Hanna Abbas(DSM -Firmenich),Chiara Achilli(帕尔马大学),YvonneAgersø(Chr,Hansen A/S),Aikaterini Alexopoulou(Fefana Asbl Ing),列瓦什尼·比尤(Levashni Bijou),卡罗琳·布德格(ANSES),鲁德·布雷默斯(Ruud Bremmmers)(Regal BV),本杰明·贝克尔(Benjamin Buckle)(Salus Animal Health Ltd),Giuseppe Luca Capodieci(fefana) Costerousse -Cogreen Consulting),Fabiola Cuevas(Corteva Agriscience BV),ChloéDamour(Metex Noovistago),Teresa Debesa(Nutreco),朱利安Debiais(All4feed)、Ruud Detert(Food Basics)、Sabina Díaz(Novus Spain SA)、Juliane Dohms(Phytobiotics Futterzusatzstoffe GmbH)、Daisy Rocio Duchen Bocangel(Pen & Tec Consulting)、Esraa Elewa(Nutreco)、Tanja Erbs(Novozymes)、Mari Eskola(Medfiles Ltd)、Melani Garcia(Volac Feeds Ltd.)、Katrin Grothaus(Biochem Zusatzstoffe Handels- und Produktionsges. mbH)、Nicholas Guthier (Evonik Operations GmbH)、Marie-Julie Hannoun (Metex Noovistago)、Yujie He (Nutreco)、Michaela Herzog (Feed and Additives GmbH)、Clémentine Hincelin (ADISSEO)、Vera Houriet (ADM)、Ruud Huibers (Elanco Deutschland GmbH)、Philip Jones (Volac International Ltd)、Alicia Juárez Pallarés (FEFANA)、Niovi Kordali (Nutreco Nederland BV)、Serol Korkmaz (伊斯坦布尔兽医控制研究所)、Paulina Kosakowska (Józef Gręda "JFARM")、Daria Królikowska (Proteon Pharmaceuticals SA)、Sonja Krone-Wolf (Feed and Additives GmbH)、Anni Laffitte (Royal Canin)、Anouk Lanckriet
2022 年 4 月版权所有 © 智能电力联盟。未经许可,不得出版、复制、广播、改写或重新分发本材料。关于 SEPA 智能电力联盟 (SEPA) 致力于帮助电力利益相关者解决他们在向无碳能源系统转型过程中遇到的最紧迫问题。我们是值得信赖的合作伙伴,提供教育、研究、标准和协作,帮助公用事业、电力客户和其他行业参与者通过三种途径:监管和业务创新、电网整合、电气化。通过教育活动、工作组、点对点参与和定制项目,SEPA 召集相关方促进信息交流和知识转移,为我们的会员和合作伙伴组织提供最高价值。有关更多信息,请访问 www.sepapower.org。作者 Aaron Smallwood,智能电力联盟行业解决方案副总裁 Daisy Chung,智能电力联盟技术项目经理 Cuong Nguyen,国家标准与技术研究院智能电网测试与认证主管 Sean Morash,EnerNex 首席顾问 Aaron Snyder,EnerNex 电网技术咨询总监 Phillip Court,Ecogy Energy 产品与公司战略主管 Gustavo Alvarez,Green Planet Lab 创始人兼首席顾问 James Mater,QualityLogic, Inc. 智能电网总经理 Jack Lacy,InterTrust Technologies 标准与社区计划高级副总裁 John Gorman,Ecogy Energy 产品主管 Rosanna Kallio,电网整合高级工程师 II 致谢 简介团队要感谢以下 SEPA 工作组和任务组在确定和制定这项工作路径方面的参与和专业贡献:SEPA 测试与认证工作组、SEPA 电网架构工作组、SEPA 能源服务接口任务组和SEPA 互操作性配置文件任务组。
摘要 — 开发了一种电子封装技术,该技术可在二氧化碳 (CO 2 ) 和氮气环境中承受模拟的金星表面温度 465°C 和 96 bar 压力,且不含腐蚀性微量气体。对氧化铝陶瓷基板和氧化铝上的金导体的电气和机械性能进行了评估。最有前途的芯片粘接材料是厚膜金和氧化铝基陶瓷浆料。使用这些芯片粘接材料将氧化铝、蓝宝石、硅和碳化硅芯片粘接到氧化铝基板上,并在 465°C 的 CO 2 环境中暴露于 96 bar 压力下 244 小时。陶瓷芯片粘接材料在测试前后表现出一致的剪切强度。还评估了氧化铝陶瓷封装材料的热机械稳定性。封装基板上的器件采用陶瓷封装,在 Venusian 模拟器测试后,裂纹和空隙没有明显增加。对金键合线进行了线拉力强度测试,以评估 Venusian 模拟器暴露之前和之后的机械耐久性。暴露前后的平均金键合线拉力强度分别为 5.78 gF 和 4 gF(1 mil 金键合线),符合最低 MIL-STD-885 2011.9 标准。Venus 模拟器测试后,整体键合线菊花链电阻变化为 0.47%,表明键合线完整性良好。制作了钛封装来容纳陶瓷封装基板,并制作了双层金属化馈通来为封装提供电气接口。
