电容性微机械超声传感器(CMUT)技术在过去十年中一直在迅速发展。在制造和集成方面的进步,再加上改进的建模,使CMUT能够进入主流超声成像。与常规技术相比,CMUT超声传感器传达了许多优势,例如大带宽和效率[1],[2],易于制造大型阵列和较低的成本。CMUT是一种高电场设备,通过通过充电和分解等问题来控制高电场,可以具有具有优越的带宽和敏感性的超声传感器,可以与电子设备集成并使用传统的集成电路制造技术制造,并具有所有优势。可以使CMUT设备灵活地包裹在圆柱体甚至人体组织上,并且由于使用Su-8 [3],[4],[8]或Polyirimide [5],[8],所有这些都可能使所有这些可能。在本文中,我们介绍了两种具有基本重要性的电介质材料的电气表征,以制造具有提及的特征的设备:氧化硅(SIO 2)在电荷注入和击穿方面对高电场具有出色的响应,以及具有优化且具有优化结构和
有机场效应晶体管 (OFET) 是有机电子电路的核心单元之一,OFET 的性能在很大程度上取决于其介电层的特性。有机聚合物,如聚乙烯醇 (PVA),由于其固有的柔韧性和与其他有机成分的天然兼容性,已成为 OFET 备受关注的介电材料。然而,诸如滞后、高亚阈值摆幅和低有效载流子迁移率等不尽人意的问题仍然大大限制了聚合物介电 OFET 在高速、低压柔性有机电路中的实际应用。这项工作开发了一种使用超临界 CO 2 流体 (SCCO 2 ) 处理 PVA 介电体的新方法,以获得性能卓越的聚合物介电 OFET。 SCCO 2 处理可以完全消除 OFET 传输特性中的滞后现象,同时还可以显著降低器件亚阈值斜率至 0.25 V/dec,并将饱和区载流子迁移率提高至 30.2 cm 2 V − 1 s − 1 ,这两个数字对于柔性聚合物电介质 OFET 来说都是非常可观的。进一步证明,与有机发光二极管 (OLED) 耦合后,SCCO 2 处理的 OFET 能够在快速开关速度下运行良好,这表明通过这种 SCCO 2 方法可以实现聚合物电介质 OFET 的优异开关行为。考虑到 OFET 的广泛和重要应用,我们预见这种 SCCO 2 技术将在有机电子领域具有非常广泛的应用,尤其是对于高刷新率和低压柔性显示设备。
摘要:本文介绍了使用不同高介电常数 (高 k) 栅极介电材料的双栅极 (DG) 和栅极环绕纳米线 (GAA) MOSFET 的电气行为。为了研究高 k 介电材料对 DG 和 GAA 的影响,使用 Atlas Silvaco TCAD 工具模拟器件并确定电气特性。本研究选择的高 k 材料是氮化硅 (Si3N4)、氧化铝 (Al2O3)、氧化锆 (ZrO2) 和氧化铪 (HfO2)。栅极介电材料在设计新型高性能纳米级电气器件方面发挥了重要作用。可以观察到,当接近更高的介电常数值时,导通电流增加,而亚阈值斜率 (SS) 阈值电压 (Vth) 和漏电流减少。可以观察到,与其他模拟介电材料相比,HfO2 对 DG 和 GAA MOSFET 都表现出最佳性能。
基于尾场的加速器能够将梯度加速比现有加速器高两个数量级,为实现紧凑型高能物理仪器和光源提供了一条途径。然而,对于高梯度加速器,由相应较高的横向尾场驱动的光束不稳定性会限制光束质量。此前的理论表明,可以通过将平面对称介电结构中的光束横向尺寸椭圆化来减小横向尾场。我们在此报告实验测量结果,这些测量结果表明平面对称结构中椭圆光束的横向尾场减小,这与理论模型一致。这些结果可能有助于设计出基于千兆伏/米梯度尾场的加速器,以产生并稳定加速高质量光束。
2010 年,Sorgic 和 Radakovic [8] 对浸没在矿物油中的变压器进行了二维模拟,以将冷却系统与油驱动和强制油配置进行比较。2012 年,Tsili 等人建立了一种方法来开发三维模型并预测热点的温度 [9]。这一年,Skillen 等人对一个不对称非等温流二维模型进行了 CFD 模拟,以表征具有锯齿形冷却的变压器绕组中的油流 [10]。2014 年,Yatsevsky 对浸没在自然对流油中的变压器进行了二维模拟,包括铁心、油箱和散热器,以预测热点。所开发的模型表现出良好的性能,并通过实验进行了验证 [11]。最近,Torriano 等人在一种采用自然对流冷却(ON)的比例盘式电力变压器中开发了三维传热模型 [12]。
