altermagnets表现出大型电子自旋分裂,这可以理解,这是由于巡回电子和局部旋转之间的强耦合所致。我们使用强耦合Eliashberg理论来考虑由于电子磁通散射而引起的超导性,以捕获弱耦合方法不涵盖的多体效应。altermagnets的特征带结构对电子表面的电子散射的自旋结构施加了重大约束。与涉及单个木元素的常规自旋流动过程相比,我们强调了自旋保护,双粘液散射过程的作用。然后,我们在双粘液散射介导自旋极化的库珀对的情况下得出EliAshberg方程,而双粘液和单磁散射都会有助于多体效应。这些多体效应可能具有与传统自旋过程介导超导性的系统明显不同的方式。为了强调d波磁性对替代磁体超导性的作用,我们将我们的结果与铁磁半金属和常规抗磁力金属中发现的结果进行了比较。
补偿磁铁的物理学:抗铁磁铁,磁磁补偿的铁磁铁和合成反铁磁铁非常丰富,有时是独一无二的和出乎意料的。补偿磁铁中允许的新效果类型包括:超快(THZ)动力学,伪粘合元素,(自我)补偿的天空,交错的拓扑结构以及与自旋极化三胞胎超导性的兼容性。因此,补偿磁铁的使用构成了开发新的旋转组件的范式转移,超出了传统的铁磁体的可能性。这个特殊的收藏品为读者提供了最新的材料开发项目,探讨了尖端的基本物理和有希望的补偿磁铁应用。可以将其分为七个主题组,每个组都处理该学科的当前和快速增长的分支。
altermagnetism是与抗铁磁体和铁磁体的新阶段,该阶段的新阶段与抗铁磁铁和铁磁体相似性,由于其方向依赖性磁性,引入了一种新的指导原理,用于Spintronic/Spintronic/Thermoelectric应用。实现对设备设计的利用Altermagnetism的承诺取决于识别具有可调传输特性的材料。迄今为止,对固有的altermagnets的搜索集中在各向异性在晶体学对称和带结构中的作用。在这里,我们提出了一种不同的机制,该机制通过利用范·霍夫(Van Hove)奇异性的存在来实现哈伯德局部排斥与巡回磁性之间的相互作用来实现这一目标。我们表明,Altermagnetism在广泛的相互作用和掺杂范围内是稳定的,并且我们专注于自旋荷利转化率的可调性。
最近引入了称为Altermagnets(AM)的磁性材料具有零净磁化,但具有依赖动量的磁交换场,当与超导性结合使用时,它可能具有有趣的含义。在我们的工作中,我们使用准经典框架来研究这种材料对AM/S BiLayer中常规超导体的影响。我们讨论了AM/s的超导相图和热容量,同时与铁磁性 - 螺旋体双层比较进行了比较。此外,我们检查了状态的密度并分析系统对外部磁场的响应。我们通过考虑在平面内和平面外方向上的外部场来说明自旋敏感性和AM/S磁化的各向异性,从而促进了AM/S杂种系统中AM的实验检测范围和表征的范围。
尽管没有净磁化,但一种被称为Altermagnet的抗铁磁体(称为Altermagnets)表现出一种非偏见的自旋切割带结构,让人联想到𝑑波超导体。这种独特的特征可以在低温杂散的无磁场内存设备中利用,从而提供了达到高存储密度的可能性。我们在这里确定近端altermagnet如何影响常规the -thave单重管超导体的临界温度𝑇。考虑到双层和三层,我们表明这种杂交结构可以用作流浪场的自由记忆设备,通过旋转一个Altermagnet的néel矢量来控制临界温度,从而提供无限的磁磁性。此外,我们的研究表明,Altermagnetism可以与超导性共存,直至Altermagnetic Order的临界强度,以及对非磁性障碍的传导电子对传导电子的影响的鲁棒性,从而确保在现实实验性的实验条件下对近亲的持久性。
altermagnets(AMS)是一类新的磁性材料,结合了铁磁体和抗铁磁铁的受益旋转特性,最近引起了极大的关注。在这里,我们已经确定了分层的插入过渡金属二苯甲管中的altermagnetism,conb 4 se 8,它用NBSE 2层之间的插入式CO原子的有序sublattice结晶。单晶合成,并使用单晶衍射和扫描隧道显微镜进行结构表征。磁性测量结果揭示了168 K的易于轴抗铁磁性。密度功能理论(DFT)计算表明,具有易于轴旋转方向的A型抗反磁性排序是基态,通过单晶中子衍射实验验证了基态。电子带结构在此磁态显示自旋切割带中,证实了该化合物中的altermagnetism。Conb 4 Se 8的分层结构提出了一个有前途的平台,用于测试与Altermagnetism相关的各种预测属性。
平面约瑟夫森连接是工程拓扑超导性的关键,但受到面内磁场引起的轨道效应的严重阻碍。在这项工作中,我们通过利用固有的自旋极化带和零净磁化属性来介绍通用的拓扑结构约瑟夫森连接(TAJJS)。我们提出的tajjs有效地减轻了有害的轨道效应,同时在交界处的两端稳健地托管Majorana末端模式(MEMS)。具体而言,我们证明了d x 2 -y 2 -wave tajjs中的mems出现,但在d xy波构型中消失了,从而确立了altermagnet的晶体学方向角度θ作为拓扑的新控制参数。MEMS的独特自旋极化为自旋分辨测量提供了明确的实验特征。此外,通过利用D x 2 -y 2 - y 2波altermagnet之间的协同作用及其超导对应物,我们的建议自然而然地扩展到高t c平台。总的来说,这项工作将Altermagnets建立为实现拓扑超导性的多功能范式,桥接概念创新,具有可伸缩的量子体系结构,这些量子架构没有轨道效应和流浪场。