准备了本报告及其分析的团队。This was led by Emma Pinchbeck, James Richardson, Emily Nurse, and Eoin Devane, and Includeed Sasha Abraham, Rose Armitage, Florence Bate, Simona Battipaglia, Owen Blake, George Blake, Sandra Bogelein, Marilta Calore, Christian Christian Calvillo Munoz, Rachel Carr-whitworth, Lidice Cruz-rodriguez, Selina Dagleless, Banda De Farias Letti, Victoria de La Cruz, Ramesh Denoarine, Joshua Deru, Tom Doks, Caitlin Douglas, Kim Dowsett, Kierron Driscoll, Ahmed Gailani, Francesco Maria Giacomini, Ruth Gregg, Esther Harris, Cara Hawkins, Rachel Hay, Cilla Hellgren, Robbie Herring, Gemma霍姆斯,黛西·詹姆森,阿丽亚娜·杰莎,卢克·琼斯,萨姆·卡尔斯莱克,艾玛·凯尼,米里亚姆·凯纳德,格蕾丝·麦克雷德,卢克·麦克斯菲尔德,莫里斯·麦金太斯,亚伦·麦克马洪,亚伦·麦克马洪,理查德·米勒,理查德·米尔尔,理查德·米勒,比·纳特兹勒,比·纳特斯勒,贝洛·纳特莫(Bea Natzler),克洛伊·纳莫(Chloe Nemo),克里斯·尼玛(Chloe Nemo),克里斯·帕克(Chris Parker),艾尔娜·帕特(Elna Parken) Schroder, viv Scott, Penny Law, Olivia Shears, Marcus Shepheard, Brainy Sheridan, Joris Simatis, Thomas Smith, Rachael Steller, James Taylor, Feliicity Taylor, Seán Taylor, Indra Thillainatan, Sam Van Stroud, Emma Vause, Sophee power, zelna weich, chloe welsh, eveline white, Hannah威尔,凯特·威廉姆森,路易斯·沃辛顿,查理·赖特,肯·赖特和苏西·撰写。This was led by Emma Pinchbeck, James Richardson, Emily Nurse, and Eoin Devane, and Includeed Sasha Abraham, Rose Armitage, Florence Bate, Simona Battipaglia, Owen Blake, George Blake, Sandra Bogelein, Marilta Calore, Christian Christian Calvillo Munoz, Rachel Carr-whitworth, Lidice Cruz-rodriguez, Selina Dagleless, Banda De Farias Letti, Victoria de La Cruz, Ramesh Denoarine, Joshua Deru, Tom Doks, Caitlin Douglas, Kim Dowsett, Kierron Driscoll, Ahmed Gailani, Francesco Maria Giacomini, Ruth Gregg, Esther Harris, Cara Hawkins, Rachel Hay, Cilla Hellgren, Robbie Herring, Gemma霍姆斯,黛西·詹姆森,阿丽亚娜·杰莎,卢克·琼斯,萨姆·卡尔斯莱克,艾玛·凯尼,米里亚姆·凯纳德,格蕾丝·麦克雷德,卢克·麦克斯菲尔德,莫里斯·麦金太斯,亚伦·麦克马洪,亚伦·麦克马洪,理查德·米勒,理查德·米尔尔,理查德·米勒,比·纳特兹勒,比·纳特斯勒,贝洛·纳特莫(Bea Natzler),克洛伊·纳莫(Chloe Nemo),克里斯·尼玛(Chloe Nemo),克里斯·帕克(Chris Parker),艾尔娜·帕特(Elna Parken) Schroder, viv Scott, Penny Law, Olivia Shears, Marcus Shepheard, Brainy Sheridan, Joris Simatis, Thomas Smith, Rachael Steller, James Taylor, Feliicity Taylor, Seán Taylor, Indra Thillainatan, Sam Van Stroud, Emma Vause, Sophee power, zelna weich, chloe welsh, eveline white, Hannah威尔,凯特·威廉姆森,路易斯·沃辛顿,查理·赖特,肯·赖特和苏西·撰写。
