本期特刊探索了纳米材料这一令人着迷的领域,重点关注其晶体结构、合金以及在核材料和核能中的应用。为此,我们正在寻求利用密度泛函理论 (DFT)、从头算分子动力学 (AIMD) 和其他基于第一性原理的理论框架来研究电子结构和特性的原创研究、评论和观点。纳米级材料由于尺寸减小而具有独特的性能,使其在核应用方面具有吸引力。第一性原理计算提供了对原子级行为的洞察,本期特刊旨在增强我们对晶体结构、合金和纳米级材料在核系统中的性能之间关系的理解。我们邀请研究人员和专家为核材料和核能应用贡献他们对纳米级材料的原创研究。本期特刊的目的是促进跨学科合作,并在核科学和技术的背景下增进我们对纳米级材料的理解。
电磁超材料已成为一种革命性的人工结构材料,对电磁波具有前所未有的控制能力。它们能够超越天然材料的局限来操纵电磁特性,为技术进步开辟了广阔的可能性。本期特刊旨在研究超材料领域的前沿进展和新兴趋势,特别关注空间技术、6G 通信和非地面应用的电磁、射频和微波。本期旨在整合超材料在以下领域的最新研究成果、新颖的设计原理、制造技术和突破性应用:太空探索和开发;6G 通信和技术;可重构智能表面 (RiS);非地面网络 (NTN) 通信和技术;用于长距离通信的 Ka 和 Ku 波段技术;传感器、反射阵列天线、波束成形天线、带通/阻天线、微波/太赫兹吸收器、太阳能系统。
HAL 是一个多学科开放存取档案库,用于存放和传播科学研究文献,无论这些文献是否已出版。这些文献可能来自法国或国外的教学和研究机构,也可能来自公共或私人研究中心。
不可侵犯生长过程的缺陷。激光性能通常受到Ti3þ -Ti4Þ离子对8的光损失红外吸收带的限制,这些离子对8恰好发生在激光发射波长中。退火改善了成年晶体的质量。它允许将部分更改为ti3Þ,并改善所谓的功绩图(FOM),该图可以测量约500 nm的吸收系数与吸收系数相对于寄生虫Ti3Þ -Ti3Þ -Ti4Þ吸收带的吸收系数的比率。在本文中,大尺寸和高度Ti3Þ掺杂的Al 2 O 3单晶在RSA Le Rubis Company的Kyropoulos Technique(KT)成功生长,并执行了成年晶体的光学特征。
从位置B更改为其非对映异构体a。尚未确定负责C3-二聚化的酶为当前日期。它也由Reddy等人提出。该途径可用于通过C-24氧化抗活化的代谢产物[18]在胆汁酸代谢中表征良好的现象,在胆汁酸代谢中,该反应被胆汁酸羟基甾体脱氢酶催化[27]。该途径在类固醇激素(如雄激素)的激活和/或灭活中也起着主要作用[28]。尽管结合亲和力低于钙三醇,但1 A,25(OH)2 -3- EPI-D 3仅在产生的特定组织中才具有显着的生物学活性[29]。1 A,25(OH)2 -3-EPI-D 3化合物的转录响应在不同组织中的不同VDR-指导基因的不同。例如,它显示骨钙素基因和较低的HL60分化[30]的激活较低,但在1 A,25(OH)2 D 3具有抑制角质形成细胞的细胞增殖[19]和抑制甲状腺功能旁分泌的甲状旁腺副细胞[25]时,几乎具有等值的活性。这些与其低钙化活性相关的体外特性[31,32]为该化合物分配了潜在的治疗兴趣。要进一步揭露1 A,25(OH)2 -3-EPI-D 3 /HVDR-LBD综合的结构机制和结构 - 活性关系,我们描述了一种更有效的合成途径,以合成1 A,25(OH)2 -3-EPI-D 3,其中一些具有其体外生物学和与HVDR的体外生物学和晶体结构的合成。
4晶格20 4.1晶格内的索引。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。20 4.1.1六角形棱镜。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。21 4.1.2表格。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。23 4.1.3方向指数。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。24 4.1.4区域。 。 。 。 。 。 。 。24 4.1.4区域。。。。。。。。。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>24 4.2纬度。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>25 4.2.1单元单元。 div> 。 div> 。 div> 。 div> 。 div> 。 div> 。 div> 。 div> 。 div> 。 div> 。 div> 。 div> 。 div> 。 div> 。 div> 。 div> 。 div> 。 div> 。 div> 。 div> 。 div> 。 div> 。 div> 。 div> 。 div> 。 div> 。 div> 。 