多功能材料已被确定为开发低功耗技术的关键组成部分。在这方面,过渡金属氧化物已成为理论和实验研究的新焦点,因为它们具有可调的铁电性、磁性、巨磁电阻、多铁性和超导性,这些特性源于结构、电子和磁相关性的微妙相互作用 [1, 2]。如果异质结构中的至少一种组成化合物是过渡金属氧化物钙钛矿,也可以赋予其新功能。[3–6] 在宽带隙绝缘体 LaAlO 3 和 SrTiO 3 (STO) 的界面附近证实了二维金属态 (2DES),它还具有超导性 [7–9] 和大范围可调的 Rashba 自旋轨道耦合 [10],为自旋电子学创造了良好的机会 [11, 12]。此外,对几种ATiO 3 钙钛矿(A=Sr、Ba、Ca)和KTaO 3 的裸露或封盖表面的ARPES测量发现了受限的2DES[13–15];对于STO,提出了磁性迹象,并做出了拓扑状态的理论预测[16–18]。对于先验非极性材料,例如STO和CaTiO 3 (CTO),实验证据表明位于表面附近的氧空位提供了形成金属态的导带载流子[19–22]。块体CTO是绝缘体,带隙为3.5 eV[23]。低于1300 K,氧八面体的大角度旋转和倾斜迫使CTO变为正交结构[24],具有旋转角(φ=9°)和倾斜角(θ=12°)[25]。缺氧的 UHV 清洁 (001) 表面的 ARPES [21, 22] 光谱揭示了低于费米能级 EF 约 1.3 eV 的带内态和三个占据能带,构成 2DES。第一和第三个能带在布里渊区 (BZ) 中心 Γ 附近具有主导的 d xy 特征。第二个能带为
摘要。基于密度功能理论(DFT)的第一原理计算已用于研究α-GAN晶体的结构,电子,光学和热力学方面。基于局部密度近似(LDA),广义梯度近似(GGA)和荟萃分析梯度近似(M-GGA)功能方法,已经估计α-GAN晶体的带隙能量为1.962 eV,2.069 ev和2.354 ev。这些研究中介绍的带隙能量与其他实验和理论研究的能量一致。此外,我们的发现使我们了解了α-GAN晶体的电子和光学特性。α-GAN晶体中的带隙能是定义其电气和光学特征的关键因素。它们是可以将电子从价带向传导带退出的能量范围,从而影响材料的电导率以及材料吸收并发出光的能力。我们在先前的研究中的结果大致表明了我们发现的可靠性,因此增加了我们对α-GAN的电子和光学现象的了解。通过模拟状态密度和α-GAN的状态部分密度,发现了GA和N原子的轨道特性。除了分析带结构,状态的密度和我们还包括化合物的光学特性外。结果表明α-GAN具有直接的带隙,该带隙位于布里群区的G点。这是其开发光电设备的巨大潜力的原因。此外,我们使用前面给出的三个近似值来找到该化合物的光学特性(吸收系数)。除此之外,可以像Debye温度,焓,自由能,熵和热容量一样计算的热力学特性使我们能够更好地了解化合物的热行为。检测到α -GAN的热容量为17.3 Jmole -1 K -1,Debye温度为824.6K。这项研究将对α-G-N提供详细的解释,涵盖其所有基本特性以及光电和电子设备中可能的应用。这项研究的结果非常重要,基于α-GAN研究将开发的新技术将非常有益。
nbp是一种非中心对称拓扑WEYL半学,具有两个关键特征:Weyl点(WP),它们在其大量内通过时间逆转对称(TRS)在其大量内保护,及其在表面上的扩展,称为表面Fermi Arc [1]。这些表面费米弧与韦尔葬礼之间的动态相互作用是各种非凡现象的来源,例如极高的磁磁性,显着的迁移率,量子振荡和手性磁效应。因此,理解并在战略上操纵这些费米弧非常重要[1-3]。在我们的研究中,我们进行了角度分辨光发射光谱(ARPES)实验,以探索NBP的Fermi表面的变化,NBP(一种半学),随后蒸发了铅(PB)和Niobium(NB)。我们专注于在其(001)表面上在磷(P)和niobium(NB)终止上分裂的原始单晶。