Wissal Belayachi,Salma Boujmiraz,Salma Zouhair,KübraYaşaroğlu,Guy Schmerber等。研究基于MAI的混合有机有机 - 内科卤化物太阳能细胞基于MAI [(PBI2)1 – X(CUI)x] X] x] x] x] x] x] x] x] x] x]。材料科学杂志:电子学中的材料,2021,32(15),pp.20684-20697。10.1007/s10854-021-06582-2。hal-03322284
低维铁电体、亚铁电体和反铁电体由于其不同寻常的极性、压电、电热和热电特性而受到迫切的科学关注。层状二维范德华材料(如 CuInP 2 (S,Se) 6 单层、薄膜和纳米薄片)的铁电特性的应变工程和应变控制具有根本性的意义,尤其有望在纳米级非易失性存储器、能量转换和存储、纳米冷却器和传感器等高级应用中得到应用。在这里,我们研究了半导体电极覆盖的亚电介质 CuInP 2 S 6 薄应变膜的极性、压电、电热和热电特性,并揭示了失配应变对这些特性的异常强烈影响。特别是,失配应变的符号及其大小决定了压电、电热和热电响应的复杂行为。与许多其他铁电薄膜相比,应变对这些特性的影响是相反的,即“异常的”,对于这些铁电薄膜,平面外剩余极化、压电、电热和热电响应对于拉伸应变强烈增加,对于压缩应变则减小或消失。
基于互补氢键碱基配对的核酸高度复杂的分子识别能力导致了 DNA 纳米技术研究领域的迅猛发展。1 通过控制 DNA 杂交和结构以响应诸如 DNA/RNA 结合、pH 变化和光照射等刺激,已经创建了大量 DNA 纳米设备、传感器和分子机器。2 金属离子也可用作外部刺激来调节 DNA 结构和功能,特别是通过利用金属介导的非自然碱基配对。3 通过与桥接金属离子络合,两个相反的配体型核碱基类似物之间形成金属介导的人工碱基对。金属介导的碱基配对通常可以稳定 DNA 双链,从而以金属依赖的方式控制 DNA 杂交。为了通过金属络合有效地切换 DNA 功能,我们最近建立了一种新的概念,即双面 5-修饰嘧啶核碱基的金属介导碱基对切换。 4 – 7 双面碱基,如 5-羟基尿嘧啶 ( U OH ) 4,5 和 5-羧基尿嘧啶 ( caU ) 6 被设计成在金属介导的自碱基对 (例如, U OH – Gd III – U OH ) 中形成
摘要:纳米级铁电2D材料提供了研究曲率和应变对材料功能的影响的机会。在其中,由于室温铁电位的组合,对少数层厚度的可伸缩性以及由于2个极高的共存性,Cuinp 2 S 6(CIPS)近年来引起了近年来的巨大研究兴趣。在这里,我们通过压电响应力显微镜和光谱探索了CIPS极化的局部曲率和应变影响。为了解释观察到的行为并使2D CIPS中的曲率和应变效应脱离,我们介绍了有限的元素landau- ginzburg-德文郡模型,揭示了经受拉伸菌株和压缩应变的地区的滞后特性的强烈变化。压电力显微镜(PFM)的结果表明,弯曲会诱导CIPS中的铁晶域,并且极化 - 电压磁滞回路在弯曲和非弯曲区域不同。这些研究提供了有关曲率工程纳米电子设备的制造的见解。关键字:Cuinp 2 S 6,铁电,挠性,应变,曲率,2D材料,压电响应力显微镜W
摘要。辣椒半导体由于其高功率转化效率而被广泛用作薄膜太阳能电池,尤其是柔性太阳能电池的吸收剂。它们也具有有趣的机械性能,使它们具有有希望的材料,可弹性,光线和薄的太阳能电池。在这项工作中,我们报告了Cuins 2,Cuinse 2和Cuin(S,SE)2吸收器太阳能材料的晶格常数和大量模量的第一原则计算。使用PBE-GGGA近似值和Ultrasoft伪电位在密度功能理论框架中使用量子意式浓缩软件软件包中实现的平面波进行所有计算。计算出的晶格常数与可用的实验研究很好地相关。使用Birch-Murnaghan的状态方程的三阶来描述能量体积和压力量关系,以计算吸收器太阳能材料的大量模量,这与特定条件下材料的硬度相关。除了Cuin(S,SE)2外,对Cuins 2和Cuinse 2获得的批量模量值与可用的理论结果非常吻合,这些结果已首次计算并报告。
高光学吸收弹性纳米复合材料可以形成为独立材料,以薄膜形式应用于宏观 [1] 和微观目标 [2] 上,并使用软光刻等表面改性技术进行图案化。 [3] 它们广泛应用于从发光二极管 [4] 到生物检测 [5] 和太阳能电池 [6] 的各个领域。 [7–11] 这些弹性复合材料在生物医学成像方面显示出巨大的前景,特别是在光学超声 (OpUS) 生成方面。 [7–11] 在这里,弹性复合膜吸收脉冲或调制光源,通过光声效应产生超声波。 [10,12,13] OpUS 发射器的优势在于它们可以从微型设备产生高超声压力和带宽,而不会影响其生成效率;此外,它们不受电磁干扰,并具有低成本生产的潜力。 [8,14,15]
摘要:由于热力学的局限性,电子的玻尔兹曼分布阻碍了晶体管晶体管的进一步减少功耗。然而,随着铁电材料的出现,预计将解决此问题。在此,我们基于CIPS/MOS 2 van der waals杂结型演示了或逻辑铁电位晶体管。利用铁电材料的电场放大,CIPS/MOS 2 VDW铁电晶体管在三个数量级上的平均亚阈值摇摆(SS)为52 mV/dec的平均下阈值(SS),最小SS SS SS SS SS SS SS SS SS SS SS SS/DEC的最低限度为BoltzMann限制,从而在室内温度下限制。双门控铁电位晶体管表现出出色或逻辑的操作,供应电压小于1V。结果表明,由于其在距离内造成的,陡峭的suppherope subthers thrope subphersholt swing and Powdertage and plow show thres thrope subshort swing and show thershold swing and show supshort swing and show powertapt and pow showtage and powertage and the cips/mos 2 vdw铁电晶体管具有很大的潜力。
摘要:单层过渡金属二硫属化物 (TMD) 为研究二维 (2D) 极限下的激子态提供了平台。TMD 中激子的固有属性,例如光致发光量子产率、电荷态甚至结合能,可以通过静电门控、选择性载流子掺杂或基底电介质工程进行有效控制。本文,为了实现激子态的非挥发性电可调性,从而实现 TMD 的光学属性,我们展示了一种具有单层 MoSe 2 和超薄 CuInP 2 S 6 (CIPS) 的二维铁电异质结构。在异质结构中,CIPS 的电极化导致单层 MoSe 2 中出现连续、全局和大的电子调制。利用 CIPS 的饱和铁电极化,可以在单个器件中实现电子掺杂或空穴掺杂的 MoSe 2。异质结构中载流子密度可调性高达 5 × 10 12 cm − 2 。还表征了这些器件长达 3 个月的非挥发性行为。我们的研究结果为低功耗和长期可调的光电器件提供了一种新的实用策略。关键词:激子、MoSe 2 、CuInP 2 S 6 、铁电性、2D 铁电异质结构■引言