图18。(a)化学计量对Ag a bi a bi b i a+3b化合物的结构的影响,(b)BII 3,(c)AGBII 4(缺陷型旋转结构)和(d)AGBII 4(CDCL 2-type结构)的碘化物亚晶格。化合物中化合物的晶体结构。经过国际材料评论的许可,69(1),(2024)。[139]版权所有©2024,Sage Publications。................................................................................................ 50 Figure 19. a) Device layout of AgBiI 4 PV cell and b) schematic of cell preparation needed before electrode deposition with grey area being untouched thin film layers and white area being area to be scratched off c) mask for gold electrode deposition (white area is area of deposition) ...........................................................................................................................................................................................雏菊1.0的工作流程。这些图像是预处理的,用于图像分析,然后使用Harris Kepoint检测到用于识别图像中缺陷的存在的模型将缺陷分类为缺陷。....................... 68 Figure 21.雏菊2.0工作流程。给出了雏菊1.0标记为“无缺陷”的图像被赋予谷物面膜以计算平均晶粒尺寸。标记为“缺陷”的图像被赋予缺陷面罩,以计算缺陷覆盖范围百分比和谷物面罩。在XRD模式A)CS 3 Bi 2 Br 3 I 6 B)CS 3 Bisbbr 3 I 6和C)CS 3 SB 2 BR 3 I 6,使用PAWLEY方法拟合。The residuals and agreement indices are shown ........................................................................................................ 76 Figure 23.XRD模式。显示了残差和协议指数。............................... 77 Figure 24.XRD拟合A)CS 3 BI 2 I 9 B)CS 3 BI 2 BR 9 C)CS 3 SB 2 I 9和D)CS 3 SB 2 BR 9反对2D。0D, 2D and 0D reference patterns respectively add goodness of fit ............................................................................................................ 78 Figure 25.a)cs 3 bi 2 i 9沿投影载体[006],b)cs 3 bi 2 br 9沿投影矢量[201],c)cs 3 sb 2 i 9沿投影矢量[004]和d)cs 3 sb 2 cs 3 sb 2 br 9沿投影矢量[003]a)cs 3 bi 2 I 9,b)cs 3 bi 2 br 9,c)cs 3 sb 2 i 9和d)cs 3 sb 2 br 9 ...................................................................................... 80图27。(a)CS 3 B 2 x 9系列的吸光度光谱从UV VIS和PS数据编辑,以及(b)Tauc图....... 82图28。pl衰变光谱在a)5.5k,b)40k,c)150k和d)300K pl衰变光谱,从0-40ns以5NS间隔从0-40NS开始。 在 agbii 4的XRD拟合,用于a)r3̅MH参考和b)fd3̅m参考。pl衰变光谱,从0-40ns以5NS间隔从0-40NS开始。在agbii 4的XRD拟合,用于a)r3̅MH参考和b)fd3̅m参考。pl衰变光谱在a)5.5k,b)40k,c)150k和d)300k pl衰变光谱,从0-40ns以5NS间隔为0-40NS。 