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World File Search System高纯锗
大幅缩短高强度粘合剂的开发时间<研究成果
Harutoshi Yamada、Teruki Tsurimoto（筑波大学纯粹与应用科学研究生院）、Sirawit Pruksawan 和 Naito（筑波大学纯粹与应用科学研究生院、国家材料科学研究所）
高压电气设备检查 - 防卫省/自卫队
1. 参加者应具备的资格 (1) 参加者不得有《预算会计审计法》第70条规定的情况。此外，未成年人、被监护人或接受协助的人，即使已经取得订立合同所必需的同意，也属于同一条款内有特殊事由的情况。 （2）不属于《预算会计审计法》第七十一条规定情形的。 （3）2022、2023、2024年度防卫省竞争性投标资格（各省厅统一资格）“提供服务等”类别中被评为D级以上，且具备参加关东、甲信越地区竞争性投标资格的，或者，如果其不具备参加竞争性投标的资格，但在投标之日前已经通过竞争性投标资格审查，并在竞争性投标资格名单中登记，并被认定具备参加竞争性投标资格的。 （4）该人目前不属于防卫省长官房长官、防卫政策局局长、采购技术后勤局局长（以下称为“防卫省暂停权限”）或海上自卫队参谋长根据“设备等及服务采购暂停提名等指南”采取的暂停提名措施的对象。 (5) 与前项规定暂停指定对象者有资本或人事关系，且无意与国防部签订与其同类物品买卖、制造或承包服务契约者。 （6）目前处于暂停提名状态的人员原则上不允许进行分包。但有关部会暂停提名权机关认定确有不可避免的情况时，不在此限。
利用人工智能（AI）技术提高繁殖率
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高速、零偏置硅锗光电探测器
我们报告了在零偏压下工作的光电探测器的高速性能——零暗电流和零直流电功耗。光电流的产生是通过嵌入硅锗的硅微环谐振器中的声子辅助吸收实现的，在波长约 1180 和 1270 nm 处分别产生 0.35 和 0.043 A/W 的响应度。我们测量了 14 GHz 的 3 dB 带宽，这是迄今为止报告的零偏压环谐振光电探测器的最快带宽，比之前的工作提高了 7 倍。我们通过 TCAD 模拟探索了这种改进的来源，并得出结论：掺杂分布的优化通过限制光生载流子漂移到谐振器外周的影响，在低电场下显著缩短了有效载流子寿命。利用实验数据，我们还提取了自由载流子和声子辅助硅锗吸收系数，结果与文献数据吻合良好。还展示了在高达 150 ○ C 的温度下的高速运行。© 2021 作者。除非另有说明，否则所有文章内容均根据知识共享署名 (CC BY) 许可证获得许可 (http://creativecommons.org/licenses/by/4.0/)。https://doi.org/10.1063/5.0047037
室温下将砷原子掺入锗 (001) 表面**
摘要：锗已成为自旋电子学和量子信息应用领域中极具前景的材料，与硅相比具有显著的基本优势。然而，利用施主原子作为量子比特来制造原子级器件的努力主要集中在硅中的磷上。将磷以原子级精度定位在硅中需要进行热结合退火，但这一步骤的成功率低已被证明是阻碍其扩大到大规模器件的根本限制。本文，我们对锗 (001) 表面上的砷化氢 (AsH 3 ) 进行了全面研究。我们表明，与之前研究过的任何硅或锗上的掺杂剂前体不同，砷原子在室温下完全结合到替代表面晶格位置。我们的研究结果为下一代原子级供体设备铺平了道路，该设备将锗的优越电子特性与砷化氢/锗化学的增强特性相结合，有望扩大到大量确定性放置的量子比特。
柔性硝酸钛/锗− -tin光电探测器...
图1（a）柔性锡/GESN异质结的示意图PDS：（a-i）形成蚀刻孔阵列以促进随后的底切进程。（A-II）HF底切以释放GESN膜，然后在PET底物上进行翻转。（A-III）通过溅射锡形成矩形异质结。（A-IV）NI接触的沉积。（A-V）和（A-VI）分别通过凹形和凸弯曲固定装置应用外部单轴拉伸和压缩菌株。（b）柔性锡/GESN PD的光学图像及其在显微镜图像中放大。图1概述了柔性锡/GESN异质结PD的制造过程。准备
增值效率を高めたラトの作り方
私たちはインヒビンのモノクローナル抢夺（ AIMA ）を作制しました。この AIMAは、过排卵效果としてはインヒビンのポrikuroーナル抗体である抗血清に及びませんが、携带动物自身のFSHで卵子を発育させるために母体に优しく、 はマイルドな过排卵法です。これは相同性能の抗体が大量に作制できて、抗血清と异なり、动物からの微生物感染配配心のないクrinな试薬という利点があります。マウを用いた先行研究ではこの AIMA を投与することで子供の数が 1.4 倍に増加し、初めて安定して搬运歯动物の产子数を増やすための试薬を开発することができました注1） 。本研究ではラttoでも多くの系统で同様な效果が得られるかを検证するため、京都大学、东海大学との共同研究を行いました。 注1 ） Hasekawa ら、使用增加小鼠产仔数的抗抑制素单克隆抗体菌株及其在体内基因组编辑技术中的应用生殖生物学，2022：107（2）：605-618。 研究方法と成果
PIC 和 ePIC 平台的 3 dB OE 带宽为 110 GHz
摘要 — 我们介绍了一种 SOI 波导耦合锗光电二极管，它在 2 V 反向偏压下具有非常高的 OE -3 dB 带宽 ≥ 110 GHz。这种性能是通过一种新颖的结构实现的，即将锗夹在两个原位掺杂的硅区域之间。这种制造方法可以避免将离子注入锗，这无疑有利于带宽，因为少数载流子扩散效应受到强烈抑制。在 1550 nm (-2 V) 时实现了 >0.6 A/W 的响应度，而该器件的暗电流约为 300 nA (-2 V)。据我们所知，这是最先进的锗光电探测器，具有带宽、最先进的响应度以及中等暗电流。我们证明，这种新型光电二极管可以高产量制造。
黑锗光电探测器超越外部量子...
这是以下文章的同行评审版本：An, S., Liao, Y., Shin, S. & Kim, M. (2022)。黑锗光电探测器的外部量子效率超过 160%。Advanced Materials Technologies，7(1)，2100912‑，最终版本已在 Advanced Materials Technologies 上发表。本文可根据 Wiley 自存档版本使用条款和条件用于非商业用途。