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World File Search SystemC30902EH
低噪声穿透式 APD，适用于低光照水平检测
Excelitas Technologies 的 C30902EH 系列雪崩光电二极管采用双扩散“穿透”结构制造而成。这种结构在 400 nm 和 1000 nm 之间具有高响应度，并且在所有波长下都具有极快的上升和下降时间。该设备的响应度与高达约 800 MHz 的调制频率无关。探测器芯片密封在改进的 TO-18 封装中的平板玻璃窗后面。光敏表面的有用直径为 0.5 毫米。C30921EH 采用光导管 TO-18 封装，可将光从聚焦点或直径达 0.25 毫米的光纤高效耦合到探测器。密封的 TO-18 封装允许将光纤连接到光导管末端，以最大限度地减少信号损失，而不必担心危及探测器的稳定性。 C30902EH-2 采用密封 TO-18 封装，内嵌 905nm 通带滤波器，C30902BH 采用密封球透镜，构成了 C30902EH 系列。C30902 APD 系列还具有单光子 APD (SPAD)，可在盖革模式和线性模式下以更高的增益运行。有关更多信息，请参阅我们的 C30902SH 数据表。
C30902 系列_修订版2022.01
Excelitas Technologies 的 C30902EH 系列雪崩光电二极管采用双扩散“穿透”结构制造而成。此结构在 400 nm 和 1000 nm 之间提供高响应度，并在所有波长下提供极快的上升和下降时间。器件的响应度与高达约 800 MHz 的调制频率无关。C30902SH 系列硅 SPAD 提供极低的噪声和大暗电流，可实现非常高性能的数据和距离测量。它们特别适合超低光照水平检测应用（例如单光子计数和量子通信），适用于光功率小于 1 pW 的情况。C30902SH 可在线性模式（V OP < V BD ）下使用，典型增益为 250 或更高，或在“盖革”模式（V OP > V BD ）下使用，具有极低且稳定的暗计数率和脉冲后比。在此模式下，无需放大器，单光子检测概率最高可达约 50%。为了获得更高性能，这些高性能 SPAD 可配备单级或双级热电冷却器。