* 通讯作者: amine@anl.gov; kemshao@ust.hk 摘要 基于全有机电解质的非水氧化还原液流电池,由土
摘要:研究了焊接联合制造对焊接到玻璃环氧基板(FR4)的IGBT的热性能的影响。使用厚度为1.50 mm的玻璃 - 环氧基底,覆盖有35 µm厚的Cu层。从热空气平整(HAL)SN99CU0.7AG0.3层厚度为1÷40 µm。 IGBT晶体管ngb8207亿固定在sacx0307(sn99ag0.3cu0.7)糊中。样品被焊接在不同的焊接和不同的温度下框架中。测量了样品的热阻抗z t(t)和热电阻。进行了微观结构和空隙分析。发现不同样本的差异分别达到z th(t)和rth的15%和20%。尽管焊接接头中气体的比率在3%至30%之间变化,但发现空隙比与r TH的增加之间没有相关性。在不同的焊接技术的情况下,焊接接头的微观结构在金属间化合物(IMC)层的厚度上显示出显着差异。这些差异与焊接过程中Lilesus上面的时间息息相关。与焊料的热导率相比,IGBT的热参数可以更改,因为IMC层的导热率增加。我们的研究强调了使用IGBT组件组件的焊接技术的重要性和热量文件的重要性。
一项科学精神病学和心理药物学研究(SINAPS),大学精神病医院校园Duffel(UPCD),Rooienberg,19,2570 Duffel,Belgium b合作安特卫普精神病学院(CAPRI) ETEIL(UPEC),INSERM,IMRB转化神经精神病学实验室,AP-HP,H ˆ Opitaux Universitaires H Mondor,DMU Impact,FHU,FHU适应,Fondation Condation Condation con,Medical Informatics Center,France(Biomina),法国,Antwerp,Antwerp,Middelheim,Middelheim,Middelheim,Middelhem111,Middelhem111数学和计算机科学,安特卫普大学,校园Middelheim,MG105,Antwerp,Belgium f Inserm Investment Center,HP,HP,13,H Henri Mondor医院,巴黎大学埃斯特·埃斯蒂尔大学EHôpitalde Mondor 51 Tre de Tassigny,94010 Cr´Eteil,法国
背景。研究精神分裂症(SZO)和双相情感障碍患者(BDO)的后代提供了有关针对严重精神疾病的推定神经发育轨迹的重要信息。我们将颅内体积(ICV)作为神经发育的标记以及SZO或BDO之间的全球和局部脑测量,以及与智商和精神病理学有关的全球和局部脑测量。方法。T1加权磁共振成像(MRI)脑扫描是从146名参与者(8 - 19年; 40 SZO,66 BDO,40 CO)中获得的。线性混合模型用于比较组之间的ICV,全局和局部大脑测量。为了研究ICV的效果,IQ(四个子测验对儿童/Wechsler成人智能量表-III)或精神病理学的存在分别添加到模型中。结果。szo和BDO的智商显着降低,终生精神病障碍的标准比COV的SZO中的ICV明显小于BDO(d = 0.56)和CO(d = 0.59),这在很大程度上与IQ(分别独立于IQ(分别为d = 0.54 and d = 0.35))。ICV校正后,SZO的皮质比BDO(d = 0.42)和CO(d = 0.75)明显薄,而BDO中的侧心则大于CO中(d = 0.55)。智商或终生精神病诊断的纠正并未改变这些发现。结论。尽管具有较低的智商和较高的精神疾病患病率,但BDO的脑异常似乎不如SZO(但不存在)。SZO中的ICV较低意味着,与家族性的躁郁症风险相比,精神分裂症的家族风险与早期脑发育率更强。
<。 170,巴塞罗那08036,西班牙和研究所,老师,Dimitrie Gerota Genomics博士,CNRS,CNRS,CNRS,斯德哥尔摩,瑞典
