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World File Search System额定值
斯宾克控制 - 中流有限公司
� 精度：+/- 1.5% FSR。� 量程能力：10:1 � 重复性：+/- 0.25% FSR � 温度额定值：-50 至 120 °C。� 压力额定值：80 kg/cm2 � 流动方向：从底部到顶部 � 端部连接：法兰连接以满足客户要求。� 湿润部分：适合特定液体或气体。� 安装位置：垂直。� 指示：数字流量 � 传输：2 线环路供电。� 外壳：防火/防风雨。� 电源：9 VDC 电池
CS150N04 A8 硅 N 沟道功率 MOSFET
欧盟 RoHS 指令。警告 1. 超过器件的最大额定值使用器件可能会损坏器件，甚至造成永久性故障，影响机器的可靠性。建议在器件最大额定值的 80% 以下使用。 2. 安装散热器时，请注意扭矩和散热器的平稳性。 3. VDMOSFET 是对静电敏感的器件，使用时必须保护器件免受静电损坏。 4. 本出版物由华晶微电子制作，如有定期更改，恕不另行通知。
CS1404 A8 硅 N 沟道功率 MOSFET - prom.st
欧盟 RoHS 指令。警告 1. 超过器件的最大额定值使用器件可能会损坏器件，甚至造成永久性故障，影响机器的可靠性。建议在器件最大额定值的 80% 以下使用。 2. 安装散热器时，请注意扭矩和散热器的平稳性。 3. VDMOSFET 是对静电敏感的器件，使用时必须保护器件免受静电损坏。 4. 本出版物由华晶微电子制作，如有定期更改，恕不另行通知。
CS3205 B8 硅 N 沟道功率 MOSFET
欧盟 RoHS 指令。警告 1. 超过器件的最大额定值使用器件可能会损坏器件，甚至造成永久性故障，影响机器的可靠性。建议在器件最大额定值的 80% 以下使用。 2. 安装散热器时，请注意扭矩和散热器的平稳性。 3. VDMOSFET 是对静电敏感的器件，使用时必须保护器件免受静电损坏。 4. 本出版物由华晶微电子制作，如有定期更改，恕不另行通知。
CS18N50F A9R 硅 N 沟道功率 MOSFET
欧盟 RoHS 指令。警告 1. 超过器件的最大额定值使用器件可能会损坏器件，甚至造成永久性故障，影响机器的可靠性。建议在器件最大额定值的 80% 以下使用。 2. 安装散热器时，请注意扭矩和散热器的平稳性。 3. VDMOSFET 是对静电敏感的器件，使用时必须保护器件免受静电损坏。 4. 本出版物由华晶微电子制作，如有定期更改，恕不另行通知。
CS16N65F A9H 硅 N 沟道功率 MOSFET
欧盟 RoHS 指令。警告 1. 超过器件的最大额定值使用器件可能会损坏器件，甚至造成永久性故障，影响机器的可靠性。建议在器件最大额定值的 80% 以下使用。 2. 安装散热器时，请注意扭矩和散热器的平稳性。 3. VDMOSFET 是对静电敏感的器件，使用时必须保护器件免受静电损坏。 4. 本出版物由华晶微电子制作，如有定期更改，恕不另行通知。
CS4N60 A4R 硅 N 沟道功率 MOSFET
欧盟 RoHS 指令。警告 1. 超过器件的最大额定值使用器件可能会损坏器件，甚至造成永久性故障，影响机器的可靠性。建议在器件最大额定值的 80% 以下使用。 2. 安装散热器时，请注意扭矩和散热器的平稳性。 3. VDMOSFET 是对静电敏感的器件，使用时必须保护器件免受静电损坏。 4. 本出版物由华晶微电子制作，如有定期更改，恕不另行通知。
TR-4 2018 - PPI 列出热塑性管道材料或管材的静水设计基础 (HDB)、强度设计基础 (SDB)、压力设计基础 (PDB) 和最低要求强度 (MRS) 等级
3. 调整特定应用环境的推荐额定值：PPI 发布的 HDB/PDB/MRS/SDB 推荐额定值适用于与获得测试数据的条件相同的条件，例如恒定压力、温度和特定测试环境。各种行业标准或法规都提供了适当的设计系数或设计系数，以计算所需应用中使用的管道系统的相应最大允许工作压力。在某些条件下，例如压力循环、更高的温度、更恶劣的环境或处理和安装质量，所有这些都可能显著降低管道的耐用性，应选择更保守的设计系数或设计系数。有关设计系数和设计系数的更多信息，请参阅 PPI TR-9，“热塑性管道材料压力应用的推荐设计系数和设计系数”。用于获得这些额定值的高温持续压力测试可能不足以充分评估热塑性材料或管道的热稳定性或氧化稳定性性能。
CA-IS1200 用于电流感应的隔离放大器 - Chipanalog
参数 最小值 最大值 单位 VDD1，VDD2 电源电压 2 – 0.5 6.5 V VINP，VINN 模拟输入电压 GND1 – 6 6.5 V VOUTP，VOUTN 模拟输出电压 GND2 – 0.5 VDD2 + 0.5 3 VI IN 除电源引脚外任何引脚的输入电流 – 10 10 mA TJ 结温 150 °CT STG 存储温度 – 65 150 °C 注：1. 超出绝对最大额定值下所列的应力可能会对器件造成永久性损坏。这些仅为应力额定值，并不保证器件在这些条件下或任何其他超出建议工作条件的条件下能够正常运行。长时间暴露于绝对最大额定条件下可能会影响器件的可靠性。 2. 所有电压值均相对于本地接地端子（GND1 或 GND2），并且为峰值电压值。 3. 最大电压不得超过 6.5 V。7.2 ESD 额定值 值 单位
CS50N20 A8R
欧盟 RoHS 指令。警告 1.超过器件的最大额定值可能造成器件损坏，甚至永久性故障，影响机器的可靠性。建议在器件最大额定值的 80% 以下使用。2.安装散热器时，请注意扭矩和散热器的平稳性。3.VDMOSFET 是对静电敏感的器件，使用时必须保护器件免受静电损坏。4.本出版物由华晶微电子制作，如有定期更改，恕不另行通知。