纳米层压膜是由不同材料交替层组成的复合膜 [1]。这些多层纳米结构因能够调整其机械或物理性质以用于各种特定应用而备受关注。例如,在微电子领域,人们考虑将其用作介电绝缘体 [2,3]。事实上,人们现正致力于制备具有高介电常数和良好化学/热稳定性的多组分体系。特别是 Al 2 O 3 -HfO 2 纳米层压膜似乎是最有前途的体系,可用于硅基微电子器件 [4-9] 以及下一代电力电子器件 [10-15]。能够充分利用 Al 2 O 3 和 HfO 2 单一材料的最合适性质,促使人们研究将它们组合成层压体系。实际上,众所周知,Al 2 O 3 具有极其优异的化学稳定性和热稳定性、大的带隙(约 9 eV)、与不同半导体衬底的带偏移大,但其生长会形成高的氧化物陷阱电荷密度,但其介电常数值并不高(约 9)[16]。对于 HfO 2 介电氧化物,虽然可以实现相当高的介电常数值(约 25),但由于其在相对较低的温度(约 500°C)下从非晶态转变为单斜晶态,因此可靠性较低,并且由于其带隙很小(5.5 eV)所以漏电流密度高[16]。在这种情况下,由两种 Al 2 O 3 -HfO 2 高 k 氧化物组成的纳米层状结构是提高热稳定性和维持高介电常数值的有前途的解决方案。
通过退火通过退火,将共沉淀的无定形前体退火在两个阶段中合成了新的(Zn,mg,ni,fe,cd)fe 2 o 4高熵铁素体,平均水晶尺寸为11.8 nm。介电光谱证实,电导率和极化过程与铁素体结构中电子的迁移率有关。得出的结论是,高频复合物介电介电常数以及复杂的磁渗透性都是强烈的温度和频率依赖性的。AC电导率与电子的量子机械隧穿有关,并且与Fe 2 +和Fe 3 +离子之间的电荷载体转移有关。此外,确定微波吸收特性。最佳的微波吸收特性已在厚度为0.8–1 cm的层的频率范围1.9至2.1 GHz中得到证实。对于此范围,反射损失(RL)低于-25 dB,屏蔽效率(SE)低于-50 dB。
摘要 - 在室温和市售大区域1.2 kV 4H-SIC功率MOSFET的室温和升高的温度下,进行了频率泄漏电流和恒定电压时间与时间依赖时间的介电分解(TDDB)测量值,以研究其门氧化物的可靠性并更好地了解其失败模式。表明,Fowler-Nordheim(F-N)隧穿电流是导致门泄漏电流的主要机制。尽管界面状态密度(d)和接近氧化物陷阱可能引起的异常门泄漏电流行为,但在正常工作条件下的泄漏电流(在28℃下为V g = 20 V)小于100 pa。从TDDB测量值推断出来,当V g = 20 V时,在28℃和175°C时的预测寿命远远超过目标10年。索引术语 - 碳化物(SIC),MOSFET,氧化物可靠性,Folwer-Nordheim,TDDB,故障时间
摘要本文提出了新开发的先进的超薄光敏电介电膜(PDM),其高分辨率,低CTE和低剩余应力,用于下一代高密度重新分布层(RDL),2.5D Interposer,以及高密度的风扇输出包装应用程序。对于高密度RDL,光敏电介质材料需要具有低CTE才能达到高包装可靠性。材料的CTE为30-35ppm /k。在保持低CTE时,我们成功地证明了5UM厚度中3UM的最小微型视野直径。PDM的固化温度为180 0 C x 60分钟。比目前在行业中使用的大多数高级介电材料低。低温固化过程会导致低压力。,我们通过4英寸晶圆的经经测量测量结果计算了固化的PDM中的残余应力。作为PDM材料在固化过程中的另一个好处,可以将PDM固化在空气烤箱中。大多数先进的照片介电材料都需要在N2烤箱中固化,这是由于防止材料氧化的。我们通过使用半添加过程(SAP)和溅射的Ti/Cu种子层展示了2UM线的铜痕迹,并在PDM上间隔。由于由于低温固化而引起的低CTE和低残余应力,它通过了温度周期测试(1,000个周期),其雏菊链结构在结构中具有400个VIA。可以得出结论,新开发的PDM是一种有前途的介电材料,用于2.5D interposers和Fan-Out Wafer级级别的应用程序,用于高度可靠的高密度重新分布层(RDL)。
海浪力量是间歇性可再生能源的最持久,最集中和可预测的形式之一。全球估计的资源量达到近3tw的年平均功率,波浪能在将来可能涵盖间歇性可再生能源混合的显着部分。从波浪中收集能量非常具有挑战性,并且该行业仍然不成熟,世界各地只有少数商业前系统。现有的波能转换器(WEC)复杂而昂贵,构建,安装和维护。它们也容易受到海洋环境(经历大型冲动载荷和腐蚀)的攻击,并显示出有限的能量转换效率。在这种情况下,介电弹性体发生器(DEGS)可以提供使波能利用的技术突破。DEG是由不可压缩的弹性介电层和兼容的电极制成的可变形电容器,可用于通过可变电容静电生成来将机械能将其转换为电能。1