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EN25QX128A (2V) 128 兆位 3V 串行闪存...
该设备是一个 128 兆位（16,384K 字节）串行闪存，具有先进的写保护机制。该设备通过标准串行外设接口 (SPI) 引脚支持单比特和四比特串行输入和输出命令：串行时钟、芯片选择、串行 DQ 0 (DI) 和 DQ 1 (DO)、DQ 2 (WP#) 和 DQ 3 (HOLD#/RESET#)。支持高达 104Mhz 的 SPI 时钟频率，在使用四路输出读取指令时，允许四路输出的等效时钟速率为 532Mhz（133Mhz x 4）。使用页面编程指令，可以一次对内存进行 1 到 256 个字节的编程。该设备还提供了一种复杂的方法来保护单个块免受错误或恶意编程和擦除操作的影响。通过提供单独保护和取消保护块的能力，系统可以取消保护特定块以修改其内容，同时确保内存阵列的其余块得到安全保护。这在以子程序或模块为基础修补或更新程序代码的应用中非常有用，或者在需要修改数据存储段而又不冒程序代码段被错误修改的风险的应用中非常有用。该设备设计为允许一次执行单个扇区/块或全芯片擦除操作。该设备可以配置为以软件保护模式保护部分内存。该设备可以对每个扇区或块维持至少 100K 次编程/擦除周期。
EN25QX64A (2CPU) 64 兆位 3V 串行闪存...
该设备是一个 64 兆位（8,192K 字节）串行闪存，具有先进的写保护机制。该设备通过标准串行外设接口 (SPI) 引脚支持单比特和四比特串行输入和输出命令：串行时钟、芯片选择、串行 DQ 0 (DI) 和 DQ 1 (DO)、DQ 2 (WP#) 和 DQ 3 (HOLD#/RESET#)。支持高达 133MHz 的 SPI 时钟频率，在使用四路输出读取指令时，允许四路输出的等效时钟速率为 532MHz（133MHz x 4）。使用页面编程指令，可以一次对内存进行 1 到 256 个字节的编程。该设备还提供了一种复杂的方法来保护单个块免受错误或恶意编程和擦除操作的影响。通过提供单独保护和取消保护块的能力，系统可以取消保护特定块以修改其内容，同时确保内存阵列的其余块得到安全保护。这在以子程序或模块为基础修补或更新程序代码的应用中非常有用，或者在需要修改数据存储段而又不冒程序代码段被错误修改的风险的应用中非常有用。该设备设计为允许一次执行单个扇区/块或全芯片擦除操作。该设备可以配置为以软件保护模式保护部分内存。该设备可以对每个扇区或块维持至少 100K 次编程/擦除周期。
使用模拟的肌电伪影
最近的研究表明，能够记录患有半晶状体切除术的脑外伤（TBI）患者的脑电图（EEG）中高γ信号（80-160 Hz）。然而，由于与面部和头部运动相关的表面肌电图（EMG）伪影的混淆带宽重叠，因此提取与运动相关的高γ仍然具有挑战性。在我们以前的工作中，我们描述了一种增强的独立组件分析（ICA）方法，用于从EEG中删除EMG伪像，并通过添加EMG来源（ERASE）称为EMG降低。在这里，我们对六名Hemicraniectomies患者记录的EEG测试了该算法，同时他们执行了拇指流失任务。删除的平均值为52±12％（平均±S.E.M）（最大73％）EMG伪影。相比之下，常规ICA从EEG中删除了EMG伪像的平均值为27±19％（平均值±S.E.M）。尤其是，在擦除擦除后，在半晶切除术中的对侧手运动皮层区域中，高γ同步显着改善。更复杂的高γ复杂性是分形维度（FD）。在这里，我们在每个通道上计算了EEG高γ的FD。高γ的相对FD定义为移动状态下的FD在空闲状态下减去FD。我们发现，施加擦除后，高γ的相对FD与半骨切除术相对于半晶状分裂术，与纤维流量的振幅密切相关。的结果表明，与拇指流量相关的电极上的显着相关系数平均为〜0.76，而非流行性辐射切除术区域的同源电极的系数接近0。在常规ICA之后，在两个半开裂区域（最高0.86）和非流行颅切除术区域（最高0.81）中，高γ和力之间的相对FD之间的相关性均保持较高。在所有受试者中，使用擦除后，平均83％的电极与力显着相关。常规ICA后，只有19％的具有显着相关性的电极位于半晶切除术中。
