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在0.13μmsige bicmos中，双波段发射器和接收器在222-270 GHz
摘要本文在222-270 GHz的气体光谱中介绍了带有Bowtie-Antenna和硅透镜的发射器（TX）和一个接收器（RX），它们是在IHP的0.13 µM SIGE BICMOS技术中制造的。TX和RX使用两个集成的本地振荡器，用于222 - 256 GHz和250 - 270 GHz，可用于双波段操作。由于其大约27 dbi的定向性，带有硅透镜的单个集成的Bowtie-Antenna可以使TX的EIRP约为25 dbm，因此与先前报道的系统相比，2频段TX的EIRP更高。通过Y因子方法测量的Rx的双边噪声温度为20,000 K（18.5 dB噪声图）。气态甲醇的吸收光谱被用作用TX-和RX模块的气体光谱系统性能的量度。
SIGE HBT和BICMOS技术用于当前和...
摘要本文提供了BICMOS技术到THZ系统集成的总体图片，该图是在欧洲研究项目塔兰托（Taranto）中开发的。提出了欧洲高性能BICMOS技术平台，这些平台具有特殊的优势，可以解决亚毫升波和THZ系列中的应用。审查了技术过程的状态，并检查了整合挑战。对毫米波表征和建模进行了详细讨论，重点是谐波失真分析，功率和噪声测量，分别为190 GHz和325 GHz，以及最高500 GHz的S-参数测量值。活性（HBT）和被动组件的电气紧凑型模块的结果与基准电路块一起呈现，用于模型性验证。启用BICMOS的系统和应用程序，侧重于未来的无线通信系统和高速光传输系统，最终提出了1.55 tbit/s的净数据速率。
SIGE BICMOS技术中整体硅像素原型的时间分辨率和功耗
摘要：SIGE BICMOS技术可用于生产超快速的低功率硅像素传感器，即使没有内部增益也可以提供最新的时间分辨率。此类传感器的开发需要识别和控制主要因素，这些因素可能会降低正时性能以及传感器时间分辨率对放大功率消耗的依赖性的表征。IHP微电子学中SG13G2技术在SG13G2技术中产生的原型传感器的90 SR源的测量表明，在7μA的放大电流下，在150μpS的放大电流下的时间分辨率为145 ps，功率为150μA。用于校正时间步行的信号时阈值测量的分辨率是影响该原型的时机性能的主要因素。
矢量调制器相位变速器130 nm SIGE BICMOS技术用于5G应用
随着世界各地的第五代（5G）网络的引入，已经发布了几个MM波频段供商业用途。与第四代（4G）中使用的相比，这些频段提供更宽的带宽并增加空间重复使用。 此外，改进的孔径与波长比允许在降低的外形尺寸中实现相位的阵列天线系统（PHAA）[1]。 所有这些方面都将有助于满足不断增加的数据吞吐量所设想的需求。 特别是，分阶段阵列允许将波聚焦在非常狭窄的光束中。 光束可以通过控制单相移位来以电子方式进行电导。 这些系统的瓶颈是提供精确相移的困难。 因此，目前非常感兴趣的精确相位变速器，具有低消耗，足够的面积职业和相关收益的设计。 文献中已经提出了几种设计，并且它们以不同的方式实施。但是，主要区别在于被动和主动的区别。 被动相位变速器[2] - [4]在高插入损失和开销面积的费用下实现高线性。 相反，活跃的线性具有较低的线性[5] - [9]，但是，紧凑型解决方案，低损耗（或增益）的可能性以及可以用于振幅锥度[10]的增益调整，使后者最喜欢的候选者用于MM-Wave Phaas。 在本文中，介绍了IHP BICMOS技术制造的两个主动相位变速器的设计，一种旨在高增益，另一种用于低区域职业。相比，这些频段提供更宽的带宽并增加空间重复使用。此外，改进的孔径与波长比允许在降低的外形尺寸中实现相位的阵列天线系统（PHAA）[1]。所有这些方面都将有助于满足不断增加的数据吞吐量所设想的需求。特别是，分阶段阵列允许将波聚焦在非常狭窄的光束中。光束可以通过控制单相移位来以电子方式进行电导。这些系统的瓶颈是提供精确相移的困难。因此，目前非常感兴趣的精确相位变速器，具有低消耗，足够的面积职业和相关收益的设计。