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具有快速关断特性的单通道同步整流控制器
当同步整流管完全开启后， VDS 两端压降完全跟 随次级电流 Is 。随着次级续流电流的减小 VDS 电压升 高，当 VDS 电压增大到 -30mV 时， Gate 驱动电路的 上管供电被关断 , 驱动电压随内部电阻及漏电流开始缓 慢降低；当 VDS 电压增大到 -20mV 时， Gate 驱动电 压会被钳位在 3.3V 左右。如果 VDS 电压增大到 -1mV 时， WS2260C 会在 25ns 的时间内快速将 GATE 电压 拉到 0V 。同时，关断屏蔽时间开始计时，此期间 GATE 保持低电平。直到 VDS 电压大于 2V ，退出关断屏蔽 计时。
使用 ICL7103A/ICL8052A 构建自动量程 DMM
ICL7103A/ICL8052A A/D 转换器的基本电路保持不变。但是，需要进行一些修改以适应 100mV 参考。首先，修改参考电压分压器网络 (5.1k、1k) 以获得更高的分辨率。其次，将积分器电阻减小到 10k ，以便在 V IN = 200mV 时实现大约 8V 的积分器摆幅。第三，应使用 300k 电位器替换比较器转换网络中的 300k 固定电阻。当 V IN = 0V 时，应调整此电位器，直到显示屏读取相等间隔的正负符号。在自动归零期间，此网络将比较器输出提升至 ICL7103A 逻辑的阈值。连接在积分器电容上的两个 JFET 在严重超量程情况下保持积分器和自动归零电容的完整性。
逐步401（k）计划管理转移
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21-3：稳健，零伏，高功率锂离子...
简介军事应用所需的可充电电池面临着关键的挑战，包括在极端温度下的性能，与军事后勤工艺的兼容性，从传统电池技术中淘汰，以及COTS锂离子电池具有专用军事运营要求和遗产平台的COTS锂离子电池的兼容性不佳。为了应对这些挑战，CAMX Power已开发出来，并且是一种基于我们专有的Gemx®高性能阴极材料（许可授予L＆F Co.，Semsung SDI，LG Energy Solution和EV金属组）的商业化锂离子电池技术。这种电池技术以CELX-RC®为商标，具有高功率和快速充电能力，长寿，出色的性能和充电能力，在极高的温度下，出色的安全性，0V的排放能力和存储能力，并且可以在没有管理电子设备的电池中实现。CAMX Power正在为仍依靠诸如铅酸和镍卡德蒙等传统化学的军事应用开发CELX-RC，以及其他将受益于其能力，生活，安全性和健壮性的独特结合的应用。
2024 年年度报告
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FQIS 系列 300 安装手册 - 航空电子设备 Straubing
标称工作电压：28 V 电源电压范围：15 – 32 V 电流消耗：< 0.5A 元件精度：满量程的 ± 1%。更新率：1 秒。显示延迟：可通过引脚绑定在 10 秒 – 60 秒的范围内实现 90% 指示器响应 FQ 状态输出：集电极开路，有效燃油量信号 => 接地最大 50mA 低电平输出：集电极开路，LLS 浸没 => 接地最大 50mA。信号可定制延迟长达 30 秒。输出值延迟：可通过输出连接器内的引脚绑定选择 10 秒至 60 秒的 90% 指示。标准输出：直流电压 最多四个输出： 0V 低于范围（故障状态），0.5 至 4.5 VDC 空至满 5VDC 超出范围 可选输出： 电流：直流电流 最多四个输出： 2 mA 低于范围（故障状态） 4 至 20 mA 空至满 22 mA 超出范围 电阻传感器仿真：最多两个输出：3 至 200 Ω 频率可变信号：最多两个输出：范围为 100 Hz 至 5000Hz RS 232：9600 波特，8 位，偶校验；ARINC 429：高速和低速
18650 BMS 3S/4S 40A 60A LI-ION LITHIUM电池充电器保护板钻机11.1V 12.6V/14.8V 16.8V 16.8V增强/平衡
充电电压：DC 12.6V〜13.6V余额版本产品尺寸：41*61*4毫米增强版本产品尺寸：41*55*4mm连续充电电流：最多20A说明：连续放电当前：40A最大电流：最大耗散环境（如果热量耗散环境不好 18650, 26650, polymer lithium battery), can be drilled below 170W Note: 1: Successfully start the drill requires 3 10C-20C power batteries, or 6 5C-10C power batteries (recommended power battery models: sony vtc4, vtc4A, vtc5A, vtc6) OV and 12.6V cable, use Copper wire of 3 square millimeters or more (nickel sheets cannot be used) 2：根据图严格连接0V，4.2V，8.4V，12.6V。在焊接电线时，请勿触摸板上的任何组件。不要故意短路。3：在第一次焊接电池或进行充电时，只要单个电池超过4.2V，“ 430”电阻将加热并放电（放电到约4.19V以停止加热）。如果“ 430”电阻非常热，请检查错误的线是否连接。硬件准备：准备3S 12.6V 40A锂电池保护模块，电池，电源，高电源负载电阻
