Panteleimon Panagiotou 博士 信息和通信技术、工程与自然科学部门负责人 巴伐利亚研究联盟 (BayFOR) Prinzregentenstr. 52 80538 München 电话:+49 89 9901888-130 电子邮箱:panagiotou@bayfor.org 网站:www.bayfor.org
这意味着载流子在费米能级上完全 (100%) 自旋极化,使磁性 HM 在先进自旋电子器件中具有极好的实际应用前景。[1–6] 然而,开发适用于接近室温 (RT) 温度的实用自旋电子器件需要同时考虑 HM 材料的某些合成性能。首先,FM 或 FiM 居里温度 ( TC ) 应明显高于 RT。其次,绝缘自旋通道的能隙 ( E g ) 应足够宽以抑制由载流子热激发引起的自旋翻转转变,确保在工作温度区域内 100% 自旋极化。[7,8] 此外,与磁矩成正比的电子自旋极化必须足够高才能有效地注入极化自旋。[4,9–12] 钙钛矿氧化物是半金属研究的最重要系统之一。迄今为止,钙钛矿中实验实现的最高 TC 约为 635 K。[13] 尽管实验中已经报道了各种各样的磁性 HM,但开发同时满足上述三个要求的单相材料仍然是一个关键挑战。例如,尽管在 NiMnSb、[3] Co 2 FeSi、[14] 中观察到较高的居里温度
量子异常霍尔效应(QAHE)提供了量化的电导和无损传输,而无需外部磁场。[1]为此目的[2-4]将铁磁性与拓扑绝缘子结合起来的想法促进了材料科学。[5,6]这导致了QAHE在Cr-和V掺杂(BI,SB)2 TE 3 [7-11]中的实验发现,并在霍尔电阻率上进行了预先量化的量化值,以至于均为每百万个次数。[12–15] V或Cr替代的稳定3 +构型通过耦合过渡金属原子的磁矩来实现铁磁性,从而实现铁磁性。因此,通过垂直磁化 - 在拓扑表面状态的狄拉克点上的间隙开口,时间反转对称性被损坏。[2-5]该差距具有预先量化的电导率的手性边缘状态。但是,
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