我们展示了与 InP 衬底几乎晶格匹配的低噪声随机合金 (RA) Al 0.85 Ga 0.15 AsSb(以下简称 AlGaAsSb)雪崩光电二极管 (APD)。与数字合金 (DA) 相比,RA 由于易于生长而易于制造。910 nm 厚的 RA AlGaAsSb 在 450 C 左右的低温下生长,通过抑制吸附原子的表面迁移率来减轻相分离。通过 X 射线衍射、Nomarski 和原子力显微镜图像验证了 RA AlGaAsSb 材料的高质量。电容-电压测量发现背景掺杂浓度为 6-7 10 14 cm 3,表明 RA AlGaAsSb 材料中的杂质密度非常低。电流-电压测量是在室温下黑暗条件和 455 nm 激光照射下进行的。击穿发生在 58 V 时。增益为 10 时,暗电流密度为 70 l A/cm 2 。该值比之前报道的 DA AlAs 0.56 Sb 0.44 APD [Yi 等人,Nat. Photonics 13, 683 (2019)] 低三个数量级,比 DA AlGaAsSb [Lee 等人,Appl. Phys. Lett. 118, 081106 (2021)] 低一个数量级,与 RA AlInAsSb APD [Kodati 等人,Appl. Phys. Lett. 118, 091101 (2021)] 相当。此外,测得的过量噪声显示 k(碰撞电离系数比)较低,为 0.01。这些噪声特性使 RA AlGaAsSb 倍增器适合商业应用,例如光通信和 LiDAR 系统。
Excelitas Technologies 的 C30645 和 C30662 系列 APD 是高速、大面积 lnGaAs/lnP 雪崩光电二极管。这些设备在 1100 nm 至 1700 nm 的光谱范围内提供大量子效率 (QE)、高响应度和低噪声。它们针对 1550 nm 波长进行了优化,适用于人眼安全的激光测距和 LiDAR 系统。我们的 -7 低噪声产品利用我们最近对 iii-v 晶圆生长和加工设施的重大投资,提供显著降低的噪声规格,为用户提供更好的 SNR,从而在相同激光输出功率下增加范围。这些 APD 采用密封的 TO-18 封装或陶瓷载体提供。还提供定制包装。请联系 Excelitas 进一步讨论包装细节。Excelitas 致力于为客户提供最优质的产品。 Excelitas Technologies 已通过 ISO-9001 认证,我们的部件设计符合 MIL-STD-883 和/或 MIL-STD-750 规范。所有设备均经过长时间老化和定期工艺鉴定程序,以确保高可靠性。
X射线首先是由W. Roentgen博士在德国于1895年发现的,目前已在包括物理,工业和医学诊断在内的广泛领域中使用。X射线应用的检测器范围跨越了一个广泛的范围,包括A-SI检测器,单晶检测器和复合探测器。有很多类型的检测器,特别是由SI单晶制成的。应用包括牙科X射线成像和医疗设备领域中的X射线CT(计算机断层扫描),以及对行李,食品和工业产品的无损检查;物理实验;等等。在低能X射线区域中称为软X射线区域,从几百eV到约20 keV,使用了直接检测器,例如Si Pin Photodiodes,Si APD和CCD区域图像传感器。这些检测器提供了高检测效率和高能量分辨率,因此用于X射线分析,X射线天文观察,物理实验等。由于物体的渗透效率很高,因此在工业和医疗设备中使用了高于软X射线的硬X射线区域。闪烁体检测器在这些应用中广泛使用。这些检测器使用闪烁体将X射线转换为可见光,并检测到可见光以间接检测X射线。尤其是在医学领域,使用具有较大光敏区域的X射线检测器的数字X射线方法已成为主流,取代了传统的基于胶片的方法。对于X射线探测器,Hamamatsu提供SI光电二极管,SI APD,CCD区域图像传感器和CMOS区域图像传感器,平板传感器等。在非破坏性检查中,双能量成像允许通过同时检测高能量和低能X射线来捕获深色调的图像。
世界生物精神病学联合会推荐 OLZ 作为治疗精神分裂症的一线药物。4 但 OLZ 在体内的具体作用机制尚不十分清楚。一些研究表明 OLZ 作用于多种单胺类神经递质 (NT) 的受体。5 例如,D2 受体阻滞剂常常受 APDs 的影响 6 ,并通过调节 NT 在精神分裂症中起关键作用,7 NT 是特定的内源性代谢物,在突触传递中充当“信使”,广泛分布于中枢神经系统。8 此外,代谢紊乱在精神分裂症患者中更常见,OLZ 对代谢的影响已得到广泛研究。 OLZ 的神经系统副作用发生率和锥体外系症状风险较低,但在临床治疗中有严重的代谢副作用,包括体重增加、血脂异常和胰岛素抵抗。