div> 。 div> 。 div> 27 4.2.2 Planne Group。 div> 。 div> 。 div> 。 div> 。 div> 。 div> 。 div> 。 div> 。 div> 。 div> 。 div> 。 div> 。 div> 。 div> 。 div> 。 div> 。 div> 。 div> 。 div> 。 div> 。 div> 。 div> 。 div> 。 div> 。 div> 。 div> 。 div> 。 div> 。 div>25 4.2.1单元单元。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>27 4.2.2 Planne Group。 div> 。 div> 。 div> 。 div> 。 div> 。 div> 。 div> 。 div> 。 div> 。 div> 。 div> 。 div> 。 div> 。 div> 。 div> 。 div> 。 div> 。 div> 。 div> 。 div> 。 div> 。 div> 。 div> 。 div> 。 div> 。 div> 。 div> 。 div> 。 div>27 4.2.2 Planne Group。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>27 4.3示例石墨烯。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。30 4.3.1太空格子或勇敢的格子。。。。。。。。。。。。。。。31 4.3.2单位单元内的位置。。。。。。。。。。。。。。。。。31 4.3.3六角形闭合结构HCP。。。。。。。。。。。。31 4.3.4菱形(六角形)。。。。。。。。。。。。。。。。。。。32
III-V 半导体与硅外延杂化过程中的晶体相控制 Marta Rio Calvo、Jean-Baptiste Rodriguez *、Charles Cornet、Laurent Cerutti、Michel Ramonda、Achim Trampert、Gilles Patriarche 和 Éric Tournié * Dr. M. Rio Calvo、Dr. J.-B.罗德里格斯、 L. Cerutti 博士、 Pr. É. Tournié IES,蒙彼利埃大学,法国国家科学研究院,F- 34000 蒙彼利埃,法国 电子邮箱:jean-baptiste.rodriguez@umontpellier.fr , eric.tournie@umontpellier.fr Pr. C. Cornet 雷恩大学,雷恩国立应用科学学院,法国国家科学研究院,FOTON 研究所 – UMR 6082,F-35000 雷恩,法国 Dr. M. Ramonda CTM,蒙彼利埃大学,F- 34000 蒙彼利埃,法国 Dr. A. Trampert Paul-Drude-Institut für Festocorporelektronik,Leibniz-Institut im Forschungsverbund Berlin eV,Hausvogteiplatz 5-7,10117,柏林,德国 Dr. G. Patriarche 巴黎-萨克雷大学,法国国家科学研究院,纳米科学与技术中心纳米技术,91120,帕莱索,法国 关键词:外延生长,反相域,单片集成,III-V 半导体,硅衬底
Ritesh Haldar,Hongye Chen,Antoine Mazel,Dong-Hui Chen,Gaurav Gupta等人。天线:实现晶体化的伪装性果皮中实现良好的光波长转化的关键。高级材料界面,2021,8(10),pp.2100262。10.1002/admi.202100262。hal-03384232
使用激光器以高空间精度实现硅中受控的晶体相变,承诺在包括硅光子学在内的半导体技术中新的制造溶液。最近的改善非晶厚度位置超快激光器作为应对当前挑战的最佳工具。在这里,审查了有关硅转化的文献,并与新的实验数据相辅相成。这包括非晶态和消融响应,这是脉冲持续时间的函数(𝝉 = 13.9至134 fs 𝝀 = 800 nm)和激光波长(𝝀 = 258至4000 nm,𝝉 = 200 fs脉冲)。对于脉冲持续时间依赖性的SI研究(111),非晶化的阈值随持续时间较短而降低,强调了在考虑条件范围内非线性吸收的显着性。对于波长依赖性研究,非晶化阈值从𝝀 = 258急剧增加到1030 nm,其次是接近恒定的行为至𝝀 = 3000 nm。相反,在这些指定的范围内的消融阈值增加。还讨论了在Si(111)和Si(100)上获得的非晶化厚度的差异,并识别出异常大的宽度范围,以在𝝀 = 258 nm处进行非晶化。最后,解决了与相互作用非线性无关的横向分辨率的问题。