最近发现的Altermagnetic材料中的超导性具有针对基本物理和技术应用的巨大前景。在这项工作中,我们表明,Altermagnets中的特征性旋转sublattice锁定对可能的超导配对构成了严格的限制。尤其是我们发现,超导性,均匀的s波旋转 - 单琴配对的最常见形式是在altermagnet中无法实现的。考虑到平方晶格上A d x 2 -y 2-波动altermagnet的有效模型,我们发现最有可能的自旋 - 单词配对的形式具有d x 2 -y 2-或扩展的S波对称性。我们还发现,不允许使用相等的三重态P波配对的最简单形式,但只能以混合旋转三键p波状状态存在。我们在相互作用诱导的Altermagnetism模型中验证了这些限制,在该模型中,我们还建立了它们的有限摩托符合配对的有效性。此外,我们讨论了奇数超导配对的可能的配对对称性。由于我们的结果的普遍性,它们适用于固有的超导性和接近性诱导的超导性超导性的超导性。
磁铁最近根据对称转换分为三种类型:铁磁铁(FM),抗铁磁铁(AFM)和Altermagnets(AM)[1-3]。铁磁体或铁磁铁(包括luttinger补偿的铁磁铁,请参见参考资料[2])表现出净磁性,这打破了电子结构中的时间反转对称性。另一方面,抗铁磁铁表现出相反的自旋sublattices,并通过翻译和 /或inver-sion,对称转换,导致时间反向对称能带和零磁化。相反,在altermagnets中,相反的旋转均匀旋转与对称操作(如在AFM中,但在FM中为不相反),这些操作不是反转或翻译,导致时间逆转的对称性对称性的损坏的损坏的电子结构与均值和动量空间的交替旋转和零元素化元素和零元素的交替[1] (如FM,但不在AFM中)。自旋分裂带破坏了时间逆转对称性,如FM中,但在AFM中不违反。此外,交替的自旋分裂遵循D-,G-或I波对称性,该对称性与FM中自旋分裂的对称性不同。可以在球形谐波中扩展这种在动量空间中的交替自旋极化(与非常规的超导二极管理论所做的几乎一样),并且根据基础对称性,可以表现出D-,G-,G-或I-Wave磁性密度为2,4或6 Spine-4或6 Spin spine-nodeal Nodal nodal nodal surfaces [1] [1] [1]。非常明显地,预测了许多与Altermagnetism相关的异常效应。1,超出了这项工作的范围。它们具有反常的大厅效应[4,6],晶体磁臂Kerr效应[5,7,8],大型非差异旋转分裂[4,9,10],自旋旋转的纵向和横向电流和横向电流[11-13] [11-13],巨型和隧道磁力磁盘[13,14],非术语[16],topitigy tocient [15] [15] [15] [15] [15] [15] [15] [15] [15] [15],[15]配对[17],各向异性Andreev反射[18],非常规的约瑟夫森效应[19],镁旋转裂解[20],手工有序的mul-tip tip [16,21],无单位的三胞胎超导性,并与平均抑制和抑制的次数相结合的阶参数的顺序进行了consectional superfective and-consuctor consuctor consuctor consuctal in Interface。altermagnetism在多种材料家族中可以找到对于研究其在旋转型,物质,超导性或半导体电子中的相关状态中的应用至关重要的(另请参见《透视文章》中的参考文献综合列表[3])。二次动量依赖性自旋分裂[23]。到目前为止,已经确定了几种候选材料,但是在每种情况下,它都是通过手动检查对称性操作和 /或计算带结构并验证其自旋分解的。此外,由于后一个测试无法区分AM和补偿FM,因此在这方面存在相当大的构造[24]。这项工作旨在创建一个程序(和图书馆),该程序采用晶体结构和磁性模式,并决定它是抗铁磁磁性还是抗铁磁性(排除铁磁材料是微不足道的)。用户请求的输入是有关晶体结构(支持各种晶体结构格式)和磁性模式的信息。请注意,如参考资料所建议的,将给定的Altermagnet进一步分类为十个类之一。
1。I. Tsiapkinis,IKZ柏林,带开源软件的浮动区域过程的多物理模拟2。C. Rhode,Ikz Berlin,用于应变工程功能氧化物层的己酸盐底层晶体的生长和研究3.F. Kannemann,Ikz Berlin,熔融4的有机晶体生长的实验研究。N. sahsuvar,Uni Freiburg,全无机CS 2 Agbibr的合成和表征6双钙钛矿单晶用于辐射检测器应用5。C. Hartmann,Ikz Berlin,散装ALN晶体的生长具有有效的直径和表征25 mm Aln底物的表征6。L. Grieger,Freiberg Instruments,使用表面光伏特光谱研究7.R. Karhu,IISB Erlangen,4H-SIC A-Plane底物上的同性恋8。P. Wimmer,IISB Erlangen,4H-SIC底物中残留应力的光弹性测量用于评估晶体生长过程9.M. Zenk,IISB Erlangen,对气体组成和流速的影响以及动力学参数对Gan Boules HVPE生长期间生长速率的影响。V. Zimmermann,MPI Stuttgart,Prnio的高压光浮动带3单晶11。A.Böhmer,Uni Bochum,单晶的生长和跨金属化合物的表征,作为学士学位和硕士学生的高级实验室课程12.J. Strahl,Uni Frankfurt,Eumn 2 x 2,x = Si,ge 13。F. Walther,M。Ocker,Uni Frankfurt,材料的晶体生长接近关键端点和Altermagnets 14。S.