和 WAVE2 在控制前缘肌动蛋白组装方面具有不同且重叠的作用
摘要 SCAR/WAVE 蛋白和 Arp2/3 复合物在前缘组装分支肌动蛋白网络。SCAR/WAVE 的两种亚型 WAVE1 和 WAVE2 位于前缘，但它们是否发挥相似或不同的作用仍不清楚。此外，关于 WAVE1 对肌动蛋白丝伸长的 Arp2/3 独立生化活性的报道存在矛盾。为了在体内研究这一点，我们在 B16-F1 黑色素瘤细胞中分别和同时敲除 WAVE1 和 WAVE2 基因。我们证明 WAVE1 和 WAVE2 对于板状伪足的形成和运动是多余的。然而，WAVE2 KO 细胞的前缘肌动蛋白延伸率显著降低，而 WAVE1 KO 细胞的前缘肌动蛋白延伸率增加。WAVE1 KO 细胞中肌动蛋白延伸率的加快被更快的逆向流动所抵消，因此不会转化为更快的板状伪足突出。因此，WAVE1 限制了前缘肌动蛋白延伸的速度，并似乎将肌动蛋白网络与膜偶联以驱动突出。总体而言，这些结果表明 WAVE1 和 WAVE2 在促进 Arp2/3 依赖性肌动蛋白成核和板状伪足形成方面具有冗余作用，但在控制肌动蛋白网络延伸和利用网络生长进行细胞突出方面具有不同的作用。
深sio2用al和aln面具用于mems设备
摘要。氧化硅基材料（例如石英和二氧化硅）被广泛用于微机电系统（MEMS）。增强其深等离子体蚀刻能力的一种方法是通过使用硬面膜来提高选择性。尽管以前研究了这种方法，但有关在200 mM底物上使用硬面膜来蚀刻基于硅氧化物材料的信息很少。我们提出了使用Al和Aln掩模的无定形氧化硅蚀刻过程开发的结果，并展示了用于蚀刻二氧化硅和石英的结果。在具有两个血浆源的工业反应性离子蚀刻室（RIE）室中比较了三个气体化学（C 4 F 8 /O 2，CF 4和SF 6）及其混合物。已经确定，纯SF 6是最好的蚀刻剂，而ALN比Al更好地提供了较高的选择性和靠近垂直的侧壁角度。建立了无微量蚀刻的一系列蚀刻参数，并使用蚀刻速率为0.32-0.36m/min的工艺在21M-厚的氧化物中创建了高达4：1纵横比的蚀刻结构，并且对（38-49）的Aln Mask的选择性为0.32-0.36m/min。