我们的观察结果表明,与未表现出这些特征的NB端端表面不同,P端的表面显示出独特的勺子和领带形的表面状态。当我们将PB的单个单层(ML)应用于P端的NBP时,我们注意到了一个重要的拓扑Lifshitz Transition(TLT)。这种过渡重新排列了一对桥接邻近的布里鲁因区,改变费米表面并引起费米能量的转移。相反,将约0.8 mL的NB添加到P端的NBP中,其电子结构接近TLT的临界点,从而导致部分转化。[1] H. F. Yang等人,Nat。社区。10,3478(2019)。10,3478(2019)。尽管在费米表面进行了这些修饰,但表面费米弧仍继续连接到拓扑保护的Weyl点。此外,NB终止的NBP,覆盖1.9 mL的Pb显示出其琐碎的表面状态的变化,这是普通的Lifshitz过渡的结果。[2] A. Bedoya-Pinto等,Adv。mater。33,2008634(2021)。[3] S. Souma等人,物理学。修订版b 93,161112(r)(2016)。该研讨会将在203室的英语现场提供,尽管可以使用变焦 - 但在IP PAS网站上提供了链接。
当电子在二维材料中汇总时,可以观察到量子力学增强的传输现象,例如量子厅效应。石墨烯,由孤立的单个石墨层组成,是这种二维系统的理想实现。然而,预期其行为与常规半导体界面中量子井的量子井的情况有明显不同。这种差异来自石墨烯的独特电子特性,该特性在电荷中立性中性1,2附近表现出电子 - 孔变性和消失的载流子质量。的确,从理论上预测了一个独特的半量量子霍尔效应,并且存在电子波功能的非零浆果相(几何量子相),这也是石墨烯带结构的Excep topiation拓扑的结果。石墨结构的微机械提取和制造技术的最新进展8-12现在可以通过实验对这种外来的二维电子系统进行实验探测。在这里,我们报告了在高素质单层石墨烯中对磁通轨道的实验研究。通过使用电场效应来调节化学电位,我们观察到了石墨烯中电子和孔载体的异常半整数量子霍尔效应。通过磁振荡证实了贝瑞阶段与这些实验的相关性。除了它们纯粹的科学兴趣外,这些不寻常的量子传输现象还可能导致基于碳的电子和磁电机设备的新应用。1a,左插图)。石墨烯的低能带结构可以近似为位于两个不相等的布里渊区角(图在这些锥体中,二维(2D)的能量分解关系是线性的,可以将电子动力学视为“相对论”,其中石墨烯基属性的Fermi速度V f表示光速。尤其是在锥形的顶点(称为狄拉克点),电子和孔(颗粒和抗颗粒)是退化的。使用类似于2 saul的1维电动力学2,3,在理论上研究了Landau水平的能量,
M.Sc. 化学 - 学期I无机化学论文 - I无机化学 - I 12小时单位I:金属配体平衡溶液中的逐步和整体形成常数及其相互作用及其相互作用及其相互作用,逐步常数的趋势,影响金属复合物稳定性的因素,该因素与金属离子和静脉效应的性质和静脉效应的性质和静脉效应的性质,并确定型号的be themant效应,并确定静脉效应,并确定静脉效应的量。分光光度法。 II单元:溶剂在化学反应中的非水溶剂作用,溶剂的物理特性,溶剂类型及其一般特征,非水溶剂中的反应,参考液体氨和液体SO 2。 单元III:过渡金属络合物的磁性特性可过渡金属络合物和灯笼的磁性特性,自旋轨道耦合以及过渡金属离子和稀土的易感性;具有A,E和T对称性的晶体场术语的金属配合物的磁矩,T.I.P.,分子内效应,金属复合物的抗磁磁性和铁磁性,超级磁磁性。 高自旋和低自旋平衡,解开磁矩,磁交换耦合和自旋跨界。 第四单元:固态无机材料简介,金属键,带理论(区域模型,布里鲁因区域,区域模型的限制):固体缺陷,P型和N型,无机半导体,无机半导体(用于跨晶体管,IC等,用于等 ),无机材料,超导体的电气,光学,磁性和热性能,特别强调了高温超级导体的合成和结构。 