EN25S20A (2SF)
活动功率、待机功率和深度掉电模式当芯片选择 (CS#) 为低时，设备启用并处于活动功率模式。当芯片选择 (CS#) 为高时，设备禁用，但可以保持在活动功率模式，直到所有内部周期（编程、擦除、写入状态寄存器）完成。然后设备进入待机功率模式。设备功耗降至 I CC1 。执行特定指令（进入深度掉电模式 (DP) 指令）时进入深度掉电模式。设备功耗进一步降至 I CC2 。设备保持此模式，直到执行另一条特定指令（从深度掉电模式释放和读取设备 ID (RDI) 指令）。当设备处于深度掉电模式时，所有其他指令都将被忽略。当设备未处于活动使用状态时，这可以用作额外的软件保护机制，以保护设备免受意外写入、编程或擦除指令的影响。
EN25E40A (2A) 4 兆位串行闪存，带有...
活动功率、待机功率和深度掉电模式当芯片选择 (CS#) 为低时，设备启用并处于活动功率模式。当芯片选择 (CS#) 为高时，设备禁用，但可以保持活动功率模式，直到所有内部周期（编程、擦除和写入状态寄存器）完成。然后设备进入待机功率模式。设备功耗降至 I CC1 。执行特定指令（进入深度掉电模式 (DP) 指令）时进入深度掉电模式。设备功耗进一步降至 I CC2 。设备保持此模式，直到执行另一条特定指令（从深度掉电模式释放、读取设备 ID (RDI) 和软件复位指令）。当设备处于深度掉电模式时，所有其他指令都将被忽略。当设备未处于活动使用状态时，这可以用作额外的软件保护机制，以保护设备免受意外写入、编程或擦除指令的影响。
2024–2027 年业务计划和 2024 年预算
我们继续看到本地区显著增长，对警务服务的需求不断增加。处理心理健康相关电话、亲密伴侣事件、机动车盗窃、道路安全以及枪支和帮派活动的需求不断增加，这导致压力不断增加。我们继续通过实施 CSWB 计划、心理健康和成瘾战略以及通过亲密伴侣暴力部门等举措来应对这些压力。我们继续通过有效的调查和与其他警察部门的合作项目来应对机动车盗窃。道路安全仍然是 PRP 的首要任务，并得到了我们更安全道路团队的努力、我们对零愿景目标的关注、安全带和分心驾驶运动等举措、包括 ERASE 项目（消除各地街道上的赛车活动）在内的具体项目以及我们专门的减少各地酒后驾驶 (RIDE) 团队的支持。
将DNA管理模式迁移到Meraki管理模式
•如果您想迁移Cisco Catalyst 9300从Meraki管理模式转换为DNA管理模式，请联系Meraki支持。您需要为DNA许可证打开PO，但是您可以打开Meraki许可证并获得购买DNA许可证的信用。还请注意，这将把开关重置为其出厂默认设置，并从交换机中删除所有配置。
Ai-WB2 系列固件编程指南
– Interface：用于选择下载烧写通讯接口。可根据需要选择 Jlink 或 UART 方式。默认选择 UART。 – COM Port：选择 UART 进行下载时，此处选择芯片所连的 COM 号，可点击 Refresh 按钮刷新 COM 号。 – Uart Rate：选择 UART 进行下载时，填写 Baud Rate，建议下载频率设置为 921600。 – Board：选择使用的板子型号，板子型号和晶振类型，它们共同决定了 DTS 文件，也就是决定了板级硬件配置参数。 – Chip Erase：默认设置为 False，下载时会根据烧写地址和内容大小进行擦除，设置为 Ture 则会在烧写程序前擦除所有 Flash。 – Xtal：用于选择板子使用的晶振类型，一般为 40M