上面描述的模型依靠冲击电离来繁殖光电子。电子探测器包括特别是光化管(PMTS,Art,1990),电子杂货CCD(EM-CCDS,Ryan等,2021年,Plakhotnik等人,和Plakhotnik等人,2006年),Intensi ED CCDS(ICCDS),Avalanch PhotodeShents(Aval Challanch Photodes)(Apphanch and diiodies)(Apphanch and diiodies)(APPHALENTERD DIIOODES)(APPHALLENTHENTENCHENT)(APPHALENTEN), (Spads)。这些可以改善信号,但也会引入额外的噪声,即“乘法噪声”,它掩盖了光子射击噪声(Cho等,2006和Art,1990)。重要的是要注意,在这种情况下,该协议不会产生物理上正确的光子转换因子。
糖尿病梅利图斯在昆士兰州提出了重大的健康挑战,患病率上升和医疗保健系统负担的增加。3这种情况对个人,社会和医疗保健施加了巨大的成本。3,人口不断增长,糖尿病数量增加,受约束的劳动力面临着越来越大的压力。3解决这些问题并交付澳大利亚国家糖尿病战略2021-2030 4和卫生战略计划2021-2025,5确保使劳动力能够实现练习以完全范围。RNS,APD和其他相关卫生专业人员(包括盟军卫生从业人员)提供胰岛素剂量建议,促进服务提供并减轻劳动力问题,改善患者的访问,护理和结果。5-7
我想感谢我们的教育团队今年所做的所有顾问和改进。教育团队 - 教育副主席,我们的四个计划董事和助理董事,以及我们的教育人员(与我们的教育部门的Kira Baker担任管理员),以大小的方式改善了该部门对学员的教育经验。我们不断地努力使学员学习环境和经验满足整个居民的需求。我们希望确保他们以最好的外科手术和患者护理技能离开,但我们希望专注于整个人,而不仅仅是他们的技能。在大流行期间烧毁变得太真实了。我们从那个时候学到了,我们的PDS和APD将“整体”居住在我们所做的事情上。
D.1 简介……………………………………………………... D-1 D.2 测量系统………………………………………………. D-1 D.3 BPL 测量…………………………………………………... D-3 D.3.1 BPL 发射测量的背景……………………… D-3 D.3.2 沿通电电力线的 BPL 测量………. D-10 D.3.3 远离带电电力线的 BPL 测量... D-23 D.3.4 使用各种检测器测量 BPL ……………….. D-37 D.3.5 不同天线高度的 BPL 测量 ……………….. D-41 D.3.6 BPL APD 的测量 ………………………………………… D-47 D.4 幅度概率分布的背景 …………... D-50 D.5 使用噪声二极管进行增益和噪声系数校准 .................... D-59 附录 E BPL 建模输出 E.1 简介 …………………………………………………………... E-1 E.2 表格和 NEC 图 ………………………………………………... E-1 附录 F NTIA 第 2 阶段研究 BPL 部署模型 F.1 简介 ……………………………………………………... F-1 F.2 街区部署模型 …………………………………... F-1 F.3 天线覆盖区域部署模型 ………………………… F-3 F.4 区域部署模型 ………………………………………… F-4 F.4.1 区域部署模型描述 …………………………… F-5 F.4.2 家庭密度和分布 ……………………………... F-5 F.4.3 BPL 设备的密度和分布 …………………………... F-6 F.4.4 其他因素……………………………………………………. F-6 F.4.5 区域模型输出 ………………………………………………. F-9 第一卷 致谢 ………………………………………………………………........ iii 前言 …………………………………………………………………………... iv 执行摘要 ……………………………………………………………………........ v 目录 …………………………………………………………………… vi
Al 0.85 Ga 0.15 As 0.56 Sb 0.44 由于其电子和空穴电离系数之间的比率非常大,因此作为 1550 nm 低噪声短波红外 (SWIR) 雪崩光电二极管 (APD) 的材料最近引起了广泛的研究兴趣。这项工作报告了厚 Al 0.85 Ga 0.15 As 0.56 Sb 0.44 PIN 和 NIP 结构的新实验过剩噪声数据,测得的噪声在比以前报告的乘法值高得多的倍增值下(F = 2.2,M = 38)。这些结果与经典的 McIntyre 过剩噪声理论不一致,该理论高估了基于该合金报告的电离系数的预期噪声。即使添加“死区”效应也无法解释这些差异。解释观察到的低过量噪声的唯一方法是得出结论,即使在相对较低的电场下,该材料中电子和空穴碰撞电离的空间概率分布也遵循威布尔-弗雷歇分布函数。仅凭电离系数的知识已不足以预测该材料系统的过量噪声特性,因此需要提取该合金的电场相关电子和空穴电离概率分布。
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