HOT nAILES 旨在支持多个传统数字模块化无线电 (DMR) 模拟信道以及下一代 DMR 数字接口,提供更高性能、更小尺寸、重量和功率 (SWaP) 外形尺寸以及可扩展的频率覆盖范围,从 1.5 MHz 到 3 GHz。它还能够在不同的动态功率水平以及由于长期可靠性/可支持性/可维护性、老化和温度而变化的情况下保持高性能,同时支持跳频。HOT nAILES 提供的低热足迹和热密度将因较低的结温而显着提高可靠性。HOT nAILES 的线路可更换、基于单元的架构可实现可扩展性、可复制性和低维护成本 未来
HOT nAILES 旨在支持多个传统数字模块化无线电 (DMR) 模拟信道以及下一代 DMR 数字接口,提供更高性能、更小尺寸、重量和功率 (SWaP) 外形尺寸以及可扩展的频率覆盖范围,从 1.5 MHz 到 3 GHz。它还能够在不同的动态功率水平以及由于长期可靠性/可支持性/可维护性、老化和温度而变化的情况下保持高性能,同时支持跳频。HOT nAILES 提供的低热足迹和热密度将因较低的结温而显着提高可靠性。HOT nAILES 的线路可更换、基于单元的架构可实现可扩展性、可复制性和低维护成本 未来
i. 施加负栅极电压 (-8 V) 以确保所有器件均已关闭 ii. 将漏极偏压升高至约 10 V iii. 逐渐增加栅极偏压电压,同时监测漏极电流,直到达到工作电流的 20% iv. 将漏极升高至工作偏压 v. 逐渐增加栅极偏压电压,同时监测漏极电流,直到达到工作电流 e. 要安全地对 GaN 器件进行去偏压,请先对输出放大器级进行去偏压(如果适用):
初步信息:本文档中包含的数据描述了处于开发采样或预生产阶段的新产品,仅供参考。诺斯罗普·格鲁曼保留更改适用于本产品的特性数据和其他规格的权利,恕不另行通知。本数据表所代表的产品受美国出口法(EAR 法规中规定)的约束。
初步信息:本文档中包含的数据描述了处于开发采样或预生产阶段的新产品,仅供参考。诺斯罗普·格鲁曼公司保留更改适用于本产品的特性数据和其他规格的权利,恕不另行通知。本数据表所代表的产品受美国出口法,包含 EAR 法规
推荐组装说明 1. 旁路电容应为 100 pF(大约)陶瓷(单层),放置位置距放大器不超过 30 mil。 2. 在输入和输出上使用 <10 mil(长)x 3 x 0.5 mil 的带状线可获得最佳性能。 3. 必须按照指示从两侧偏置部件。 4. 如果漏极电源线干净,则不需要 0.1uF、50V 电容器。 如果要使用设备的漏极脉冲,请勿使用 0.1uF、50V 电容器。 安装过程
频率 GHz S11 角度 S11 角度 S21 角度 S21 角度 S12 角度 S12 角度 S12 角度 S22 角度 S22 角度 27.0 0.062 -129.237 0.551 90.459 0.010 177.923 0.116 160.920 27.5 0.077 -125.081 0.649 76.292 0.005 -126.794 0.113 141.866 28.0 0.089 -124.663 0.761 61.180 0.007 171.615 0.114 139.036 28.5 0.106 -125.311 0.902 45.683 0.007 -17.647 0.107 126.936 29.0 0.117 -130.964 1.065 29.516 0.017 67.959 0.070 111.208 29.5 0.128 -130.821 1.249 12.396 0.006 -1.088 0.062 103.935 30.0 0.143 -136.975 1.476 -4.753 0.009 -8.184 0.049 96.472 30.5 0.149 -142.520 1.751 -22.671 0.009 -29.238 0.039 86.803 31.0 0.154 -145.023 2.077 -41.829 0.012 61.068 0.036 90.848 31.5 0.163 -149.449 2.479 -61.162 0.022 -38.946 0.022 90.737 32.0 0.157 -158.027 3.009 -81.541 0.009 -39.383 0.042 68.986 32.5 0.156 -156.492 3.673 -104.231 0.010 -36.304 0.076 44.451 33.0 0.175 -166.626 4.510 -129.040 0.008 -38.664 0.097 24.045 33.5 0.158 -169.736 5.423 -157.652 0.005 -73.290 0.166 -7.068 34.0 