建议的书:1。 2。 3。 4。M.Sc.化学 - 学期I无机化学论文 - I无机化学 - I 12小时单位I:金属配体平衡溶液中的逐步和整体形成常数及其相互作用及其相互作用及其相互作用,逐步常数的趋势,影响金属复合物稳定性的因素,该因素与金属离子和静脉效应的性质和静脉效应的性质和静脉效应的性质,并确定型号的be themant效应,并确定静脉效应,并确定静脉效应的量。分光光度法。II单元:溶剂在化学反应中的非水溶剂作用,溶剂的物理特性,溶剂类型及其一般特征,非水溶剂中的反应,参考液体氨和液体SO 2。单元III:过渡金属络合物的磁性特性可过渡金属络合物和灯笼的磁性特性,自旋轨道耦合以及过渡金属离子和稀土的易感性;具有A,E和T对称性的晶体场术语的金属配合物的磁矩,T.I.P.,分子内效应,金属复合物的抗磁磁性和铁磁性,超级磁磁性。高自旋和低自旋平衡,解开磁矩,磁交换耦合和自旋跨界。第四单元:固态无机材料简介,金属键,带理论(区域模型,布里鲁因区域,区域模型的限制):固体缺陷,P型和N型,无机半导体,无机半导体(用于跨晶体管,IC等,用于),无机材料,超导体的电气,光学,磁性和热性能,特别强调了高温超级导体的合成和结构。建议的书:1。2。3。4。Incedy,J。复杂平衡的分析应用:纽约,纽约(1976)。Hartley,F。R.,Burgess,C。&Alcock,R。M.解决方案Equilibria Prentice-Hall:欧洲(1980)。Ringbom,A。分析化学中的络合Wiley:纽约(1963)。 H.H. 的非水溶性化学 西斯勒。 5。 R.L. 的磁化学 卡林。 6。 Mabbs,F。E.&Machin,D。J. 磁和过渡金属综合体Chapman and Hall:英国(1973)。Ringbom,A。分析化学中的络合Wiley:纽约(1963)。H.H.西斯勒。5。R.L.卡林。6。Mabbs,F。E.&Machin,D。J.磁和过渡金属综合体Chapman and Hall:英国(1973)。
在过去的几十年中,被困的离子已成为实现大规模量子信息处理的顶级竞争者之一。迄今为止,使用离子的实验达到了数十个离子量子位的水平,但是将离子添加到长链中的当前模型可能不会扩展到某些计算所需的数字。最近已经探索的替代架构是将离子排列在一个大数组中,以便可以将它们改组以在芯片周围传输量子信息。这种方法有望大大增加Qubits的数量,同时保持速度,忠诚度和连接性,但是随着这些阵列的规模的增加,控制系统的所需密度可能会与当前方法变得棘手。在本文中,我们探讨了经典控制技术与离子陷阱的集成,并研究了这是否可以提供所需的控制水平,以建立阵列体系结构作为通往更复杂的捕获离子量子计算机的更可行的路径。我们首先关注经典的低温电子将其整合到离子陷阱中,该陷阱用于控制离子的陷阱频率并表现出基本的运动。一个集成开关允许将离子与电压噪声的影响隔离。接下来,我们演示了刺激的布里鲁因散射(SBS)激光器以解决原子时钟协议中的离子的操作。在我们的实验中,SBS激光器的线宽与散装型稳定的激光具有相称的线宽,并且可能为在离子陷阱包装中产生高度连接光的路径。随后,我们探讨了光子波导和光栅耦合器的整合,这些耦合器可以在片上绕激光射线光,并将光聚焦到被困在芯片上方的离子上。考虑了流浪电场的效果,并且表征了综合光源的好处。在阵列架构中,能够在区域之间在区域之间运输离子而不引入过度的运动反应将很重要。我们提出了一种使用电路模拟的技术,以预延伸电压波形,以快速运输,并演示了旨在快速拆分和连接离子链的陷阱的基本操作。这里涵盖的研究有助于告知未来的离子陷阱架构决策,并为在这些不同技术之间进行进一步分析奠定了基础。