在 pl衰变动力学在不同温度的a)cs 3 bi 2 i 9,b)cs 3 sb 2 i 9和cs 3 bi 2 i 9和cs 3 sb 2 i 9的cs 3 sb 2 i 9和c)合并为比较。 ..................................................................................................................................... 86 Figure 31. CS 3 Bi 2 I 9(顶部)和CS 3 SB 2 I 9(底部)的PL的依赖性依赖 PL peak wavelength vs temperature of a) Cs 3 Bi 2 I 9 and b) Cs 3 Sb 2 I 9 and the FWHM vs temperature plot of c) Cs 3 Bi 2 I 9 and d) Cs 3 Sb 2 I 9 .................................................................................................................................. 87 Figure 33. TA Spectra of a)b) Cs 3 Bi 2 I 9 , c)d) Cs 3 Sb 2 I 9 and e)f) Cs 3 Bi 2 Br 9 taken with 350 nm pump wavelength and 100 μW fluence .................................................................................................................................................... 88 Figure 34. ta动力学比较a)cs 3 bi 2 i 9,b)cs 3 bi 2 i 9,c)cs 3 sb 2 i 9,d)cs 3 sb 2 i 9和e)cs 3 sb 2 i 9和e)cs 3 bi 2 br 9 bi 2 br 9 ........................................... 35。 ....................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................... 94图36。pl衰变光谱,从0-40ns以5NS间隔为0-40NS。在pl衰变动力学在不同温度的a)cs 3 bi 2 i 9,b)cs 3 sb 2 i 9和cs 3 bi 2 i 9和cs 3 sb 2 i 9的cs 3 sb 2 i 9和c)合并为比较。..................................................................................................................................... 86 Figure 31.CS 3 Bi 2 I 9(顶部)和CS 3 SB 2 I 9(底部)的PL的依赖性依赖PL peak wavelength vs temperature of a) Cs 3 Bi 2 I 9 and b) Cs 3 Sb 2 I 9 and the FWHM vs temperature plot of c) Cs 3 Bi 2 I 9 and d) Cs 3 Sb 2 I 9 .................................................................................................................................. 87 Figure 33.TA Spectra of a)b) Cs 3 Bi 2 I 9 , c)d) Cs 3 Sb 2 I 9 and e)f) Cs 3 Bi 2 Br 9 taken with 350 nm pump wavelength and 100 μW fluence .................................................................................................................................................... 88 Figure 34.ta动力学比较a)cs 3 bi 2 i 9,b)cs 3 bi 2 i 9,c)cs 3 sb 2 i 9,d)cs 3 sb 2 i 9和e)cs 3 sb 2 i 9和e)cs 3 bi 2 br 9 bi 2 br 9 ........................................... 35。....................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................... 94图36。