18650 BMS 3S/4S 40A 60A LI-ION LITHIUM电池充电器保护板钻机11.1V 12.6V/14.8V 16.8V 16.8V增强/平衡
充电电压：DC 12.6V〜13.6V余额版本产品尺寸：41*61*4毫米增强版本产品尺寸：41*55*4mm连续充电电流：最多20A说明：连续放电当前：40A最大电流：最大耗散环境（如果热量耗散环境不好 18650, 26650, polymer lithium battery), can be drilled below 170W Note: 1: Successfully start the drill requires 3 10C-20C power batteries, or 6 5C-10C power batteries (recommended power battery models: sony vtc4, vtc4A, vtc5A, vtc6) OV and 12.6V cable, use Copper wire of 3 square millimeters or more (nickel sheets cannot be used) 2：根据图严格连接0V，4.2V，8.4V，12.6V。在焊接电线时，请勿触摸板上的任何组件。不要故意短路。3：在第一次焊接电池或进行充电时，只要单个电池超过4.2V，“ 430”电阻将加热并放电（放电到约4.19V以停止加热）。如果“ 430”电阻非常热，请检查错误的线是否连接。硬件准备：准备3S 12.6V 40A锂电池保护模块，电池，电源，高电源负载电阻
S-8211C系列电池保护IC
P Accuracy 100 mV Discharge overcurrent detection voltage 0.05 V to 0.30 V (10 mV step) Accuracy 15 mV Load short-circuiting detection voltage 0.5 V (fixed) Accuracy 200 mV Charge overcurrent detection voltage 0.1 V (fixed) Accuracy 30 mV Detection delay times are generated only by an internal circuit (external capacitors are unnecessary).准确性20％高使用的电压（VM PIN和CO PIN：绝对最大额定值= 28 V）0V电池电荷功能“可用” /“不可用”。Div>降低功能“可用” /“不可用”。广泛的操作温度范围TA =40°C至85°C操作过程中的低电流消耗3.0 A型，5.5a最大。（ta = c 25°C）在功率下降0.2a最大。（TA = 2 25°C）无铅，SN 100％，无卤素P *3 *1。过度充电释放电压=过度充电检测电压过度充电磁滞电压（可以在50 mV步骤中选择为0 V或从0.1 V至0.4 V范围选择。*2。过度释放释放电压=过度放电检测电压chardycharge滞后电压（过度放电磁滞电压可以作为0 V或从100 mV步骤中的0.1 V至0.7 V范围选择。）*3。有关详细信息，请参阅“产品名称结构”。应用程序
背面功率和时钟布线协同优化的设计方法
背面电源传输网络 我们的 BS-PDN 结构如图 1 所示，其中 PDN 利用了几乎 100% 的 BSM 资源，将电源布线资源与正面的信号分离。A. 背面 DC-DC 转换器：片上 DC-DC 单元转换器 (UC) 提供高效转换和块级电压调节 [3]。封装寄生效应会导致不必要的 IR 压降/反弹，影响正面 (FS) 和 BS-PDN。相反，片上 UC 可以减轻封装和键合带来的压降；然而，它们的大尺寸使它们不适合 FS 集成。相比之下，背面提供了足够的空间，可以实现密集的 UC 集成而不会造成布线拥塞。B. BS-UC 的集成：我们的 4:1 背面 UC（BS-UC）将 3.3V 降至 0.7V 的片上电源电压。为了分离两个电压域，添加了两个额外的背面金属层 MB3 和 MB4（见表 I）。MB3 专用于 BS-UC 布线；MB4 用于为 BS-UC 提供 3.3V VDD 和 0V VSS 输入。图 2 显示了我们的 BS-UC 堆叠。我们的电压域去耦确保 MB4 和 MB2 层之间没有连接，从而保留了 BS-PDN 配置。对于 BS-UC 放置，我们应用了交错策略以实现紧凑性。BS-UC PDN 金属层击穿和 BS-UC 放置如图 3 所示。C. BS-UC 的好处：BS-UC 降低了最坏情况下的动态 IR 降和逐层最小电压降（见图 4）。最后，去耦策略可以实现更高的 C4/微凸块密度，而不会产生显著的电源焊盘面积开销。