光纤基础架构对于处理从军事智能到个人信息的广泛敏感数据至关重要。近年来,这些系统对这些系统的破坏尝试增加,以及未经授权的数据拦截的风险,这对量子计算的进步加剧了[1,2]。光纤特别容易受到窃听攻击的影响,其中未经授权的光耦合技术(例如evaneScent耦合,剪切,V-Grove剪切和微宏弯曲[3,4)可用于拦截数据。监视光电水平是检测窃听攻击的一种方法,但它可能不适用于导致最小或无法检测到的功率水平下降的攻击[5]。比光学功率跟踪更复杂的技术涉及监测接收器的极化状态变化,以使窃听尝试的正常系统变化。早期工作[6]使用分布式光纤传感(DFO)引入了一个系统,该系统可以通过使用已安装的光纤电缆触摸或操纵围栏来检测签名。但是,由于纤维杂质而依赖瑞利和布里鲁因反向散射,使该溶液复合物。此外,需要高速脉冲激光器以基于反向散射脉冲延迟确定漏洞的位置,再加上二氧化双流器以滤除放大的自发噪声的要求,并以其高成本进行贡献。1a)。[7]中的工作研究了不同纤维事件的极化特征,因为在特定时间和频率窗口中极化的序列变化,通过处理Poincar´e球中的极化状态得出(请参阅图通过窃听和有害事件产生的签名是在独特的情节中视觉的,被称为瀑布,使人类安全操作员可以在视觉上区分合法和未经授权的活动。这是一种比[6]的方法更简单,更具成本效益的恶意活动检测方法。然而,由于需要分析瀑布地块的人类专家,因此基于可视化的技术具有有限的适用性和可伸缩性。为了克服现有人类依赖性解决方案的可伸缩性和成本限制,我们引入了一种使用机器学习(ML)算法来分析极化特征的新方法。本文是第一个针对三种电缆类型进行实验收集和分析包含窃听攻击以及其他潜在有害和无害事件的数据集的。我们的方法论是从正常操作条件和无害事件中分析和分析窃听和潜在有害事件的过程,从而允许潜在的大规模光网络部署。提出的方法以92.3%的精度成功地分离了签名。
3 ICREA-CATALANA DE RECERCA I ESTUDISAVANçats,巴塞罗那,西班牙 *JENS.BIEGERT@ICFO.EU.EU†SIDIROPO@MBI-Berlin.de激发电子带结构的极端网络的准园林,是电子带的电气循环的网关。在多体系统中,准粒子动力学受到电子单粒子结构的强烈影响,并且在弱的光学激发方案中进行了广泛的研究。然而,在强烈的光学激发下,光场相干驱动载体,多体相互作用的动力学可能导致新的量子阶段,这在很大程度上仍未得到解决。在这里,我们通过对石墨中的Van Hove奇异性附近的电荷载体的强烈光学激发来诱导如此高的非平衡多体状态。我们将系统的演变调查为具有attosent Soft X射线核心水平光谱的强驱动的光启动状态。出乎意料的是,我们发现光导率的增强量是量子电导率的近十倍,并将其定位在平坦带中的载体激发中。这种相互作用状态与载流子 - 载体相互作用具有强大的功能,与相干的光学声子充当吸引人的吸引力,让人联想到超导性。强驱动的非平衡状态与单粒子结构和宏观电导率明显不同,这是非绝热多体状态的结果。在强驱动的冷凝物质系统中的光学诱导的电子相变表现出来自均衡状态的不平衡状态,例如声子的光激发及其非线性耦合至电子状态1-5。但是,在室温下发生相变的状态密度非常高。诱导此类新阶段的门户是布里鲁因区域边缘的高摩孔电子状态,其中单粒子电子带结构表现出极值,例如平面电子带6,7。最近在石墨烯中观察到了具有类似于超导性8,9或磁性10,11的特性的相关的电子状态的电子激发(VHS),相关的电子状态相关。的散装石墨中的电子相变的插入式化合物,其在VHS 12,13附近的费米水平。有些作品甚至报告了在高温下高度热解石墨(HOPG)中可能发生的相变。但是,确切的机制仍在争论14-17。hopg与ab(bernal)堆叠van-der-waals绑定的层是有趣的,例如材料与双层 - 格拉烯具有相似特性的研究;参见图1a。在两个系统中,相邻层中电子状态的层间耦合均取升了dirac点的频段的堕落,这导致以K-Point 18,19的带隙小于60 MeV的分裂频段。相比之下,频带在H点周围保持线性,即电荷载体的行为像无质量的零粒子20。k点处的分裂频段通过近乎分散的频带连接到H点,从而删除了电子系统的二维(2D)限制;因此,通过层中
