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研究二晶的电催化活性...
pyrochlore氧化物由于其阳离子电荷和阴离子缺乏效率而被认为是各种电化学应用的活性候选物。同时，pyrochlore的阳离子取代是改善电极材料催化活性的关键参数。在此背景下，本文旨在合成二氧化甲氧化物氧化物氧化物氧化物纳米颗粒（BI 0.6 y 1.4 SN 2 O 7; byso nps），并构建抗抗毒性氯丙嗪（CHPMZ）的电化学传感器。通过共沉淀技术进行催化剂，然后进行热处理。分析方法，例如P-XRD，FT-IR，TGA和XPS，确认了Bi3þ的成功取代。通过Fe-SEM和TEM技术分析了准备的催化剂的形态，这表明纳米颗粒的大小为⁓20E 30 nm。从CV结果中，阳离子的取代增强了CHPMZ的电催化氧化，这是由于固有活性增强而具有较大大小阳离子的替代性和pyrochlore结构的阴离子缺乏效率。此外，计算出BYSO/SPCE上CHPMZ的异质速率常数为4.49 10 3 cm/s，这表明BYSO/SPCE上CHPMZ的氧化是准可逆的。用BYSO NPS修饰的电极显示较宽的线性范围（0.01 E 58.41 m m，78.41 E 1158 m m），高灵敏度（1.03 m A/ m m/ cm/ cm 2），低检测极限为3 nm。修改的电极显示出良好的选择性，可重复性和良好的稳定性，可检测CHPMZ。©2022 Elsevier Ltd.保留所有权利。此外，构造的传感器在人类血清和尿液样品中恢复良好的实践分析中显示出令人鼓舞的结果。
外延bismuth纳米膜中的相变
拉曼和相干的声子光谱法被用于研究由Si（111）底物上的分子束外跑制备的超薄单晶双膜的厚度依赖性语音性质。A 1G和E G拉曼峰都消失在4 nm BIFM的拉曼光谱中，表明从低对称A7结构到高对称性A17结构的完全过渡。相干的声子信号也显示出对膜厚度的强烈依赖，其中薄样品（15 nm）表现出比厚样品（30 nm）的较低的声子频率和更短的声子寿命。这种差异归因于由永久性相变引起的较浅的能势势垒，永久性相变（由纤维厚度和光激发载体的临时结构过渡决定）。我们的结果不仅提供了从A7到A17结构的相变的证据，其厚度降低，而且还揭示了该相变对声子动力学的影响。了解这些物质性能性状将有助于现代化的电子设备中BI薄片的应用。
电场诱导钛酸铋钠相变
电场诱导转变发生在具有多种现象的无数系统中，由于其在许多应用中的重要性，引起了广泛的科学兴趣。本综述重点介绍钛酸铋钠 (BNT) 基材料中发生的电场诱导转变，BNT 基材料被认为是一类重要的无铅钙钛矿，是多种应用领域中铅基化合物的可能替代品。BNT 基系统通常被归类为弛豫铁电体，其特征是复杂结构会经历各种电场驱动现象。本综述讨论了晶体结构对称性、畴结构和宏观特性的变化与成分、温度和电负载特性（包括幅度、频率和直流偏置）的关系。八面体倾斜与极化和应变之间的耦合机制以及其他微观结构特征被认为是介导局部和整体电场诱导响应的重要因素。通过强调遍历性对双极和单极循环中域演变和抗疲劳性的影响，讨论了场诱导转变对电疲劳的作用。全面讨论了场诱导转变在关键应用（包括储能电容器、致动器、电热系统和光致发光设备）中的相关性，以确定材料设计标准。最后对未来的研究进行了展望。
e频段电信兼容40 dB增益高功率bismuth ...
