从理论上讲,可以通过应用D-Wave Altermagnetism,可以在二维Z 2拓扑内硫酸(即Kane-Mele模型)中诱导Chern数字可调量子异常霍尔效应(QAHE)和二阶拓扑绝缘子。当Altermagentism的N´Eel向量位于X-Y平面中时,Z 2 Ti被损坏并驱动到二阶拓扑绝缘体阶段,在Nano akes上显示了代表性的角状态。当进一步包括固有的rashba自旋轨道耦合时,二阶Ti被进一步驱动到Qahe阶段,具有各种Chern数字(例如C =±1或±3)。当n´eel向量沿z方向时,固有的rashba旋转轨道耦合对于打破镜像对称性是必要的,以使二阶Ti和Qahe的顺序出现以及增加的异端力强度的提高。我们还观察了混合手续的Qahe,即存在反传播的边缘模式,但在色带边界处存在净手性电流。我们的作品表明,Altermagnetism在探索各种各样的拓扑阶段中起着至关重要的作用,就像其铁磁性和反铁磁性一样。
altermagnetism是凝结物理学中的新兴领域。理论上已经考虑了这个新的磁相,然后在实验上观察到。无净磁化和旋转依赖的电子带结构的组合使Altermagnets吸引了候选者,用于在诸如Spintronics和超导率等领域的应用。通过数值考虑,预计Altermagnets的自旋绑带敏感性将显示在(ω,⃗Q)空间中的分裂,而抗fiferromagnets并未显示。已建议使用Inelastic中子光谱探测这种分裂,以作为检测Altermagnetic材料的实验程序。在本论文中,我们分析研究了非交互式Altermagnetic电子气体的简单最小模型的旋转可测量。表达式,并通过数值考虑和与已知限制病例的比较进行了验证。然后,讨论了与所考虑的敏感性相关的单粒子激发光谱。最后,提出了进一步的分析考虑,例如电子电子相互作用。
尽管没有净磁化,但一种被称为Altermagnet的抗铁磁体(称为Altermagnets)表现出一种非偏见的自旋切割带结构,让人联想到𝑑波超导体。这种独特的特征可以在低温杂散的无磁场内存设备中利用,从而提供了达到高存储密度的可能性。我们在这里确定近端altermagnet如何影响常规the -thave单重管超导体的临界温度𝑇。考虑到双层和三层,我们表明这种杂交结构可以用作流浪场的自由记忆设备,通过旋转一个Altermagnet的néel矢量来控制临界温度,从而提供无限的磁磁性。此外,我们的研究表明,Altermagnetism可以与超导性共存,直至Altermagnetic Order的临界强度,以及对非磁性障碍的传导电子对传导电子的影响的鲁棒性,从而确保在现实实验性的实验条件下对近亲的持久性。
有限摩托车配对是一种非常规的超导性形式,被普遍认为需要有限的磁化。altermagnetism是一种新兴的磁相,具有高度各向异性的特定对称性旋转旋转,但净磁力为零。在这里,我们研究了与常规S波超导体相关的金属altermagnets中的库珀配对。值得注意的是,尽管系统中的净磁化为零,但在Altermagnets中引起的库珀对获得了有限的质量势。这种异常的库珀对动量在很大程度上取决于传播方向,并表现出异常的对称模式。此外,它产生了几个独特的特征:(i)高度取决于顺序参数中的振荡,(ii)在约瑟夫森超流量中可控的0-π跃迁,(iii)大型cooper-angle-angle cooper-pair-pair-pair-pair pair toptories在连接中的旋转范围与串联的串联(vanist and)的旋转(ii iv)的旋转相似的方向相平行(iv)方向。最后,我们讨论了我们在候选材料(例如RUO 2和KRU 4 O 8)中的预测实施。
对RUO 2的基础研究始于60年前,当时它被确定为高度金属的氧化物[1-3]。 其化学稳定性和直接合成意味着它迅速发现应用是精度电阻的组成部分,并且早期也被鉴定为用于半导体设备的潜在屏障材料[4]。 在过去的二十年中,它已经看到了作为催化剂的兴趣[5],以及可能的应用作为锂储存材料[6]。 在过去的几年中,实验和理论工作表明,即使是如此简单且众所周知的材料也可以容纳物质的外来状态。 ruo 2已成为一种候选材料,该材料托有altermagnetism,在该状态下,由于磁性和晶体lattices的不同符号,共线抗磁性排序也破坏了时间逆转对称性[7]。 但是,该系统中的磁有序并未得到很大的观察。 单晶体上的中子散射测量值检测到通常在金红石结构中禁止的磁反射,该反射在金红石结构中被禁止,该磁反射约为1000k [8]。 谐振X射线散射[9]随后在晶体和薄膜上都进行了类似的观察。 此后,依赖于时间逆向对称性破坏的异常特性在RUO 2的薄膜中观察到,包括自旋转运[10,11],磁性菌群二科运动[12]和异常的霍尔效应(AHE)[13]。 自旋分辨光发射[14]还发现了al术状态预期的D-波对称性。 最近的争议在参考文献中得到了很好的总结。对RUO 2的基础研究始于60年前,当时它被确定为高度金属的氧化物[1-3]。其化学稳定性和直接合成意味着它迅速发现应用是精度电阻的组成部分,并且早期也被鉴定为用于半导体设备的潜在屏障材料[4]。在过去的二十年中,它已经看到了作为催化剂的兴趣[5],以及可能的应用作为锂储存材料[6]。实验和理论工作表明,即使是如此简单且众所周知的材料也可以容纳物质的外来状态。