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通过光激发调节的EUO/CO BiLayer的瞬时磁化调制
磁性接近效应提供了一种有希望的方法，可以将欧洲一氧化碳（EUO）的低居里温度（T c）降低到室温，同时保持其化学计量和绝缘性能。这项工作使用静态和时间分辨的磁光kerr效应测量来研究EUO/CO Bilayers，并探讨了磁接近对T C和EUO的自旋动力学的影响。激发会导致EUO磁化的超快增强，然后在纳米秒内进行脱氧化。在放置在平面外磁场中的EUO/CO BiLayer中选择性激发CO时也可以看到这种行为，这归因于从CO进入EUO的SuperDi效率旋转电流的传播。由于CO的自旋动力学显示了瞬时热电器化，因此双层提供了一个系统，可以通过改变样品温度或泵液等外部参数（例如样品温度或泵）来调整瞬态磁光信号并符号。此外，在强烈的激发方案中，可以测量基础EUO的磁性磁滞，该磁性磁滞至今，该磁滞至今已呈现到室温到室温 - 提供了实验性证据，证明了CO和EUO之间存在可调的磁性接近性耦合。
硅烯插层引起外延双层石墨烯中相当大的带隙
摘要：在双层石墨烯 (BLG) 中打开带隙对于石墨烯基电子和光子器件的潜在应用具有重要意义。本文，我们报告了通过在 BLG 和 Ru 衬底之间插入硅烯在 BLG 中产生相当大的带隙。我们首先在 Ru(0001) 上生长高质量的 Bernal 堆叠 BLG，然后将硅烯插入 BLG 和 Ru 之间的界面，这通过低能电子衍射和扫描隧道显微镜得到证实。拉曼光谱显示，插入的 BLG 的 G 和 2D 峰恢复到独立 BLG 特征。角分辨光电子能谱测量表明，BLG 中打开了约 0.2 eV 的带隙。密度泛函理论计算表明，大带隙打开是 BLG 中掺杂和波纹/应变共同作用的结果。这项工作为 BLG 中带隙打开的机制提供了深刻的理解，并增强了基于石墨烯的器件开发的潜力。关键词：双层石墨烯、带隙、协同机制、插层、硅烯 ■ 介绍
Moiré修饰的带隙和van Hove奇异性曲折
二维拓扑绝缘子的扭曲双层有可能创建物质的独特量子状态。在这里，我们成功地合成了GE 2 pt（101）上的Germanene扭曲的双层，其扭曲角度为21.8 o，对应于相应的（√7×√7）结构。使用扫描隧道显微镜和光谱法，我们揭示了该构型的结构和电子特性，揭示了MoiréSoded的带隙和明确定义的边缘状态。该带隙在AB/BA堆叠的位点打开，并在AA堆叠的位点关闭，这是扫描隧道显微镜尖端引起的电场所归因的现象。我们的研究进一步揭示了-0.8 eV和+1.04 eV的两个van Hove奇点，导致（8±1）×10 5 m/s的费米速度。我们的紧密结合结果揭示了独特的量子状态，其中可以通过电场调节拓扑特性，从而可能触发两个拓扑相变。
具有相反磁场的双层量子厅系统中的相变
2，其中内层相互作用是排斥的，并且层间相互作用很有吸引力。我们在圆环上进行精确的对角度（ED）计算，以研究分离距离d / l b时的相变。d c / l b = 0处的临界点。68的特征是变性和能量水平的交叉。在D / L B 成对相关函数表明具有相反伪旋转的电子在𝑟=0。时相关。成对相关函数表明具有相反伪旋转的电子在𝑟=0。我们发现了由结合对组成的激子条带相。铁磁基态被强大有效的有吸引力的潜力破坏。电子复合 - fermion（ECF）和一个孔复合费用（HCF）紧密结合。在D / L B> D C / L B区域中，观察到从D→D C极限到大D极限的交叉。电子和孔复合液体（CFL）分别通过相对的相对的复合材料（CF）实现。
通过深度学习对扭曲的原子薄双层材料的识别和结构表征
摘要：二维材料有望在下一代电子和光电设备中发挥重要作用。最近，由于其独特的物理特性和潜在的应用，扭曲的双层石墨烯和过渡金属二核苷引起了极大的关注。在这项研究中，我们描述了光学显微镜的使用来收集二硫化钼（MOS 2）的化学蒸气沉积（CVD）的色彩空间，并应用了语义分割卷积神经网络（CNN）的应用，以准确且快速地识别MOS 2 Flakes的厚度。第二个CNN模型经过训练，以在CVD生长的双层薄片的扭曲角度提供精确的预测。该模型利用了一个数据集，该数据集包含10,000多个合成图像，其中包括从六角形到三角形形状的几何形状。通过第二次谐波产生和拉曼光谱执行了对扭曲角度深度学习预测的后续验证。我们的结果引入了一种可扩展的方法，用于自动检查扭曲的原子薄的CVD生长双层。关键字：扭曲角度，过渡金属二核苷（TMD），深度学习，OpenCV，拉曼
扭曲双层铜酞菁分子装置中的可调电导和自旋过滤
点的扭转角可以通过改变费米能量、拓扑绝缘体收缩宽度和量子阱带隙来进行调控。27但目前还没有关于分子器件扭转角的系统研究。本文基于非平衡格林函数（NEGF）结合密度泛函理论（DFT），28，29研究了由两个V型锯齿边石墨烯纳米带（GNR）电极连接不同扭转角的CuPc分子构成的CuPc分子器件的量子输运性质。通过改变扭转角可以控制器件的局域自旋态和相关的量子输运性质。结果表明，扭转双层CuPc分子（TTBCPM）的HOMO-LUMO能隙、自旋滤波效率（SFE）和自旋相关电导随扭转角变化。当q较大时，电导和SFE的变化趋势几乎相反。当q=0时电导最大,当q=60时SFE最大,提出了这些现象的物理机制,并通过分析透射光谱、分子能级谱和散射态,进一步理解了具有扭转角的量子传输现象。
