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预测激光粉末床融合添加剂制造过程中的鞭毛尿酸酯的热电学因子
添加剂制造（AM）工艺，例如激光粉末床融合，可以通过分层扩散和熔化粉末来制造物体，直到创建自由形式的零件形状。为了提高AM过程中涉及的材料的特性，重要的是要预测材料表征作为处理条件的函数。在热电材料中，功率因数是对材料如何将热量转化为电的有效性的量度。虽然较早的作品已经使用各种技术预测了不同热电材料的材料表征特性，但在AM过程中尚未探索机器学习模型的实现，以预测鞭毛尿酸酯（BI2TE3）的功率因数。这很重要，因为BI2TE3是低温应用的标准材料。作为概念证明，我们使用了有关涉及的制造处理参数的数据以及在BI2TE3 AM中收集的原位传感器监视数据，以训练不同的机器学习模型，以预测其热电功率因子。我们使用80％的培训和20％的测试数据实施了监督的机器学习技术，并进一步使用了置换功能重要性方法来识别重要的处理参数和原位传感器功能，这些特征最能预测材料的功率因数。基于合奏的方法，例如随机森林，Adaboost分类器和Bagging分类器，在预测功率因数方面表现最好，而袋装分类器模型则达到了90％的最高精度。此外，我们发现了前15个处理参数和原位传感器功能，以表征材料制造属性（例如功率因子）。这些功能可以进一步优化，以最大程度地提高热电材料的功率因数，并提高使用该材料制造的产品的质量。
Yttrium铁石榴石的合成/与局部等离子体增强的磁光性能
在图案化的周期性周期性纳米线上大大增强了Faraday旋转，在二晶型铁石榴石膜上[10]。大多数表面等离子体的研究都集中在金属等贵金属上。但是，这些金属必须与光学活性材料结合使用，以提供血浆的主动控制。特别是，可以用应用于磁性金属杂种系统的磁场来控制磁质量[11，12]。磁光kerr效应（moke）将线性极性光转换为Mo材料中的椭圆极化光。最近，Moke已用于检测磁性纤维中的SOC相关扭矩，例如通过电子旋转角动量和光线之间的相互作用，例如绝缘Yttrium-Iron Garnet（YIG）和金属COFEB以及重金属PT异质结构[13，14]。YIG中的摩克很小，对于近红外波长。用二晶体或稀土元素代替Yttrium可以增强摩克，而磁矩只有很小的变化[15-18]。双掺杂的YIG中的大Mo效应是由原子内轨道偶极子偶极转变在CE的4F和5D状态之间或Inter- inter-
层状银色双孔孔的低频声子模式：对称性，极性和与相变的关系
然而，在光电设备中，PB对应物的高性能，最近的努力，尤其是在CS 2 Agbibr 6双PSK上，[2]证明了它们在太阳能电池的广泛应用中的强大用途，[3-9] [3-9]光探测器，[10,11] x射线检测器，[10,11] X射线检测器[12] memristors [13] Memristors [13] 13]。[14] Moreover, when passing from the 3D double PSK toward its layered counterparts with two (2L) or one (1L) octahedra layers by introducing large A-site organic cations, such as butylam- monium (BA) or propylammonium (PA), allowed to develop new two-dimensional (2D) materials with tunable optoelec- tronic properties, such as the character of the bandgap as well as带隙的能量从≈2eV到≈3eV，这与无机晶格的失真有关。[15–19]尺寸还原也明显提高了候选人的ON/OFF比率，从10 2（CS 2 Ag-Birb 6至3d）到10 7（（（Ba）2 Csagbibr 7），因为在扭曲的晶体结构中，离子迁移受到离子迁移的青睐。[20]从（Ba）2 Csagbibr 7中获得了具有较大迁移率的产物的X射线光绘制器，其中敏感性取决于晶体的尺寸（八面体层的数量）。[21,22]光电探测器的时间响应可以通过尺寸减小来增强，同时保持相似的检测率； [23]