sem agbii 4 a)在合成的当天未涂层,b)合成后23天未涂层,c)在合成当天与螺旋罗涂有螺旋罗,而d)d)在合成后23天与spiro涂层。.................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................XRD of a) uncoated AgBiI 4 left in ambient air b) AgBiI 4 coated with spiro-OMeTAD left in ambient air .............................................................................................................................................................................. 95 Figure 38.. SEM images of AgBiI 4 synthesized with hot-casting method at a) 100 ᵒC b)110ᵒC,c)120ᵒC,d)130ᵒC,e)140ᵒC和f)150ᵒC。The temperatures specified are the set temperature of the hotpate for both the substrate and precursor solution prior to spin coating ........................................................................................ 97 Figure 39.用热铸造方法合成的Agbii 4的SEM图像,标记的温度是旋转涂层之前的底物和前体溶液的热板的温度。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。agbii 4的SEM图像在110°C时以22s的抗可溶性滴注在110°C时合成。a)未使用反溶剂,b)氯苯,c)IPA,d)甲苯........................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................... 99图41.sem的Agbii 4的图像,在110°C下合成了DMSO与DMF的比例为A)1:1 B)1:1 B)1 B)1 B)1 B)1 B)1 B)1 B)1:1 22S C)3:1 d)3:1 D)3:1 D)3:1 D)在22s e)5:1 f)5:1 f)5:1 f)10:1 f)10:1 f)at 22:1 f)at 22:1 g) chlorobenzene dripping at 22s i) pure DMSO and j) pure DMSO with chlorobenzene dripping at 22s ........................................................................................................ 100sem的Agbii 4的图像,在110°C下合成了DMSO与DMF的比例为A)1:1 B)1:1 B)1 B)1 B)1 B)1 B)1 B)1 B)1:1 22S C)3:1 d)3:1 D)3:1 D)3:1 D)在22s e)5:1 f)5:1 f)5:1 f)10:1 f)10:1 f)at 22:1 f)at 22:1 g) chlorobenzene dripping at 22s i) pure DMSO and j) pure DMSO with chlorobenzene dripping at 22s ........................................................................................................ 100
- 使用雏菊消息圈,然后为您的消息选择一个起点。(例如:您选择代表您的笑脸!)- 考虑一下您想将消息传递给谁,并绘制连接两个形状的线路。(示例:您想将消息发送给心脏,他代表您的朋友Susana接下来,Susana想与她的妈妈,紫色之星等分享消息) - 继续传递信息,直到您准备停止为止。看你的圈子!消息去了哪里?旅程中有很多纵横交错吗?有多少人看到了您最初发送给一个人的信息?您的计算机连接看起来很忙!想一想您与某人分享一个故事,然后向另一个人讲述您的故事。挑战版本(与另一个人一起播放 - 兄弟姐妹,父母,朋友) - 在您开始之前,请您的朋友选择2个形状,他们不想收到消息。您正在计划为这些朋友举行惊喜聚会,您想确保他们感到惊讶。让您的朋友写下或在隐藏在您身上的一张纸上的两种形状。- 接下来,选择您的起点,然后开始发送您的消息。轮流选择消息会每次连接下一个位置并连接行。您试图避免聚会的两个女孩,即使您不知道他们的形状是哪种形状。- 一旦您完成了消息,请询问您的朋友是否放弃了惊喜。这个消息是错误的人吗?
