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World File Search System650V
用于 200V 和 650V 电源系统单片集成的 GaN-IC
免责声明 - 本信息按“原样”提供，不作任何陈述或保证。Imec 是 IMEC International（根据比利时法律成立的法人实体，名称为“stichting van openbaar nut”）、imec Belgium（由弗兰德政府支持的 IMEC vzw）、imec the Dutch（Stichting IMEC Nederland，由荷兰政府支持的 Holst Centre 的一部分）、imec Taiwan（IMEC Taiwan Co.）、imec China（IMEC Microelectronics (Shanghai) Co. Ltd.）、imec India（Imec India Private Limited）、imec Florida（IMEC USA 纳米电子设计中心）活动的注册商标。
IRS211(0,3)、IR211(0,3) 和 2ED2110S06M 比较
相比之下，2ED2110S06M 驱动器代表了一项重大进步，采用了使其与众不同的现代设计功能。这款新一代栅极驱动器可在更高的电压下工作，最高支持 650V，并包含一个集成自举二极管。这种集成减少了元件数量，简化了设计，并提高了空间和稳健性至关重要的应用中的可靠性。2ED2110S06M 还采用了英飞凌的薄膜绝缘硅 (SOI) 技术，该技术具有出色的抗噪性和闩锁保护功能，使其在嘈杂的环境中具有极强的弹性。更快的传播延迟（开启时缩短至 90 纳秒，关机时缩短至 100 纳秒）使该驱动器成为高速开关应用的理想选择，例如高级电机驱动器、高频逆变器和工业电源。
MOSFET 手册 2023 V1.0a
江苏杰杰微电子（又名 JJM）的汽车级 MOSFET 提供 -100V 至 650V 的击穿电压 V DS_Max。栅极源阈值电压 V GS(th) 为高电平（2.7 ~ 3.5V）或低电平（1.5 ~ 1.9V，-1.0 ~ -3.0V）。源极漏极导通电阻 R DS(ON) 低至 0.56mΩ（@ V GS = 10V）。FOM 低至 55。这些 MOSFET 通常组装在高效功率封装中，要么是小型表面贴装型，要么是传统通孔型。这些包括但不限于以下具有优异热特性的封装：PDFN3x3-8L、PDFN5x6-8L/-D、PowerJE®10x12（兼容TOLL）、PowerJE®7x8（兼容sTOLL）、TO-247-3/7L等。所有器件均按照AEC理事会和JEDEC定义的相关标准进行了长期可靠性和质量测试。
晶圆级光学制造
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