交换交换和旋转轨道诱导的相关阶段在接近的Bernal双层石墨烯
前范德华的异质结构利用了可调的层极化，以交换电子活动区域中的近距离交换和自旋轨道耦合。也许最简单的例子是由一侧分层磁体和另一侧的强型旋转材料封装的Bernal Biyer石墨烯（BBG）。将WS 2 / BBG / CR 2 GE 2 TE 6作为代表性的前循环装置，我们从头开始使用现实的Ab ISSIM启发的哈密顿量和有效的电子电子相互作用，以研究随机相位近似中相关相的出现。我们发现，可以将交换和自旋轨道耦合诱导的石器和Intervalley连贯性不稳定性交换为给定的掺杂水平，从而使人们可以探索单个设备中的整个相关相。
在相称的扭曲双层石墨烯和sol; hbnmoirélattices
1 Jara-Fit和第二届物理研究所，RWTH亚尚大学，52074，德国亚兴2彼得·格伦伯格研究所（PGI-9），福尚斯特里姆·尤里奇·吉利希·吉姆布斯（ForschungszentrumJülichGmbh） ForschungszentrumJülichGmbH，52425尤利希，德国5 5号电子和光学材料研究中心，美国国家材料科学研究所，1-1 Namiki，Tsukuba，Tsukuba 305-0044，日本6日6日6研究中心，NANOARCHITONICS，NANOARCHITOCICS，NANOCHITOCITIC物理学，亚太大学的物理学和未来信息技术的Jara基础知识，52062德国亚兴8 Max Planck物质结构与动态研究所，免费电子激光科学中心，22761汉堡，德国，德国1 Jara-Fit和第二届物理研究所，RWTH亚尚大学，52074，德国亚兴2彼得·格伦伯格研究所（PGI-9），福尚斯特里姆·尤里奇·吉利希·吉姆布斯（ForschungszentrumJülichGmbh） ForschungszentrumJülichGmbH，52425尤利希，德国5 5号电子和光学材料研究中心，美国国家材料科学研究所，1-1 Namiki，Tsukuba，Tsukuba 305-0044，日本6日6日6研究中心，NANOARCHITONICS，NANOARCHITOCICS，NANOCHITOCITIC物理学，亚太大学的物理学和未来信息技术的Jara基础知识，52062德国亚兴8 Max Planck物质结构与动态研究所，免费电子激光科学中心，22761汉堡，德国，德国
在静水压力下的扭曲双层石墨烯中的列型与kekulé相位
简介 - 当两个石墨烯层用相对扭曲角θ相互旋转时，扭曲的双层石墨烯（TBG）形成。在一组相称的角度θI[1]下，该系统构成了一个完美的结构结构（“ Moir´e lattice”），其中Bloch的定理适用。此外，对于所谓的“魔术角”，已经预测了靠近电荷中性点附近的扁平频率的消失的费米速度[2,3]。第一个魔术角被发现为θ〜1。05°[4]。 在2018年，TBG围绕第一个魔术角进行了调整，显示出隔热阶段[5]靠近圆顶圆顶阶段[6]旁边的Holelike Moir´e Minibands的半填充[5]，类似于Cuprates [7]中发生的情况[7]。 是，已经预测和观察到了相关的阶段，例如异常的霍尔·弗罗曼德主义[8,9]和量子霍尔效应[10,11]，并且与非琐事Chern数字[12-14]有关。 观察到的超导性（SC）通常归因于存在产生破碎对称性状态[15-18]和奇怪金属行为的电子配对机制，[19-22]，但也讨论了电子 - phonon配对[23,24]。 在扭曲的N层石墨烯中进一步观察到相似的相关效应和鲁棒SC，以2≤n≤5[25]。 值得注意的是，在n> 2的情况下，Pauli限制违反了约3倍的限制[25-28]，这加强了这些分层系统中的SC确实是非常规的观念[29 - 32]。 这可以05°[4]。在2018年，TBG围绕第一个魔术角进行了调整，显示出隔热阶段[5]靠近圆顶圆顶阶段[6]旁边的Holelike Moir´e Minibands的半填充[5]，类似于Cuprates [7]中发生的情况[7]。是，已经预测和观察到了相关的阶段，例如异常的霍尔·弗罗曼德主义[8,9]和量子霍尔效应[10,11]，并且与非琐事Chern数字[12-14]有关。观察到的超导性（SC）通常归因于存在产生破碎对称性状态[15-18]和奇怪金属行为的电子配对机制，[19-22]，但也讨论了电子 - phonon配对[23,24]。在扭曲的N层石墨烯中进一步观察到相似的相关效应和鲁棒SC，以2≤n≤5[25]。值得注意的是，在n> 2的情况下，Pauli限制违反了约3倍的限制[25-28]，这加强了这些分层系统中的SC确实是非常规的观念[29 - 32]。这可以由于电子系统以强耦合极限在强[33 - 41]中实现的出现的Uð4Þ对称性，因此很难解决不同对称性破坏模式之间的竞争。尽管与可以通过电掺杂的铜层相比，这些Moir´e系统似乎得到了很好的控制，但在精确的相图上仍然没有共识，这些相图应敏感地取决于周围的介电环境[21,42]。