分配器印刷铋基磁场传感器，具有非饱和大磁阻，适用于非接触式交互表面
印刷电子是一个充满活力的研究和技术领域，可获得按需功能元件。[1–3] 近年来，已报道了具有半导体、[4] 光电、[5] 储能[6] 和磁性 [7] 特性的印刷电子。特别是印刷磁阻传感器已证明其作为非接触式电磁开关 [8,9] 和非接触式交互式皮肤平台的相关性。[10] 这些磁敏感复合材料是通过将铁磁磁阻 (MR) 颗粒或薄片分散在各种凝胶状或热塑性粘合剂溶液中而制成的（表 1）。[9–17] 虽然这些贡献在过去十年中显著推动了该领域的发展，但由于组成颗粒或薄片的复杂性和高生产成本，这些技术的大规模应用仍未实现。表现出高达 37% 的巨磁电阻效应 (GMR) 的薄片由多层异质结构组成，需要逐层沉积亚纳米厚的薄膜。[9–13] 需要精确调整层的厚度以实现可测量的磁阻变化。这导致表现出 GMR 的粉末的生产成本增加。为了解决 GMR 粉末的可扩展性问题，采用了表现出各向异性磁阻 (AMR) 的商品可用铁磁材料颗粒。[14] 然而，测得的 AMR 效应降低到 0.34%。此外，这些 MR 技术通常在 500 mT 以下的磁场下具有线性响应，并且在此之外几乎不敏感。缺乏一种具有强磁阻信号并在宽磁场范围内工作的可打印商品级材料。使用打印技术瞄准更广泛的磁场可以实现新型低成本技术解决方案，从非接触式开关应用到机械的工业监控。采用传统的印刷方法实现大规模生产和高磁场下的线性响应需要新材料的开发。
基于含有EPDM橡胶的新型复合材料的设计和研究
摘要：研究了含有石墨烯纳米片（GNS）的基于乙二烯 - 偏烯 - 烯烯 - 二烯单体（EPDM）单体（EPDM）单体（EPDM）的复合材料的机械，热和γ辐射衰减特性。还研究了聚乙烯乙二醇（PEG）作为兼容器来改善填充剂的分散体。结果表明，与EPDM相比，这些填充剂的综合使用导致机械性能的急剧增加，分别达到了伸缩强度和伸长率的123％和83％。相反，与基于EPDM/B/GN的复合材料相比，在包含EPDM GN和B的复合材料中添加PEG的复合材料具有较低的机械性能。然而，PEG的存在导致获得具有大量衰减系数的复合材料（EPDM/B/GNP），可对伽玛辐射（137 cs，662 keV）优于没有PEG的该复合材料。此外，复合EPDM，B和PEG在断裂时表现出伸长率153％，高于未填充的EPDM。此外，与未填充的EPDM相比，由100个PHR（III）氧化物（III）PHR组成的二元填充系统可导致EPDM复合材料的61％线性阻尼系数达到61％。分别使用扫描电子显微镜和能量分散X射线光谱获得的聚合物基质中形态和填充剂的状态的研究为理解影响伽马射线衰减特性的因素提供了有用的背景。最后，结果还表明，通过调整配方，可以调整用氧化物和石墨烯纳米纤维素增强的EPDM复合材料的机械和热性能。
SRIM模拟氢离子与掺杂稀土元素的氧化铋纳米粒子的相互作用 R. Alhathlool, MH Eisa * 部门
SRIM 模拟氢离子与稀土元素掺杂的氧化铋纳米粒子的相互作用 R. Alhathlool、MH Eisa * 物理系，科学学院，伊玛目穆罕默德伊本沙特伊斯兰大学（IMSIU），利雅得 13318，沙特阿拉伯 近年来，模拟方法受到了各个领域的广泛关注。使用 SRIM 程序将稀土钽酸镥（LuTaO 4 ）掺杂的“氧化铋（Bi 2 O 3 ）薄膜沉积到聚合物基底上。” SRIM 程序用于计算能量在 1.0 MeV 至 20 MeV 之间的 Bi 2 O 3 薄膜的一些物理特性。研究了 LuTaO 4 、Bi 2 O 3 、C 10 H 8 O 4 和 LuTaO 4 / Bi 2 O 3 /C 10 H 8 O 4 样品的“电子和核阻止本领”。