文献中已经提出了几种设计，并且它们以不同的方式实施。但是，主要区别在于被动和主动的区别。被动相位变速器[2] - [4]在高插入损失和开销面积的费用下实现高线性。相反，活跃的线性具有较低的线性[5] - [9]，但是，紧凑型解决方案，低损耗（或增益）的可能性以及可以用于振幅锥度[10]的增益调整，使后者最喜欢的候选者用于MM-Wave Phaas。在本文中，介绍了IHP BICMOS技术制造的两个主动相位变速器的设计，一种旨在高增益，另一种用于低区域职业。本文的其余部分如下组织。第二节描述了两个VM的架构。第三节分析了这两种设计。第四节对测量结果的评论，第五节总结了本文。
基于脉冲拉伸逆变器链的粒子检测器
>×ŝnŝnjIHP是德国研发机构，专注于无线和宽带通信。核心竞争力是：•混合信号过程技术•RF和数字电路设计•通信ɛ系统IHP IHP正在运行8英寸的飞行线，该线位于1,000平方米级级别的清洁室中。几个0.25 µm和0.13 µm SIGE：C BICMOS技术可用。IHP解决方案GmbH是IHP的100％子公司。 IHP解决方案旨在集中于IHP研究活动的研究结果（技术转移）以及沿IC制造价值链中增值服务的商业合作伙伴的研究结果（技术转移）。 在IHP服务产品的背景下，IHP解决方案ɛ负责商业IC生产。IHP解决方案GmbH是IHP的100％子公司。IHP解决方案旨在集中于IHP研究活动的研究结果（技术转移）以及沿IC制造价值链中增值服务的商业合作伙伴的研究结果（技术转移）。在IHP服务产品的背景下，IHP解决方案ɛ负责商业IC生产。
具有 RF 和光子模块的 SiGe BiCMOS 技术
IHP 为研究合作伙伴和客户提供其强大的 SiGe:C BiCMOS 技术和特殊集成 RF 模块。这些技术特别适合更高 GHz 频段的应用（例如无线、宽带、雷达）。它们提供截止频率高达 500 GHz 的集成 HBT，包括互补设备。• 适用于光纤、航空航天、宽带和无线通信、雷达、数据中心、测量设备、太赫兹成像、电子健康领域的产品
MAXIM 高速双极和 BiCMOS 工艺可靠性...
婴儿死亡率评估 (IME) 6 HTOL (高温工作寿命) 测试 6 85/85 (温度-湿度-偏差) 测试 (THB) 7 压力罐测试 7 温度循环测试 7 高温存储测试 7 可靠性数据 8 表 3 Maxim 高频双极工艺的婴儿死亡率评估 (150°C Tj) 8 表 4. 高温工作寿命测试 – CP1 工艺，150°C Tj 10 表 5. 高温工作寿命测试 – CB2 工艺，150°C Tj 10 表6. 高温运行寿命测试 – CB3 工艺在 150°C Tj 11 表 7. 高温运行寿命测试 – GST1 工艺在 150°C Tj 11 表 8. 高温运行寿命测试 – GST2 工艺在 150°C Tj 11 表 8. 高温运行寿命测试 – GST2 工艺在 150°C Tj（续）12 表 9. 高温运行寿命测试 – GST3 工艺在 150°C Tj 13 表 10. 高温运行寿命测试 – GST4 工艺在 150°C Tj 14 表 11. 高温运行寿命测试 – MB1 工艺在150 ° C Tj 15 表 12. 85/85 测试（高频双极和 BiCMOS 工艺） 16 表 13. 高压锅测试 适用于高频双极和 BiCMOS 工艺 18 表 14. 温度循环测试 适用于高频双极和 BiCMOS 工艺 21 表 15. 高温存储测试 适用于高频双极和 BiCMOS 工艺 25