过渡金属二盐元化(TMDS)的单层表现出许多具有不同结构,对称性和物理特性1-3的晶体相。在二维4中探索这些不同的结构阶段之间的过渡物理学可能会提供一种切换材料特性的方法,这对潜在的应用有影响。由热或化学方法5,6诱导;最近提出,通过静电掺杂对晶体相纯粹的静电控制是一种理论上的可能性,但尚未实现7,8。在这里,我们报告了单层钼二硫代硫醇的六边形和单斜阶段之间静电掺杂驱动的相变的实验证明(Mote 2)。我们发现相变显示了拉曼光谱中的滞后环,并且可以通过增加或降低栅极电压来逆转。我们还将第二谐波生成光谱与极化分辨的拉曼光谱结合在一起,以表明诱导的单斜相保持原始六边形相的晶体取向。此外,这种结构相变于整个样品同时发生。这种结构相变的静电掺杂控制为基于原子薄膜开发相变设备的新可能性开辟了新的可能性。分层TMD中通常研究的晶体形式是最稳定的六边形(2H)相。在这种情况下,如图有趣的是,实验研究报道了另一种分层晶体结构,即单斜(1T')相。1a,每个单层由一层六角形的过渡金属原子组成,并将其夹在两个层的chalcogen原子1之间。与散装形式不同,单层2H TMD成为直接带隙半导体和断裂反转对称性,在布里远区域9,10的角落形成了不等的山谷。这种山谷的自由度,以及在低维度中的强烈激子效应,使该阶段成为二维谷LeTronics和Optoelectronics 11-13的独特平台。在这里,在每个层中,丘脑原子在过渡金属原子周围形成一个八面体配位,沿y轴14的晶格失真(图1b)。与半导体2H相不同,半金属或金属1T'单层TMDS保留反转对称性,预计将表现出非平凡的拓扑状态2,3。2H和1T'相之间过渡的动态控制可以揭示不同晶体结构的竞争,共存和合作,以及不同的物理特性之间的相互作用15。这种控制还导致广泛的设备应用,例如记忆设备,可重新配置的电路和拓扑晶体管在原子上较薄的限制为2,16,17。到目前为止,通过在500°C下的热合成进行了实验报告TMD中的2H到1T'相变(参考5),通过元素取代18和激光照射19。但是,这些相变仅在几层或
时间倒转对称性的kagome超导性作者:汉宾·邓(Hanbin Deng)1 *,朱wei liu 1 *,Z。Guguchia2 *,Tianyu Yang 1 *,Jinjin liu 3,4 * Frédéric Bourdarot 9 , Xiao-Yu Yan 1 , Hailang Qin 7 , C. Mielke III 2 , R. Khasanov 2 , H. Luetkens 2 , Xianxin Wu 10 , Guoqing Chang 6 , Jianpeng Liu 11 , Morten Holm Christensen 12 , Andreas Kreisel 12 , Brian Møller Andersen 12 , Wen Huang 13 , Yue Zhao 1 ,Philippe Bourges 8,Yugui Yao 3,4,Pengcheng Dai 5,Jia-Xin Yin 1,7†隶属关系:1 Southern科学技术大学物理系,中国广东,深圳。2个宇宙旋转光谱实验室,保罗·施雷尔学院(CH-5232),瑞士维利根PSI。3量子物理中心,高级光电量子体系结构和测量(MOE)的主要实验室(MOE),北京理工学院,中国北京理工学院物理学院。4北京纳米植物和超细光电系统的北京关键实验室,中国北京理工学院。