ruo 2已成为一种候选材料,该材料托有altermagnetism,在该状态下,由于磁性和晶体lattices的不同符号,共线抗磁性排序也破坏了时间逆转对称性[7]。但是,该系统中的磁有序并未得到很大的观察。单晶体上的中子散射测量值检测到通常在金红石结构中禁止的磁反射,该反射在金红石结构中被禁止,该磁反射约为1000k [8]。谐振X射线散射[9]随后在晶体和薄膜上都进行了类似的观察。依赖于时间逆向对称性破坏的异常特性在RUO 2的薄膜中观察到,包括自旋转运[10,11],磁性菌群二科运动[12]和异常的霍尔效应(AHE)[13]。自旋分辨光发射[14]还发现了al术状态预期的D-波对称性。最近的争议在参考文献中得到了很好的总结。似乎有大量的Altermagnetic效应观察到有关磁性的某些原始观察结果,尤其是在散装晶体中的问题[15,16]。muon光谱法通常对局部力矩非常敏感,在散装RUO 2中没有磁性[17]。16的计算提出了一个假设,即仅在化学计量材料被孔掺杂时才出现RUO 2中的Altermagnitism。非常清楚,尽管众所周知,但在应用磁场中,RUO 2的散装特性的研究相对较少。在本文中,我们介绍了
最近发现的Altermagnetic材料中的超导性具有针对基本物理和技术应用的巨大前景。在这项工作中,我们表明,Altermagnets中的特征性旋转sublattice锁定对可能的超导配对构成了严格的限制。尤其是我们发现,超导性,均匀的s波旋转 - 单琴配对的最常见形式是在altermagnet中无法实现的。考虑到平方晶格上A d x 2 -y 2-波动altermagnet的有效模型,我们发现最有可能的自旋 - 单词配对的形式具有d x 2 -y 2-或扩展的S波对称性。我们还发现,不允许使用相等的三重态P波配对的最简单形式,但只能以混合旋转三键p波状状态存在。我们在相互作用诱导的Altermagnetism模型中验证了这些限制,在该模型中,我们还建立了它们的有限摩托符合配对的有效性。此外,我们讨论了奇数超导配对的可能的配对对称性。由于我们的结果的普遍性,它们适用于固有的超导性和接近性诱导的超导性超导性的超导性。
磁铁最近根据对称转换分为三种类型:铁磁铁(FM),抗铁磁铁(AFM)和Altermagnets(AM)[1-3]。铁磁体或铁磁铁(包括luttinger补偿的铁磁铁,请参见参考资料[2])表现出净磁性,这打破了电子结构中的时间反转对称性。另一方面,抗铁磁铁表现出相反的自旋sublattices,并通过翻译和 /或inver-sion,对称转换,导致时间反向对称能带和零磁化。相反,在altermagnets中,相反的旋转均匀旋转与对称操作(如在AFM中,但在FM中为不相反),这些操作不是反转或翻译,导致时间逆转的对称性对称性的损坏的损坏的电子结构与均值和动量空间的交替旋转和零元素化元素和零元素的交替[1] (如FM,但不在AFM中)。自旋分裂带破坏了时间逆转对称性,如FM中,但在AFM中不违反。此外,交替的自旋分裂遵循D-,G-或I波对称性,该对称性与FM中自旋分裂的对称性不同。可以在球形谐波中扩展这种在动量空间中的交替自旋极化(与非常规的超导二极管理论所做的几乎一样),并且根据基础对称性,可以表现出D-,G-,G-或I-Wave磁性密度为2,4或6 Spine-4或6 Spin spine-nodeal Nodal nodal nodal surfaces [1] [1] [1]。非常明显地,预测了许多与Altermagnetism相关的异常效应。1,超出了这项工作的范围。它们具有反常的大厅效应[4,6],晶体磁臂Kerr效应[5,7,8],大型非差异旋转分裂[4,9,10],自旋旋转的纵向和横向电流和横向电流[11-13] [11-13],巨型和隧道磁力磁盘[13,14],非术语[16],topitigy tocient [15] [15] [15] [15] [15] [15] [15] [15] [15] [15],[15]配对[17],各向异性Andreev反射[18],非常规的约瑟夫森效应[19],镁旋转裂解[20],手工有序的mul-tip tip [16,21],无单位的三胞胎超导性,并与平均抑制和抑制的次数相结合的阶参数的顺序进行了consectional superfective and-consuctor consuctor consuctor consuctal in Interface。altermagnetism在多种材料家族中可以找到对于研究其在旋转型,物质,超导性或半导体电子中的相关状态中的应用至关重要的(另请参见《透视文章》中的参考文献综合列表[3])。二次动量依赖性自旋分裂[23]。到目前为止,已经确定了几种候选材料,但是在每种情况下,它都是通过手动检查对称性操作和 /或计算带结构并验证其自旋分解的。此外,由于后一个测试无法区分AM和补偿FM,因此在这方面存在相当大的构造[24]。这项工作旨在创建一个程序(和图书馆),该程序采用晶体结构和磁性模式,并决定它是抗铁磁磁性还是抗铁磁性(排除铁磁材料是微不足道的)。用户请求的输入是有关晶体结构(支持各种晶体结构格式)和磁性模式的信息。请注意,如参考资料所建议的,将给定的Altermagnet进一步分类为十个类之一。