0.171 -172.923 6.199 171.300 0.009 170.415 0.206 -33.959 34.5 0.170 -179.975 6.789 138.762 0.007 162.191 0.287 -57.177 35.0 0.163 170.699 6.843 104.802 0.005 -44.847 0.285 -88.319 35.5 0.133 159.436 6.597 72.388 0.002 -169.966 0.288 -114.610 36.0 0.099 160.157 5.923 41.110 0.002 -152.664 0.200 -131.942 36.5 0.096 176.977 5.214 11.642 0.019 97.367 0.148 -151.591 37.0 0.097 174.694 4.457 -14.876 0.007 -64.029 0.135 -143.436 37.5 0.098 173.890 3.794 -39.019 0.013 90.975 0.101 -140.993 38.0 0.103 170.171 3.254 -62.351 0.001 -124.170 0.109 -124.125 38.5 0.091 163.837 2.792 -84.302 0.005 53.455 0.104 -119.409 39.0 0.080 159.494 2.428 -105.377 0.016 25.244 0.108 -120.721 39.5 0.053 165.906 2.147 -125.734 0.013 15.571 0.127 -126.500 40.0 0.050 -166.535 1.912 -146.866 0.015 -40.561 0.116 -140.360 40.5 0.056 -156.522 1.704 -167.600 0.017 117.350 0.145 -129.641 41.0 0.084 -150.528 1.553 171.997 0.019 73.426 0.146 -138.203 41.5 0.106 -158.190 1.443 150.600 0.005 -23.626 0.184 -133.685 42.0 0.121 -168.906 1.381 127.874 0.008 72.289 0.201 -139.224 42.5 0.133 169.169 1.348 100.131 0.006 126.788 0.188 -141.730 43.0 0.105 162.178 1.254 66.104 0.023 165.530 0.197 -136.312
摘要:低噪声放大器(LNA)在射频接收机前端中起着重要作用,其主要作用是放大来自地面噪声的微弱接收信号,并提高接收机的灵敏度。对于工作在高于S波段频率的LNA,迄今为止,大多数设计都使用具有高成本基板材料的印刷电路板(PCB),从而增加了整个接收单元的总价格。本文介绍了一种新方法,即使用FR-4材料(PCB制造中常见的低成本基板)设计LNA。与使用高成本材料基板设计的LNA相比,所提出的LNA将保持所有重要参数(例如增益,噪声系数)的质量。使用阶梯式阻抗匹配技术来达到电路尺寸和效率之间的平衡。所提出的LNA的频率范围位于X波段,该范围适合军用雷达应用。此外,还可以将所需的 LNA 应用于低地球轨道 (LEO) 地球观测卫星系统的地面站接收器前端。关键词:低噪声放大器、LNA、FR-4、雷达、X 波段、接收器前端。*
摘要 — 介绍了一种用于 300 GHz 左右高速通信的宽带三级伪差分 SiGe 互连双极晶体管 (HBT) 功率放大器 (PA)。该放大器采用实验性的 130 nm SiGe BiCMOS 技术制造,ft / f max 为 470/650 GHz。建议使用非对称耦合线变压器在所有放大器接口处进行器件电抗补偿,以促进宽带阻抗变换。该放大器的最大小信号功率增益为 23.0 dB,P sat /OP 1 dB 分别高达 9.7/6.7 dBm。它在小信号操作中显示 63 GHz(239-302 GHz)的 3-dB 带宽,在饱和时显示 94 GHz(223-317 GHz)的 3-dB 带宽。该放大器在 3 V 电源电压下消耗大约 360 mW,在 260 GHz 时产生 1.95% 的峰值功率附加效率 (PAE)。
(GPIO) 提供多种控制和通信功能。SPI 可以扩展以与更多设备通信,仅使用四个 ISO 耦合器即可支持隔离。PGA280 采用 TSSOP- 24 封装,额定温度范围为 –40°C 至 +105°C。有关所有可用封装,请参阅数据表末尾的封装选项附录。