多波段传输是应付对光学通讯网络能力不断增长的需求而不改变现有纤维基础的不断增长的重要解决方案之一。然而，超宽带的通信需要开发新型的电力效率光学放大器以外的C和L波段，这是引入开创性Erbium掺杂的光纤的主要研究和技术挑战，这些挑战构成了极大地改变光学通信部门的启用。可用于开发此类放大器的几种类型的光纤维，特别是掺有新近岛，praseodymium，thulium和Bismuth的纤维。但是，在其中，双载纤维是最有前途的放大介质特别感兴趣的，因为与其他培养基不同，不同的双重相关的活性中心可以在700 nm（1100-1800 nm）的巨大总宽度（1100-1800 nm）的巨大带中放大。可以通过使用不同的宿主材料（例如铝硅酸盐，磷硅酸盐，二氧化硅和日耳曼硅酸盐玻璃杯）获得这种光谱覆盖范围。在这里，我们报告了一种新型的双型光纤放大器，具有记录特征用于电子波段扩增的特征，包括迄今为止报道的电信兼容的E波段放大器的功率转换效率最高。此需要型掺杂的纤维放大器（BDFA）的最大增益为39.8 dB，最小噪声图为4.6 dB，启用了173 m Bi-bi-bi-bi-bi-doped的纤维长度。最大实现的功率转化效率为38％高于L波段ER掺杂纤维放大器的功率。©2024作者。这种表现表明了BDFA成为现代多波段光学通信网络中首选放大器的高潜力。所有文章内容（除非另有说明，否则都将根据Creative Commons归因（cc by）许可（https://creativecommons.org/licenses/4.0/）获得许可。https://doi.org/10.1063/5.0187069
外延铋纳米膜中的相变 - NSF-PAR
图 2 (a) A7 菱面体晶胞中 A 1g（纵向，橙色箭头）和 E g（横向，蓝色箭头）模式的示意图。坐标为六边形索引，即 z 轴为六边形 (001)，对应于菱面体索引中的 (111) 平面。在平衡状态下，晶胞内的 Bi 原子（绿色原子）位于对角轴上的 (0.48:0.52) 位置。虚线圆标记了沿对角轴的中心位置。(b) Bi 薄膜的拉曼光谱，范围从 4 nm 到 80 nm。80 nm 和 50 nm 薄膜中的特征 E g 和 A 1g 模式以橙色垂直线标记作为参考。
对态性能的机械性能的改进
共晶SN-CU合金认为是有毒SN-PB焊料合金的潜在替代品之一。这项工作旨在通过研究每种需要x = 0.3和0.5 wt。％的需要次的需要次的鞭毛（BI）和银（Ag）含量的影响，从而提高共晶SN-SCU合金的机械性能，每种需要次的需要次的需要次鞭毛（BI）和银（Ag）含量对As- castectic Eutectic eutectic sn-cu alloy的机械性能的影响。使用X射线衍射（XRD）和蠕变测试机研究了三元AS-Cast Sn-Cu-X（X = BI或Ag）合金。 结果表明，在Eutectic Sn-Cu合金中添加0.3和0.5 wt。％的BI添加不会促进CU6SN5 IMC的形成，而只是将其从102转移到202个方向。 上述BI添加已完善了β-SN粒径和扩大的Cu6SN5 IMC，因此减少了晶格失真，通过在室温下（RT）的不同载荷（RT），通过拉伸载荷通过拉伸载荷来直接增强了这些AS铸造合金的机械性能和可靠性。 将BI的0.3和0.5 wt。在铸物的共晶合金中加入其他IMC（AG3SN），与Cu6Sn5相形成了其他IMC（AG3SN），由于其不同的晶体结构（AG3SN（orthorhombombic）和Cu6sn5（hex）），与其匹配的CU6SN5相位不匹配它。 