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婴儿死亡率评估 (IME) 6 HTOL（高温工作寿命）测试 6 85/85（温度-湿度-偏差）测试（THB）7 压力罐测试 7 温度循环测试 7 高温存储测试 7 可靠性数据 8 表 3 Maxim 高频双极工艺的婴儿死亡率评估（在 150°C Tj 下）8 表 4。高温工作寿命测试 – CP1 工艺在 150°C Tj 下 10 表 5。高温工作寿命测试 – CB2 工艺在 150°C Tj 10 表 6。高温运行寿命测试 – CB3 工艺在 150°C Tj 11 表 7。高温运行寿命测试 – GST1 工艺在 150°C Tj 11 表 8。高温运行寿命测试 – GST2 工艺在 150°C Tj 11 表 8。高温运行寿命测试 – GST2 工艺在 150°C Tj（续）12 表 9。高温运行寿命测试 – GST3 工艺在 150°C Tj 13 表 10。高温工作寿命测试 – GST4 工艺在 150°C Tj 14 表 11。高温工作寿命测试 – MB1 工艺在 150°C Tj 15 表 12。85/85 测试（高频双极和 BiCMOS 工艺） 16 表 13。高压锅测试 适用于高频双极和 BiCMOS 工艺 18 表 14。温度循环测试 适用于高频双极和 BiCMOS 工艺 21 表 15。高温存储测试 适用于高频双极和 BiCMOS 工艺 25
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婴儿死亡率评估 (IME) 6 HTOL (高温工作寿命) 测试 6 85/85 (温度-湿度-偏差) 测试 (THB) 7 压力罐测试 7 温度循环测试 7 高温存储测试 7 可靠性数据 8 表 3 Maxim 高频双极工艺的婴儿死亡率评估 (150°C Tj) 8 表 4. 高温工作寿命测试 – CP1 工艺，150°C Tj 10 表 5. 高温工作寿命测试 – CB2 工艺，150°C Tj 10 表6. 高温运行寿命测试 – CB3 工艺在 150°C Tj 11 表 7. 高温运行寿命测试 – GST1 工艺在 150°C Tj 11 表 8. 高温运行寿命测试 – GST2 工艺在 150°C Tj 11 表 8. 高温运行寿命测试 – GST2 工艺在 150°C Tj（续）12 表 9. 高温运行寿命测试 – GST3 工艺在 150°C Tj 13 表 10. 高温运行寿命测试 – GST4 工艺在 150°C Tj 14 表 11. 高温运行寿命测试 – MB1 工艺在150 ° C Tj 15 表 12. 85/85 测试（高频双极和 BiCMOS 工艺） 16 表 13. 高压锅测试 适用于高频双极和 BiCMOS 工艺 18 表 14. 温度循环测试 适用于高频双极和 BiCMOS 工艺 21 表 15. 高温存储测试 适用于高频双极和 BiCMOS 工艺 25
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婴儿死亡率评估 (IME) 6 HTOL (高温工作寿命) 测试 6 85/85 (温度-湿度-偏差) 测试 (THB) 7 压力罐测试 7 温度循环测试 7 高温存储测试 7 可靠性数据 8 表 3 Maxim 高频双极工艺的婴儿死亡率评估 (150°C Tj) 8 表 4. 高温工作寿命测试 – CP1 工艺，150°C Tj 10 表 5. 高温工作寿命测试 – CB2 工艺，150°C Tj 10 表6. 高温运行寿命测试 – CB3 工艺在 150°C Tj 11 表 7. 高温运行寿命测试 – GST1 工艺在 150°C Tj 11 表 8. 高温运行寿命测试 – GST2 工艺在 150°C Tj 11 表 8. 高温运行寿命测试 – GST2 工艺在 150°C Tj（续）12 表 9. 高温运行寿命测试 – GST3 工艺在 150°C Tj 13 表 10. 高温运行寿命测试 – GST4 工艺在 150°C Tj 14 表 11. 高温运行寿命测试 – MB1 工艺在150 ° C Tj 15 表 12. 85/85 测试（高频双极和 BiCMOS 工艺） 16 表 13. 高压锅测试 适用于高频双极和 BiCMOS 工艺 18 表 14. 温度循环测试 适用于高频双极和 BiCMOS 工艺 21 表 15. 高温存储测试 适用于高频双极和 BiCMOS 工艺 25