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World File Search System顶栅
顶栅2D晶体管的单晶金属氧化物介电
二维（2D）结构由具有高载体迁移率的原子薄材料组成的二维（2D）结构已被研究为未来晶体管1-4的候选。然而，由于合适的高质量介电的不可用，尽管具有优越的物理和电气特性，但2D现场效应晶体管（FET）仍无法获得全部理论潜力和优势。在这里，我们证明了原子上薄的单晶Al 2 O 3（C-al 2 O 3）作为2D FET中的高质量顶栅介电。通过使用插入式氧化技术，在室温下，在单晶Al表面形成了稳定，化学计量和原子较薄的C-Al 2 O 3层，厚度为1.25 nm。由于有利的晶体结构和明确定义的接口，栅极泄漏电流，界面状态密度和C-AL 2 O 3的介电强度3符合国际路线图3,5,7的国际路线图3,5,7。通过由源，排水，电介质材料和门组成的一步转移过程，我们实现了顶部的MOS 2 FET，其特征是以61 mV的陡峭亚阈值摇摆为61 mV-1-1-1，高/OFF电流比为10 8，并且非常小的滞后率为10 mV。这种技术和材料证明了产生适合整合到完全可扩展的晚期2D FET的高质量单晶氧化物的可能性，包括负电容晶体管和自旋晶体管。
柱栅阵列 (CGA) 与球栅阵列 (BGA)
摘要 考虑进行板级跌落试验，目的是开发一个具有物理意义的分析预测模型，用于评估焊料材料中预期的冲击引起的动态应力。讨论了球栅阵列 (BGA) 和列栅阵列 (CGA) 设计。直观地感觉，虽然应用 CGA 技术缓解焊料材料的热应力可能非常有效（因为 CGA 与 BGA 相比具有更大的界面柔顺性），但当 PCB/封装经历动态负载时，情况可能会大不相同。这是因为 CGA 接头的质量大大超过 BGA 互连的质量，并且在 CGA 设计的情况下，相应的惯性力可能大得多。针对相当随意但又现实的输入数据进行的数值示例表明，CGA 设计的焊料材料中的动态应力甚至高于 BGA 互连中的应力。这尤其意味着，应彻底选择板级测试中具有物理意义的跌落高度，并且对于 BGA 和 CGA 设计，该高度应该有所不同。
顶石-14
自从NMSZ沿线的最后一次重大地震以来已经超过两个世纪了，但该地区灾难性地震的威胁并没有减弱。由于人口密度和当前的基础设施，今天的地震将是毁灭性的。成千上万的城镇将受到影响；数以百万计的人将受到直接影响。该地区的大多数州直到1990年代初才采用地震建筑法规，因此，许多建筑物和基础设施都极为脆弱。许多社区的市中心建筑已有一个多世纪的历史了，该地区的大部分结构是未增强的砌体。该地区的各种地理位置（以及主要的河流，山脉，湿地和山脊）将对响应者构成困难的挑战。许多地方和州政府结构也可能具有挑战性。每个司法管辖区都会有独特的需求和挑战，并保护其人口。在这一地区发生地震可能会永远改变成千上万的农村，郊区和城市社区的面貌。
富士通 MBM2732A.pdf
采用单晶体管堆叠栅极单元结构，通过双层多晶硅技术实现。单个单元由底部浮栅和顶部选择栅组成（见图 1）。顶栅连接到行解码器，而浮栅用于电荷存储。通过将高能电子通过氧化物注入浮栅来对单元进行编程。浮栅上电荷的存在会导致单元阈值发生变化（参见图 2）。在初始状态下，单元具有低阈值（VTH1），这将使晶体管在选择单元时（通过顶部选择栅）导通。编程将阈值移至更高水平（VTHO），从而防止单元晶体管在被选择时导通。可以通过检查感测阈值（VTHS）下的状态来确定单元的状态（即是否已编程），如图 2 中的虚线所示。
用于单片三维集成的高性能原子层沉积氧化铟三维晶体管和集成电路
摘要—本文报告了通过与后端工艺 (BEOL) 兼容的原子层沉积 (ALD) 工艺在鳍片结构和集成电路上涂覆 In 2 O 3 3-D 晶体管的实验演示。通过沟道厚度工程和后沉积退火，实现了具有 113 cm 2 /V · s 高迁移率和 2.5 mA/µ m 高最大漏极电流 (ID) 的高性能平面背栅 In 2 O 3 晶体管。演示了基于 ALD In 2 O 3 的高性能零 V GS 负载反相器，其最大电压增益为 38 V/V，最小电源电压 (V DD ) 低至 0.5 V。还演示了通过栅极绝缘体和沟道半导体的低温 ALD 制备的顶栅氧化铟 (In 2 O 3 ) 晶体管，其 ID 为 570 µ A/µ m，亚阈值斜率 (SS) 低至 84.6 mV/decade。然后演示了具有顶栅结构的 ALD In 2 O 3 3-D Fin 晶体管，其受益于 ALD 的保形沉积能力。这些结果表明，ALD 氧化物半导体和器件具有独特的优势，并且有望实现用于 3-D 集成电路的 BEOL 兼容单片 3-D 集成。
轨道安装顶板门接触开关
DC-4811 型号提供了一种有效且方便的方法来固定包含滚轮运输机制的面板式卷帘门。包含可调节的 L 型支架，可安装至宽度达 3 英寸的滚轮轨道。。为了获得最高级别的安全性，请将开关安装在轨道上安装的任何其他设备下方，同时仍要足够高以使电缆远离地板表面。将磁铁安装在门上，使门处于关闭状态时，开关和磁铁之间有 1/4 英寸的间隙。避免将磁铁放置在靠近手柄和/或闩锁的位置，以防止将其用作立足点或其他类型的门关闭配件。
有顶停车场：电动汽车消防安全指南
1.简介 5 1.1 本临时指南适用于哪些人？5 1.2 本临时指南涵盖哪些内容以及应如何使用 5 1.3 本临时指南的法律地位是什么？5 1.4 为什么现在要为有盖停车场的电动汽车提供消防安全指导？7 1.5 本指南为何具有临时地位？8 1.6 如何使用指南 8 2.电动汽车火灾隐患背景信息 9 2.1 电动汽车相关火灾隐患概述 9 2.2 电池管理系统 (BMS) 故障 12 2.3 导致电池起火的因素 12 2.4 火势蔓延 15 2.5 电动汽车火灾的扑救 17 2.6 电动汽车与内燃机汽车发生火灾的频率和可能性 20 2.7 生态考虑 22 3.有顶停车场的常见消防安全设施和已报告的消防安全问题 23 3.1 常见消防安全设施 23 3.2 报告的针对停车场结构的消防安全问题 26 4.确定相关缓解措施的步骤 27 4.1 建立消防安全目标和约束 27 4.2 风险评估制定缓解措施 27 4.3 进行评估时要考虑的与停车场相关的因素 29 4.4 风险评估流程 30 4.5 缓解风险 – ERIC 控制层次 30 5.危害缓解措施 32 5.1 应对电动汽车或电动汽车充电站起火风险的缓解措施 32 5.2 保护某人或某物免受涉及一辆或多辆电动汽车的火灾影响的缓解措施 38 5.3 案例研究 47 6.缓解措施讨论 54 6.1 选择合适、经过认证和批准的电动汽车充电站 54 6.2 充电点位置 55