Narayan B博士DIP Narayan Ashwath。(EI&CE),B.E。(E&CE),M.Tech(纳米技术),博士学位(纳米技术)#12,5 The Rogops,布局:+91 8553969994
T1。 研讨会,“有效机器学习硬件的模拟计算技术和电路”,《技术与电路》的VLSI研讨会,2020年6月T2。 “使用双向记忆延迟线进行节能边缘计算的全数字时域CNN发动机”硅实验室,奥斯汀,德克萨斯州,2019年11月,T3。 邀请了Talk,“使用RRAM和Selector作为技术辅助的高密度非挥发性SRAM”,IEEE非挥发记忆技术研讨会(NVMTS),北卡罗来纳州达勒姆,2019年10月,T4。 “使用双向内存延迟线进行节能边缘计算,北卡罗来纳州罗利市高通公司,2019年10月,T5。 主题演讲“高级CMO中的能源有效嵌入式记忆:趋势和前景”,VLSI设计与测试会议,印度技术研究院(IIT),印度印度印度印度印度,2019年7月,T6。 邀请谈话“高级CMO中的嵌入式记忆:ML/AI加速器的趋势和机遇”,印度理工学院(IIT)孟买,印度,2019年7月,T7。 “高级CMO中的嵌入式记忆:ML/AI加速器的趋势和机会”,印度班加罗尔的三星研发研究所,2019年7月,T8。 “高级CMO中的嵌入式记忆:趋势和前景”,印度高通班加罗尔,2019年7月T9。 “高级CMO中的嵌入式记忆:ML/AI加速器中的趋势和机遇”,印度班加罗尔,2019年7月,T10。 邀请演讲“高级CMO中的嵌入式记忆:ML/AI 中的趋势和机会T1。研讨会,“有效机器学习硬件的模拟计算技术和电路”,《技术与电路》的VLSI研讨会,2020年6月T2。“使用双向记忆延迟线进行节能边缘计算的全数字时域CNN发动机”硅实验室,奥斯汀,德克萨斯州,2019年11月,T3。邀请了Talk,“使用RRAM和Selector作为技术辅助的高密度非挥发性SRAM”,IEEE非挥发记忆技术研讨会(NVMTS),北卡罗来纳州达勒姆,2019年10月,T4。“使用双向内存延迟线进行节能边缘计算,北卡罗来纳州罗利市高通公司,2019年10月,T5。主题演讲“高级CMO中的能源有效嵌入式记忆:趋势和前景”,VLSI设计与测试会议,印度技术研究院(IIT),印度印度印度印度印度,2019年7月,T6。邀请谈话“高级CMO中的嵌入式记忆:ML/AI加速器的趋势和机遇”,印度理工学院(IIT)孟买,印度,2019年7月,T7。“高级CMO中的嵌入式记忆:ML/AI加速器的趋势和机会”,印度班加罗尔的三星研发研究所,2019年7月,T8。“高级CMO中的嵌入式记忆:趋势和前景”,印度高通班加罗尔,2019年7月T9。“高级CMO中的嵌入式记忆:ML/AI加速器中的趋势和机遇”,印度班加罗尔,2019年7月,T10。邀请演讲“高级CMO中的嵌入式记忆:ML/AI
1个新加坡Nanyang Avenue 639798的Nanyang Technological University的计算机科学与工程学院; Arumugam004@e.ntu.edu.sg 2社会科学学院(SSS),Nanyang Technological University,新加坡639818,新加坡; bhattacharya.sagarika7@gmail.com(S.B. ); annabelchen@ntu.edu.sg(S.H.A.C.) 3 Nanyang Technological University,新加坡637460的Nanyang Technology University的研究与开发中心,新加坡4神经影像学和介入放射学系,国家心理健康与神经科学研究所,印度班加罗尔560029,印度班加罗尔560029; drroseedawn@nimhans.kar.nic.in 5 560029,班加罗尔560029,美国心理健康与神经科学研究所神经生理学系; kaviudupa.nimhans@nic.in 6美国马里兰州巴尔的摩约翰·霍普金斯大学医学院; koishi@mri.jhu.edu(k.o. ); jdesmon2@jhmi.edu(J.E.D。) 7 Nanyang Technological University,新加坡637553,新加坡8号Nanyang Technology University,Nanyang Technitute of Nanyang Technological University,新加坡637553,新加坡 *通讯 *通讯:Rajankashyap6@gmail.com(R.K.) ctguan@ntu.edu.sg(c.g.) †高级作家。 ‡同等贡献。