为此，结构稳定性下降，导致外力的电阻较低，机械可靠性低。 机械改进（高破裂时间（5498.85 s），低应变速率和应力指数（9.48））已与BI添加0.5 wt。与其他添加相比，BI添加0.5 wt。与其高结构稳定性密切相关。三元AS-Cast Sn-Cu-X（X = BI或Ag）合金。结果表明，在Eutectic Sn-Cu合金中添加0.3和0.5 wt。％的BI添加不会促进CU6SN5 IMC的形成，而只是将其从102转移到202个方向。上述BI添加已完善了β-SN粒径和扩大的Cu6SN5 IMC，因此减少了晶格失真，通过在室温下（RT）的不同载荷（RT），通过拉伸载荷通过拉伸载荷来直接增强了这些AS铸造合金的机械性能和可靠性。将BI的0.3和0.5 wt。在铸物的共晶合金中加入其他IMC（AG3SN），与Cu6Sn5相形成了其他IMC（AG3SN），由于其不同的晶体结构（AG3SN（orthorhombombic）和Cu6sn5（hex）），与其匹配的CU6SN5相位不匹配它。为此，结构稳定性下降，导致外力的电阻较低，机械可靠性低。机械改进（高破裂时间（5498.85 s），低应变速率和应力指数（9.48））已与BI添加0.5 wt。与其他添加相比，BI添加0.5 wt。与其高结构稳定性密切相关。从机械的角度来看，建议使用SN-0.7CU-0.5BI合金成为大规模生产和加工焊接和电子组件的最可靠合金。
转移单晶铋纳米薄膜中相干声学声子的量子限制
铋是一种新兴的量子材料，具有令人着迷的物理特性，例如半金属-半导体 (SM-SC) 跃迁 1-8 和拓扑绝缘态。9-12 分子束外延 (MBE) 生长技术的发展已经生产出高质量的 Bi 薄膜，其中过去五十年理论上预测的丰富物理特性可以通过实验实现。例子包括但不限于卓越的表面态自旋和谷特性、2,13 超导性、14 瞬态高对称相变 15 和非谐散射。16,17 此外，介电常数的负实部和较小的虚部的结合，以及强的带间跃迁，使其在带间等离子体中应用前景广阔。 18 尽管如此，单晶 Bi 纳米薄膜在实际器件中的应用仍然受到限制，因为它们只能在晶格匹配的衬底上生长，例如硅 (111)、19 BaF 2 (111)、20 和云母。21 最近，Walker 等人介绍了一种双悬臂梁断裂 8,22 和热释放胶带 23 技术，用于将大面积 MBE Bi 纳米薄膜从 Si (111) 干转移到任意衬底；他们还表明，转移薄膜的电学/光学/结构特性与原生薄膜相当。8,23 该技术可以研究 Bi 在任意衬底上的独特电子、声子和自旋电子特性，例如用于新兴器件的透明、柔性、磁性或拓扑绝缘衬底。大多数
碲化铋热电材料激光增材制造工艺开发
热电发电机在航空航天和飞机应用方面具有巨大潜力。然而，传统的热电设备制造方法严重限制了设备的适应性，从而限制了其市场化程度。激光粉末床熔化是一种增材制造方法，在生产热电设备方面显示出巨大的潜力。与金属相比，热电材料由于导热系数低、脆性断裂特性和不规则粉末颗粒形貌而面临独特的挑战。本文，我们介绍了通过激光粉末床熔化制造 Bi 2 Te 3 热电部件的加工程序。我们确定了关键工艺参数的成功组合——激光功率、扫描速度、扫描距离和粉末层厚度——以获得在密度和物理性能方面高质量的部件，并且我们展示了工艺参数变化对成品部件质量的影响。虽然体积能量密度不能唯一地决定部件质量，但它是确定热电材料工艺参数的有用指南，对于 Bi 2 Te 3 ，最佳值在 9 到 11 J/mm 3 之间。我们成功制备了不同自由形状的Bi 2 Te 3 粉末。结果表明，该方法可以更广泛地扩展到其他半导体材料，包括适用于空间应用的热电发电材料。