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俄罗斯国家原子能公司 ROSATOM 2021 年业绩
1.俄罗斯原子能公司战略实施 2.核与辐射安全 3.核电行业发展前景 4.RAW 和 SNF 管理以及解决“核遗留问题” 5.北极开发 6.应急准备 7.俄罗斯原子能公司知识管理系统和知识产权保护 8.公司治理 9.俄罗斯原子能公司生产系统 (RPS) 的绩效 10.俄罗斯原子能公司新业务的发展，包括 MIC 的多元化
初始原子相干性和拉姆齐频率牵引...
在初级原子铯喷泉钟的不确定性预算中，对超精细时钟跃迁的频率牵引偏移的评估，迄今为止都是基于为铯束钟开发的方法，这种偏移是由其附近跃迁的意外激发（拉比和拉姆齐牵引）引起的。我们重新评估了喷泉钟中的这种频率牵引，并特别关注了初始相干原子态的影响。我们发现，由于亚能级粒子数不平衡和初始原子基态的状态选择超精细分量中的相应相干性，拉姆齐牵引导致的频率偏移显著增强。在原子喷泉钟中对此类偏移进行了实验研究，并证明了与模型预测的定量一致性。
抑制黑体辐射位移的原子钟
我们开发了一种非标准的原子钟概念，其中黑体辐射偏移 (BBRS) 及其温度波动可以显著抑制（抑制一到三个数量级），而与环境温度无关。抑制基于这样一个事实：在具有两个可访问时钟跃迁（频率为 ν 1 和 ν 2 ）且暴露于相同热环境的系统中，存在一个“合成”频率 ν syn ∝ ( ν 1 − ε 12 ν 2 )，该频率基本不受 BBRS 的影响。例如，对于 171 Yb +，可以创建一个时钟，其中 BBRS 可以在接近室温（300 ± 15 K）的较宽间隔内被抑制到 10 − 18 的分数水平。我们还提出了一种使用稳定在 ν 1 和 ν 2 频率的光频率梳发生器来实现我们的方法。这里频率 ν syn 作为梳状谱的组成部分之一产生，可以用作原子标准。
INFO 0608 - 国际原子能机构
该研究包括对 1989 年至 1993 年期间加拿大核电站 AECB 工作人员年度评估报告的审查、文献综述、对一些国际核电反应堆监管机构的调查、对加拿大核电站的调查以及对一些国际核电公用事业的调查。这些活动的重点是获取用于评估监管机构和公用事业安全绩效的绩效指标信息，并收集数据以在全球范围内比较加拿大的绩效指标。
摘要集 - 国际原子能机构
专业协会在国际保障有效沟通中的作用：核材料管理研究所如何支持现有和新兴的核材料管理社区......................................................................................................................................................... 41
期刊演讲：光学原子钟
○ Meyer, V. 等人。利用捕获离子进行纠缠增强旋转角度估计的实验演示。Phys. Rev. Lett. 86, 5870–5873 ( 2001 )。○ Pedrozo-Peñafiel, E. 等人。光学原子钟跃迁中的纠缠。Nature 588, 414–418 ( 2020 )。
国际原子能机构（IAEA）秘书处
2013 年 3 月 6 日，理事会以鼓掌方式再次任命现任总干事天野之弥，任期四年，自 2013 年 12 月 1 日起至 2017 年 11 月 30 日止。天野之弥总干事于 2009 年 7 月 2 日首次由原子能机构理事会选举产生。他获得了所需的三分之二多数票，成为原子能机构第五任总干事。天野之弥的对手包括南非的阿卜杜勒·萨马德·明蒂先生和西班牙的路易斯·埃查瓦里先生。在 2009 年 3 月举行的最后一轮投票中，天野之弥和明蒂成为仅剩的候选人，最终投票结果不分胜负。然而，选举任务随后落到了原子能机构大会上，该机构于 2009 年 9 月确认天野之弥为总干事，他的第一任期从 2009 年 12 月 1 日开始。
MoS2 原子片中单缺陷忆阻器的观察
非挥发性电阻开关，也称为忆阻器 1 效应，即电场改变双端器件的电阻状态，已成为高密度信息存储、计算和可重构系统 2 – 9 开发中的一个重要概念。过去十年，非挥发性电阻开关材料（如金属氧化物和固体电解质）取得了实质性进展。长期以来，人们认为漏电流会阻止在纳米薄绝缘层中观察到这种现象。然而，最近在过渡金属二硫属化物 10, 11 和六方氮化硼 12 夹层结构（也称为原子阻断器）的二维单分子层中发现的非挥发性电阻开关推翻了这种观点，并由于尺寸缩放的好处增加了一个新的材料维度 10, 13。我们在此以单层 MoS 2 为模型系统，阐明了原子片中切换机制的起源。原子成像和光谱表明，金属取代硫空位会导致电阻发生非挥发性变化，这得到了缺陷结构和电子状态计算研究的证实。这些发现提供了对非挥发性切换的原子理解，并开辟了精确缺陷工程的新方向，精确到单个缺陷，朝着实现最小的忆阻器的方向发展，以应用于超密集存储器、神经形态计算和射频通信系统 2、3、11。通过结合扫描隧道显微镜/扫描隧道光谱 (STM/STS) 和局部传输研究，我们观察到硫空位（MoS 2 单层中的主要缺陷）在其天然形式下不起低电阻路径的作用，这与金属氧化物存储器中氧空位的影响形成鲜明对比。 然而，从底部或顶部电极迁移的金属离子（例如金离子）可以取代硫空位，产生导电的局部态密度 (LDOS)，从而驱动原子片进入低阻状态。 在反向电场下去除金原子后，缺陷恢复其初始空位结构，系统返回到高阻状态。 这种导电点切换机制类似于在原子级上形成导电桥存储器 14。然而，它本质上是不同的，也是独一无二的，因为单个金属离子填充了晶格中的单个空位，而不是通过高度无序的材料形成金属桥。我们发现硫空位在 2 纳米间距处稳定，导致忆阻器密度约为每 1 个单位