1个新加坡Nanyang Avenue 639798的Nanyang Technological University的计算机科学与工程学院; Arumugam004@e.ntu.edu.sg 2社会科学学院(SSS),Nanyang Technological University,新加坡639818,新加坡; bhattacharya.sagarika7@gmail.com(S.B.); annabelchen@ntu.edu.sg(S.H.A.C.)3 Nanyang Technological University,新加坡637460的Nanyang Technology University的研究与开发中心,新加坡4神经影像学和介入放射学系,国家心理健康与神经科学研究所,印度班加罗尔560029,印度班加罗尔560029; drroseedawn@nimhans.kar.nic.in 5 560029,班加罗尔560029,美国心理健康与神经科学研究所神经生理学系; kaviudupa.nimhans@nic.in 6美国马里兰州巴尔的摩约翰·霍普金斯大学医学院; koishi@mri.jhu.edu(k.o. ); jdesmon2@jhmi.edu(J.E.D。) 7 Nanyang Technological University,新加坡637553,新加坡8号Nanyang Technology University,Nanyang Technitute of Nanyang Technological University,新加坡637553,新加坡 *通讯 *通讯:Rajankashyap6@gmail.com(R.K.) ctguan@ntu.edu.sg(c.g.) †高级作家。 ‡同等贡献。3 Nanyang Technological University,新加坡637460的Nanyang Technology University的研究与开发中心,新加坡4神经影像学和介入放射学系,国家心理健康与神经科学研究所,印度班加罗尔560029,印度班加罗尔560029; drroseedawn@nimhans.kar.nic.in 5 560029,班加罗尔560029,美国心理健康与神经科学研究所神经生理学系; kaviudupa.nimhans@nic.in 6美国马里兰州巴尔的摩约翰·霍普金斯大学医学院; koishi@mri.jhu.edu(k.o.); jdesmon2@jhmi.edu(J.E.D。)7 Nanyang Technological University,新加坡637553,新加坡8号Nanyang Technology University,Nanyang Technitute of Nanyang Technological University,新加坡637553,新加坡 *通讯 *通讯:Rajankashyap6@gmail.com(R.K.) ctguan@ntu.edu.sg(c.g.) †高级作家。 ‡同等贡献。7 Nanyang Technological University,新加坡637553,新加坡8号Nanyang Technology University,Nanyang Technitute of Nanyang Technological University,新加坡637553,新加坡 *通讯 *通讯:Rajankashyap6@gmail.com(R.K.) ctguan@ntu.edu.sg(c.g.)†高级作家。‡同等贡献。
1。拉合尔拉合尔综合医院Ameer-ud-din医学院内科系,PAK 2。 西迪克·萨迪克纪念信托医院内科部 胃肠病学系,大学医院蒙克兰兹,Airdrie,GBR 4。 开伯女子医学院社区医学系,Hayatabad,PAK 5。 法医医学系,研究生医学研究所,拉合尔综合医院,拉合尔,PAK 6。 芒格洛尔肿瘤学院医学肿瘤学系,芒格洛尔,印第安纳州7。 班加罗尔医学院和研究所内科部,班加罗尔,印第安纳州8。 内科,海得拉巴奥斯曼尼亚医学院,印第安纳州9。 智格大学内科,智人,第10章。 罗马萨皮恩扎大学内科学系 帕克·拉合尔(Lahore)拉合尔(Lahore拉合尔拉合尔综合医院Ameer-ud-din医学院内科系,PAK 2。西迪克·萨迪克纪念信托医院内科部胃肠病学系,大学医院蒙克兰兹,Airdrie,GBR 4。开伯女子医学院社区医学系,Hayatabad,PAK 5。法医医学系,研究生医学研究所,拉合尔综合医院,拉合尔,PAK 6。 芒格洛尔肿瘤学院医学肿瘤学系,芒格洛尔,印第安纳州7。 班加罗尔医学院和研究所内科部,班加罗尔,印第安纳州8。 内科,海得拉巴奥斯曼尼亚医学院,印第安纳州9。 智格大学内科,智人,第10章。 罗马萨皮恩扎大学内科学系 帕克·拉合尔(Lahore)拉合尔(Lahore法医医学系,研究生医学研究所,拉合尔综合医院,拉合尔,PAK 6。芒格洛尔肿瘤学院医学肿瘤学系,芒格洛尔,印第安纳州7。班加罗尔医学院和研究所内科部,班加罗尔,印第安纳州8。内科,海得拉巴奥斯曼尼亚医学院,印第安纳州9。智格大学内科,智人,第10章。 罗马萨皮恩扎大学内科学系 帕克·拉合尔(Lahore)拉合尔(Lahore智格大学内科,智人,第10章。罗马萨皮恩扎大学内科学系帕克·拉合尔(Lahore)拉合尔(Lahore
1998年成立的国际信息技术研究所(IIIT-B)是一个著名的自治学院,将研究生IT教育与研究,企业家精神和创新融为一体。自成立以来,已有超过4,000多名学生毕业,其中许多人现在在IT公司工作或创立了成功的企业。