这些研究结果表明，稀土掺杂可以改善复合材料的性能。离子束与物质的相互作用会产生各种各样的现象。在 C 10 H 8 O 4 上沉积掺杂 LuTaO 4 的 Bi 2 O 3 薄膜会导致材料“电子和核阻止本领”和范围发生变化。将已发表的数据与获得的结果进行了比较，并提供了计算参数。（2024 年 6 月 1 日收到；2024 年 8 月 1 日接受）关键词：阻止本领、氧化铋、钽酸镥、SRIM、聚合物 1. 简介 阿尔法粒子、氘核和质子对物质有显著影响。短程核力与质子和阿尔法粒子相互作用。随着能量下降，带电粒子会失去速度。在电离和激发过程中，重带电粒子都会失去能量。重带电粒子碰撞时传递的能量较少 [1]。
![arxiv：2410.18305v1 [cond-mat.mtrl-sci] 2024年10月23日](/simg/g:\will\search\icon\source\e\e7f8b0684e02a9d5de758877a1a9043c233d6145.webp)
arxiv：2410.18305v1 [cond-mat.mtrl-sci] 2024年10月23日
我们研究了点缺陷和Hg杂质在碘化抗氢化氢的电子特性中的影响（BI 4 I 4）。在不同温度下退火后我们的传输测量结果表明，BI 4 I 4的电阻率取决于其热史，这表明天然缺陷和杂质的形成可以影响电阻率的温度依赖性。我们的密度功能理论计算表明，二抗和碘反异地和二氮位置空位是主要的天然点缺陷。我们发现，二晶岩在频带边缘引入谐振状态，而碘反异地和二晶的空缺分别导致n型和p型bi 4 i 4 i 4。HG杂质可能在BI替代部位发现，从而产生Bi 4 I 4的P型掺杂。总体而言，我们的发现表明，由于载体的数量和类型的修改以及相关的缺陷（杂质）散射，因此本地点缺陷和杂质的存在可以显着改变电子特性，因此会影响BI 4 I 4的电阻率曲线。我们的结果表明，追求准量子量子材料的电子性质进行微调的可能路线。
增强的结构和光学特性
铋铁氧体 (BiFeO 3 ) 纳米颗粒 K. SARDAR a 、K. ALI a,* 、S. ALTAF a 、M. SAJJAD a 、B. SALEEM a 、L. AKBAR a 、A. SATTAR b 、Z. ALI a 、S. AHMED a 、U. ELAHI a 、EU HAQ a 、A. YOUNUS aa 纳米光电子研究实验室，费萨拉巴德农业大学物理系，38040 费萨拉巴德，巴基斯坦 b 机械、机电一体化和制造工程系（新校区 KSK），工程技术大学，拉合尔，巴基斯坦 通过溶胶凝胶法合成多铁性铋铁氧化物 (BiFeO 3 ) 纳米颗粒。本研究展示了在 550 ᵒ C 下制备铋铁氧体纳米粒子的方法。在该方法中，硝酸铋 [Bi (NO 3 ) 3 .5H 2 O] 和硝酸铁 [Fe (NO 3 ) 3 .9H 2 O] 被用作起始化学剂。为了克服铋在高温下的挥发性，使用了不同重量百分比的化学品。柠檬酸被用作螯合剂。在 550 ᵒ C 下对样品进行热处理。铋铁氧体纳米粒子表现出明显的铁磁性。随着磁化强度的增加，铋铁氧体纳米粒子的尺寸减小。随着 550 ᵒ C 下化学品浓度的增加，由于重结晶，粒径减小。溶胶凝胶法有助于控制晶体的尺寸。利用 X 射线衍射 (XRD)、扫描电子显微镜 (SEM) 和紫外-可见光对制备的铋铁氧体纳米粒子样品进行表征，以获取有关表面形貌和晶体结构的信息。X 射线衍射结果提供了有关粒度和相位识别的信息。紫外-可见光提供了有关 BiFeO 3 纳米粒子带隙能量的信息。扫描电子显微镜结果提供了不同分辨率下纳米粒子的表面形貌和晶粒尺寸的信息。 (2019 年 9 月 23 日收到；2020 年 1 月 22 日接受) 关键词：纳米粒子、溶胶凝胶、氧化铋铁、带隙 1. 简介 在所有多铁性材料中，铋铁氧体 (BiFeO 3) 是一种在钙钛矿结构中显示反铁磁和铁电序参数共存的材料。