摘要 - 在此简介中,我们提出了一种逐步策略,以准确估计基于硅的多纤维双极晶体管结构中的纤维温度,从常规的调查中。首先,我们在给定的环境温度下提取几乎零动力的自加热电阻(r TH,II(t a))和热耦合因子(C IJ(t a))。现在,通过将叠加原理应用于几乎零功率的这些变量上,其中保留了热扩散方程的线性,我们估计有效的热电阻(r th,i(t a))和相应的修订后的效率温度t i(t a)。最后,Kirchhoff在T I(t a)上的trans形得出每个纤维处的真实温度(t i(t a,p d))。所提出的提取技术自动包括晶体管结构中存在的后端金属层和不同类型的沟渠的影响。该技术是针对具有不同发射极尺寸的双极晶体管的3D TCAD模拟结果验证的,然后应用于从stmicroelectronics B5T技术中从最先进的多纤维sige HBT获得的实际测量数据。可以观察到,原始测量数据在40 mW左右的叠加量低估了真正的纤维温度约10%。
a 美国佐治亚州立大学心理学系 b 挪威奥斯陆大学临床医学研究所 NORMENT c 挪威奥斯陆大学心理学系 d 挪威奥斯陆 Diakonhjemmet 医院精神病学系 e 瑞典斯德哥尔摩卡罗琳斯卡医学院精神病学研究中心临床神经科学系 f 美国新墨西哥大学电气与计算机工程系 g 美国心智研究网络和洛夫莱斯生物医学与环境研究所 h 美国佐治亚州立大学、佐治亚理工学院、埃默里大学三机构神经影像与数据科学转化研究中心 (TReNDS) i 挪威奥斯陆大学医院精神健康和成瘾科
种族区很少见,并且经常被忽视的精神病疾病,其特征是强烈,非典型和反复的性行为或行为。本病例报告描述了一名33岁的躁郁症疾病和历史性人格障碍,表现出了性行为和风险的性行为,暗示了定量性 - 性障碍。患者的行为包括通过社交媒体进行显式图像的群体性接触,无保护的性交以及冲动传播明确的图像,最终导致阴道trichomonas阴道感染。管理需要采用跨学科方法,结合药物治疗(碳酸盐和喹硫平),靶向脉冲和情绪调节的认知行为疗法(CBT),以及强调安全的性实践和冲动性控制的心理教育干预措施。
情绪障碍,包括重度抑郁症(MDD)和双相情感障碍(BD),是普遍且致残的精神疾病(1)。情绪障碍的患者表现出由遗传和环境因素的复杂相互作用引起的症状(2-4)。尽管有很多发现,涉及各个级别的结构和功能改变,从微结构和分子途径到神经网络,但对抑郁症基本机制的理解仍然很少(4)。最近的证据表明,情绪障碍与几种机制有关,包括表观遗传调节和氧化应激,这可以触发基因组材料中的各种修饰,例如DNA甲基化或氧化(3,5,6)。表观遗传调节包括控制基因表达的机制,而DNA核苷酸序列没有任何变化。越来越多的报告表明表观遗传机制,例如DNA甲基化,组蛋白修饰和非编码RNA可能在情绪障碍的发病机理以及对药理干预措施的反应中起关键作用(3、5、7、8)。在表观遗传机理中,DNA甲基化是情绪障碍中最广泛的研究,涉及将甲基添加到DNA分子中。DNA甲基化改变经常在抑郁症患者中显示(9)。除了甲基化变化外,DNA还易于自由基氧化,从而导致氧化引起的DNA损伤。以前的证据支持氧化诱导的DNA损伤在抑郁症的发病机理中存在(10 - 13)。但是,这些发现仅基于核遗传物质在内的核DNA和RNA的修改。线粒体是半自治的细胞器,其中包含其自己的,圆形的,母体遗传和双链(即重和轻链)线粒体DNA(mtDNA),并用作人体的主要能量供应。mtDNA编码属于电子传输链复合物,22个转移RNA和2个核糖体RNA的13个多肽,并包含一个非编码区域,其中包括位移环(D-Loop)(14,15)。mtDNA的改变可能会导致线粒体基因表达的变化,从而影响人体的线粒体功能和生物能调节,从而导致线粒体功能障碍(16)。线粒体功能障碍已被确定为抑郁症各个方面的关键机制之一,例如精神症状和神经认知异常以及早期衰老(17,18)。先前的研究报告了MDD和BD(19,20)中线粒体代谢产物,基因或蛋白质水平的异常,并提出了类似的线粒体功能障碍,这些疾病之间的线粒体功能障碍(21 - 23)。尽管mtDNA比核DNA更容易受到基因组修饰的影响(例如甲基化和氧化)(24,25),但识别mtDNA修饰,
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