SNo Full Name M.Tech Branch Internship Company M.Tech (EDT) 1 ARAVIND RAJ A M.Tech Electronic Design Technology FARADTECH INNOVATIVE SOLUTIONS PVT LTD 2 AADITHIYAN SD M.Tech Electronic Design Technology FARADTECH INNOVATIVE SOLUTIONS PVT LTD 3 BADRINATHAN J M.Tech Electronic Design Technology Continental Autonomous Mobility India Pvt Ltd, Bangalore 4 Anagha A S M.Tech电子设计技术VVDN Technologies Pvt Ltd 5 Haneena Beevi M.Tech电子设计技术Bosch全球软件技术6 Deepu Kumar Shah M.Tech M.Tech Electronic Electronic DesignTechnol业M.Tech电子设计技术Ignitarium Technology Solutions PVT Limited M.Tech(ES)1 della ann James M.Tech嵌入式系统大陆汽车组件印度Pvt Ltd. 2 Sivaraman K M.Tech嵌入式系统大陆自动动力学3 Pampana Jyothi Narayan M.Tech M.Tech narayan M.Tech narayan M.Tech embeddect fortition facte facte facted pertative forted p.ltt pertt pertt pertt pertt。4 Lakshmi P N M.Tech嵌入式系统大陆汽车组件印度Pvt Ltd 5 Manikala Manoj Kumar M.Tech嵌入式系统NXP Semiconductors NXP Semiconductors India Pvt Ltd Ltd 6 Athulya J M.Tech J.M.Tech j M.Tech Engected Systems Systems India India India Pvt。Ltd 7 Vishnu Premji M.Tech Embedded Systems Continental Automotive India Pvt.Ltd 8 Prasanth B R M.Tech Embedded Systems VISHISHTA INNOVATORS PRIVATE LIMITED 9 Yelubandi Aravind M.Tech Embedded Systems Bosch Global Software Technologies 10 Ninish Valsan M.Tech Embedded Systems CONTINENTAL AUTONOMOUS MOBILITY INDIA Pvt Ltd BANGALORE 11 Saleeque MP M.Tech嵌入式系统Creopedia Business Intelligence Pvt Ltd(自己的企业)
作者衷心感谢我们的项目官员 Timothy Day 和 Georgia Pearson 的指导和贡献。此外,我们还要衷心感谢 Ann O'Malley 的质量保证审查,以及 Donovan Griffin、Sheryl Friedlander 和 Jacqueline Phan 的精心编辑和制作本报告。我们感谢来自约翰霍普金斯大学的同事 (Vaadeem Dukhanin 和 Sydney Dy),他们参与了访谈和编码。我们还要感谢 Megan Baker;Swaati Bangalore;Christian Carrillo Paz;Nancy Duda;Claire Erba;Tessa Huffman;Swad Komanduri;Nicola Lowry;Nicholas Manderlink;Maya Palakal;Margaret Raskob;Carol Razafindrakoto;Tom Sikes;Lalitha Sundaresan;Dayna Valek;Beny Wu;Suzanne Wensky;CMS 模型团队;以及来自 RTI、Telligen、ARC 和 Deloitte 的员工的支持。
关于Dayananda Sagar工程学院(DSCE)Dayananda Sagar工程学院(DSCE),成立于1979年,在圣雄甘地Vidya Peetha Trust下成立,是印度一家首要技术教育机构。隶属于Visvesvaraya技术大学(VTU),并经AICTE批准,DSCE提供20个本科生和6个研究生工程课程。它拥有18个高级研究中心和博士学位。计划,由DST,ISRO,AICTE和国防研发组织等机构提供支持。学院的特殊教师的特色是,促进了学术卓越,个性化的指导和专业成长。获得了12个UG计划的NAAC'A'级和NBA认证,DSCE展示了其对优质教育的承诺。dsce已获得了很高的排名:在2024年NIRF排名中,它是在51-100乐队中进行创新的51-100乐队。此外,它在全国范围内排名第103,在印度的班加罗尔排名第9位,今日印度2024年的调查,全国130,到班加罗尔排名第8,并在一周内在班加罗尔排名第8,并获得了AAAA+的不断发展的AAAA+评级360。