Number Abby Gregorio Gregorio Perlace 36 Adam Bom Bovement Ca Duran Judy Brussan 92 Allah Occasshan 49 Abraham Had Herrell Horse 3 Amandan Supplement 2 50 Arant Multani Dominiri Dominiqui 41 Burneo Yuan (Cent) Lee 105 Athe Thai Julim Julim Juli (Kent) Lee 109 When Morel Lairson 43 Yong Young-Se Herpez Lorenzi Varenzi 21
SEER 程序编码和分期手册 2021 致谢 Suzanne Adams,理学学士,CTR 信息管理服务公司 Mary Brant 理学学士,CTR SEER 加州中央登记处 Heather Cheney,CTR SEER 犹他州癌症登记处 Jacqueline Clarken,理学学士,CTR SEER 犹他州癌症登记处 Elaine M Collins,文学硕士,RHIA,CTR NAACCR 承包商 Kathleen Davidson-Allen,CTR SEER 大湾区癌症登记处 Daisy Michelle Gray SEER 肯塔基州癌症登记处 Loretta Huston,理学学士,CTR SEER 犹他州癌症登记处 Tiffany Janes,文学学士,CTR SEER 西雅图癌症登记处 Amy R. Kahn,理学硕士,CTR SEER 纽约癌症登记处 Marilynn Lang,CTR SEER 大湾区癌症登记处 Bobbi Jo Matt,理学学士,RHIT,CTR SEER 爱荷华州癌症登记处 Cheryl Moody,文学学士, CTR SEER 加州中央登记处 Lisa G. Orr,CTR SEER 犹他州癌症登记处 Nektarios Pappas,医学博士,CTR SEER 路易斯安那州肿瘤登记处 Lisa A. Pareti,理学学士,RHIT,CTR SEER 路易斯安那州肿瘤登记处 Cathryn E. Phillips,文学学士,CTR SEER 康涅狄格州肿瘤登记处 Elizabeth A. Ramirez Valdez,CTR SEER 新墨西哥州肿瘤登记处 Nai Robinson,CTR SEER 大加州癌症登记处 Debbi Romney,AA,CTR SEER 犹他州癌症登记处 Winny Roshala,文学学士,CTR SEER 大加州癌症登记处 Francis E. Ross,文学学士,CTR SEER 肯塔基州癌症登记处 Nicola Schussler,理学学士信息管理服务公司 Taina Valone,RHIA,CTR SEER 大加州癌症登记处
摘要本文提出了新开发的先进的超薄光敏电介电膜(PDM),其高分辨率,低CTE和低剩余应力,用于下一代高密度重新分布层(RDL),2.5D Interposer,以及高密度的风扇输出包装应用程序。对于高密度RDL,光敏电介质材料需要具有低CTE才能达到高包装可靠性。材料的CTE为30-35ppm /k。在保持低CTE时,我们成功地证明了5UM厚度中3UM的最小微型视野直径。PDM的固化温度为180 0 C x 60分钟。比目前在行业中使用的大多数高级介电材料低。低温固化过程会导致低压力。,我们通过4英寸晶圆的经经测量测量结果计算了固化的PDM中的残余应力。作为PDM材料在固化过程中的另一个好处,可以将PDM固化在空气烤箱中。大多数先进的照片介电材料都需要在N2烤箱中固化,这是由于防止材料氧化的。我们通过使用半添加过程(SAP)和溅射的Ti/Cu种子层展示了2UM线的铜痕迹,并在PDM上间隔。由于由于低温固化而引起的低CTE和低残余应力,它通过了温度周期测试(1,000个周期),其雏菊链结构在结构中具有400个VIA。可以得出结论,新开发的PDM是一种有前途的介电材料,用于2.5D interposers和Fan-Out Wafer级级别的应用程序,用于高度可靠的高密度重新分布层(RDL)。
随着芯片尺寸的缩小,晶圆级封装 (WLP) 正成为一种有吸引力的封装技术,与标准球栅阵列 (BGA) 封装相比具有许多优势。随着各种扇出晶圆级封装 (FOWLP) 设计的进步,这种先进技术已被证明是一种比扇入 WLP 更理想、更有前景的解决方案,因为它具有更大的设计灵活性,具有更多的输入/输出 (I/O) 和更好的热性能。此外,与倒装芯片封装相比,FOWLP 具有更短、更简单的互连,具有卓越的高频性能。eWLB(嵌入式晶圆级 BGA)是一种 FOWLP,可实现需要更小外形尺寸、出色散热和薄型封装轮廓的应用。它还可能发展成各种配置,并基于超过 8 年的大批量生产,具有经过验证的产量和制造经验。本文讨论了 eWLB 在汽车应用中的强大板级可靠性性能方面的最新进展。将回顾一项实验设计 (DOE) 研究,该研究通过实验结果证明了改进的板内温度循环 (TCoB) 性能。我们计划进行多项 DOE 研究,并准备了测试载体,变量包括焊料材料、阻焊层开口/再分布层 (RDL) 设计的铜焊盘尺寸、铜 (Cu) RDL 厚度和凸块下金属化 (UBM) 以及印刷电路板 (PCB) 上的铜焊盘设计 (NSMD、SMD)。通过这些参数研究和 TCoB 可靠性测试,测试载体通过了 1000 次温度循环 (TC)。菊花链测试载体用于在行业标准测试条件下测试 TCoB 可靠性性能。