5美国休斯敦莱斯大学物理与天文学系77005,美国。6物理学和应用物理学,新加坡Nanyang Technological University的物理和数学科学学院,新加坡637371。7广东港量子科学中心大湾大湾地区(广东),中国深圳。8帕里斯 - 萨克莱大学,CNRS-CEA,LaboratoireLéonBrillouin,91191,法国Gif Sur Yvette,法国。9UniversitéGrenoble Alpes,CEA,INAC,MEM MDN,F-38000 Grenoble,法国。*这些作者为这项工作做出了同样的贡献。10理论物理学的CAS关键实验室,理论物理研究所,中国科学院,中国北京。11上海大学物理科学技术学院,上海2011年,中国。12尼尔斯·博尔研究所,哥本哈根大学,丹麦哥本哈根DK-2200。13深圳量子科学与工程研究所,南方科学技术大学,深圳518055,中国广东。 †相应的作者。 电子邮件:zhiweiwang@bit.edu.cn; yinjx@sustech.edu.cn超导性和磁性是拮抗量子物质,而在沮丧的局限性系统中,它们长期以来一直在考虑它们的交织。 在这项工作中,我们利用扫描隧道显微镜和MUON旋转共振来发现Kagome Metal CS(V,TA)3 SB 5中的时间反转对称性超导性,在其中Cooper配对表现出磁性磁性,并由其调节。 在磁道通道中,我们观察到完全差距超导状态下的自发内部磁性。 在反磁场的扰动下,我们检测到Bogoliubov Quasi粒子在圆形载体上的时间反转不对称干扰。 在该矢量中,配对差距自发调节,这与在点矢量处发生的成对密度波不同,并且与时间反向对称性破坏的理论提议一致。 内部磁性,Bogoliubov准颗粒和配对调制之间的相关性为时间反向对称性的Kagome超导性提供了一系列实验线索。13深圳量子科学与工程研究所,南方科学技术大学,深圳518055,中国广东。†相应的作者。电子邮件:zhiweiwang@bit.edu.cn; yinjx@sustech.edu.cn超导性和磁性是拮抗量子物质,而在沮丧的局限性系统中,它们长期以来一直在考虑它们的交织。 在这项工作中,我们利用扫描隧道显微镜和MUON旋转共振来发现Kagome Metal CS(V,TA)3 SB 5中的时间反转对称性超导性,在其中Cooper配对表现出磁性磁性,并由其调节。 在磁道通道中,我们观察到完全差距超导状态下的自发内部磁性。 在反磁场的扰动下,我们检测到Bogoliubov Quasi粒子在圆形载体上的时间反转不对称干扰。 在该矢量中,配对差距自发调节,这与在点矢量处发生的成对密度波不同,并且与时间反向对称性破坏的理论提议一致。 内部磁性,Bogoliubov准颗粒和配对调制之间的相关性为时间反向对称性的Kagome超导性提供了一系列实验线索。电子邮件:zhiweiwang@bit.edu.cn; yinjx@sustech.edu.cn超导性和磁性是拮抗量子物质,而在沮丧的局限性系统中,它们长期以来一直在考虑它们的交织。在这项工作中,我们利用扫描隧道显微镜和MUON旋转共振来发现Kagome Metal CS(V,TA)3 SB 5中的时间反转对称性超导性,在其中Cooper配对表现出磁性磁性,并由其调节。在磁道通道中,我们观察到完全差距超导状态下的自发内部磁性。在反磁场的扰动下,我们检测到Bogoliubov Quasi粒子在圆形载体上的时间反转不对称干扰。在该矢量中,配对差距自发调节,这与在点矢量处发生的成对密度波不同,并且与时间反向对称性破坏的理论提议一致。内部磁性,Bogoliubov准颗粒和配对调制之间的相关性为时间反向对称性的Kagome超导性提供了一系列实验线索。
