Bano

如何引用这篇文章：Jetya Banothu，Sangeeta Nakhate（2024）基于数字转换器的高速GNRFET模拟设计。图书馆进度Inte

这项工作介绍了利用石墨烯纳米色带效果晶体管（GNRFET）的两，三位和四位模数转换器（ADC）的设计和仿真。该设计中使用的GNRFET设备的通道长度为16 nm，并以0.7 V的电源电压操作。高级设计系统（ADS）用作仿真平台。为了实现紧凑而有效的设计，实施了当前的镜像拓扑来偏置。根据功耗评估了每种ADC配置。在0.7 V电源电压内，设计表现出全范围线性输入特征。这些结果表明，这种ADC设计特别适合在高速纳米电机力学系统（NEM），内存单元和高级计算体系结构中应用。标准晶体管逻辑（STI）的延迟平均降低百分比分别为12％，ADC设计的平均百分比分别为32％。此外，功率优化的三元逻辑电路往往更快地运行。