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HXNV06400 64Mb 非易失性 MRAM
(1) 器件在暴露于任何指定的辐射环境时都不会闩锁。 (2) 使用 CREME96 计算，应用了威布尔参数和其他相关属性。 辐射特性 总电离剂量辐射 MRAM 辐射硬度保证 TID 水平通过 60 Co 测试（包括过量和加速退火）认证，符合 MIL-STD-883 方法 1019 标准。制造过程中的晶圆级 X 射线测试提供持续保证。 单粒子软错误率 MRAM 中包含特殊工艺、存储器单元、电路和布局设计考虑因素，以最大限度地减少重离子和质子辐射的影响并实现较小的预计 SER。可根据要求提供威布尔参数和其他相关属性，以计算其他轨道和环境的预计翻转率性能。 瞬态剂量率电离辐射 产品设计的许多方面都经过了处理，以处理与瞬态剂量率事件相关的高能级。这使得 MRAM 能够在暴露于瞬态剂量率期间和之后写入、读取和保留存储的数据
经 Charles F. Saffle 批准 微电路，存储器，数字，CMOS，2M X 32 位 (64Mb)，抗辐射，SRAM，多芯片模块
1/ 超过绝对最大额定值的应力可能会对器件造成永久性损坏。在最大水平下长时间运行可能会降低性能并影响可靠性。2/ 所有电压均以 V SS 为参考。3/ 最大施加电压不得超过 4.4 V。4/ 如果 SRAM 断电，则必须在“断电时间”内保持电源关闭状态，然后才能重新打开。5/ 此处指定的辐射特性和测试限值基于 16Mb 单芯片 SRAM 测试结果 (5962-08202/08203)。有关这些 RHA 参数和测试结果的详细信息，请联系器件制造商。6/ 基于 CREME96 结果预测的性能，该结果适用于太阳活动极小期无耀斑条件下的地球同步轨道，位于 100mil 铝屏蔽后面，使用从实际测试数据得出的威布尔参数（参见 4.4.4.4）。供应商可提供威布尔参数，用于计算其他轨道/环境（如 Adams 90% 最坏情况）的翻转率，并使用不同的翻转率计算程序（如 Space Radiation 5.0）。7/ 保证但未针对 1MeV 当量中子进行测试。
ATmegaS64M1 微控制器
Microchip 的 ATmegaS64M1 AVR ® 微控制器 (MCU) 将具有 CAN 功能的汽车领先 AVR 内核带入航空航天行业。ATmega S64M1 MCU 专为关键航空航天应用而设计，具有增强的辐射、扩展的温度和更高的可靠性。它利用了成熟的 Microchip 工具，这些工具已在全球大众市场的设计中使用。CAN 控制器、功率级控制器、ADC、DAC 和模拟比较器使 ATmegaS64M1 微控制器成为许多最常见的空间应用的绝佳选择，这些应用通常需要较小的占用空间和较低的功耗，例如电机控制和远程终端单元。