它以块体形式早已为人所知。 BiFeO 3 在尼尔温度 (TN =643 ᵒ K) 下表现出反铁磁现象，在居里温度 (T c =1103 ᵒ K) 下表现出铁电现象。研究表明，尽管名称如此，BiFeO 3 并非铁氧体结构，而是钙钛矿结构。在块体中，BiFeO 3 被描述为具有空间群 R 3 C 和菱面体扭曲的铁电钙钛矿。晶格参数为 C hax = 13.87Ȧ、ar = 5.63Ȧ、a hax = 5.58Ȧ 和 α r = 59.350。室温下的最大极化为 90µ/cm 2 至 100µ/cm 2。目前对铋铁氧体的研究表明，如果粒子尺寸大于磁性，则磁性会消失，晶体尺寸越小磁性越强。在纳米粒子中，磁性导致螺旋序被抑制（Manzoor 等人，2015 年）。来自天体化学活动的 Bi 3+ 电子离子对起源于铁电序（T c ∼ 830 ᵒ C）。在此类材料中，d 需要不同的填充状态来转换金属离子在铁电和磁性中的状态（Johari，2011 年）。室温下的铋铁氧体是铁电性的，因为沿着钙钛矿结构的一个方向自发电极化是定向的。铁电态导致铋离子相对于 FeO 6 八面体的较大位移，这导致了一些重要的后果。沿 <111> 方向存在 BFO 铁电极化。它导致八种可能的极化方向。通过使用电场，可以通过切换的可能性来控制磁态
应用物理
将稀释的需要二氮浓度掺入传统的III – V合金中会产生带隙能量的显着减少，从而在菌株和带隙工程中带来了独特的机会。然而，宿主基质的理想生长条件与替代二氮的理想生长条件之间的差异导致这些III – V – BI合金的材料质量落后于常规III – V半导体的材料。INSB 1 x BI X虽然在实验上尚未进行，但由于INSB和III – BI材料的理想生长温度相对相对相似，因此是高质量III – V – BI合金的有前途的候选者。通过识别高度动力学上有限的生长状态，我们通过分子束外延展示了高质量INSB 1 x BI X的生长。X射线衍射和Rutherford反向散射光谱法（RBS）测量合金的二晶浓度，并与光滑的表面形态结合，通过原子力显微镜测量，表明Unity-sticking Bismuth掺入了从0.8％到1.5％到1.5％的bismuth浓度，均为0.8％至1.5％。此外，从INSB 1 x BI X中观察到了第一次光致发光，并在230 K时显示了高达7.6 L m的波长延伸，二匹马诱导的带隙还原为29 MeV/％bi。此外，我们报告了INSB 1 x BI X的带隙的温度依赖性，并观察到与传统III – V合金相一致的行为。提出的结果突出了INSB 1 x BI X作为访问Longwave-Infrared的替代新兴候选者的潜力。
合成和介电特性，XPS光谱研究
是由Xrd确定的，标称组成BI 2 Cr 1 /6 Mn 1/6 Fe 1/6 CO 1/6 ni 1/6 ni 1/6 Cu 1/6 cu 1/6 ta 2 o 9+δ，不管合成条件如何，包含均量含量的均量含量的异位甲酸盐溶剂甲酸甲酸酯抗溶剂。在Bi 2-cr 1 /6 Mn 1/6 1/6 Fe 1/6 CO 1 /6 Ni 1/6 Cu 1/6 Cu 1/6 Ta 2 O 9+Δbismuth sublattice中获得了bimuth原子的缺乏。复杂的氧化物在pyrochlore结构类型中结晶（sp。gr。fd -3 m，。= 10.4811（2）Å）。陶瓷的特征是多孔，松散的微观结构，平均晶粒尺寸为0.5 –1μm。根据XPS数据，Pyrochlore中的过渡元件离子主要在Cr（III），Fe（III），MN（II），CO（II），CO（II），Ni（ii），Cu（ii），Cu（ii）状态中。在室温下，BI 2-1 / 3 Cr 1/6 Mn 1/6 Fe 1/6 CO 1/6 CO 1/6 Ni 1/6 Cu 1/6 Ta 2 O 9+δ的介电常数和介电损耗分别为1 MHz，分别为≈46和≈0.004。提出了一个等效电路，该电路模拟样品的电性能。