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Len Lye的刮擦胶片和线条的能量
在长达十年的中断之后，他主要制作了战时纪录片和军事训练电影，1950年代的Len Lye再次开始使用他在二十多年前帮助Pione Animation的直接动画技术。These previous films, such as Colour Box (1935), Colour Flight (1938), and Swinging the Lambeth Walk (1939), develop what Lye calls a “sensory-ballet” in which abstract forms and music are knit together with color to produce sensations of motion.1 The point was to create a sensual experience of pleasure generated through color whose abstract and direct appeal avoided narrative forms and the kinds of associations that Lye believed plagued realistic图像。在1940年代初期，莉停止制作这些电影，部分原因是战争和越来越多的财务支持者的稀缺性，部分原因是他对政治的兴趣日益增长，并且渴望反击纳粹宣传电影。以前做过。取而代之的是，他划过16毫米胶片库存，生产线条，点，笔画和锯齿形，这些线条，锯齿状在整个屏幕上移动，不仅在二维空间中播放，而且具有深度的透视图，因为某些形式扭曲并在Z轴上旋转。由此产生的电影《自由激进分子》（1958年修订，1979年），是对能量的狂喜庆祝
在硅上的热生长和化学蒸气沉积膜的折射率曲线
由于仪器错误和软件限制，介电膜的折射率小于50 nm。在解决这个问题时，我们报告了椭圆测量Pro；可靠地评估折射率的可靠评估，以对沉积的各种热生长和化学蒸气，CVD，SI底物的介电膜，介电膜降低到约10 nm的厚度，并且我们在膜片界面界面上的当前了解的结果比较了结果。在所有研究的情况下，我们都发现界面区域在光学上与厚膜不同，并且精确的膜处理实质会改变界面区域的性质。-
（la，pr）3 ni 2 o 7膜中的环境压力超导性和电子结构
摘要自1911年发现超导性以来，追求高过渡 - 温度（T C）超导体一直是凝结物理学的核心重点。在丘比特和基于铁的超导体中的突破性超过了40 K麦克米兰极限，并将其确定为高温超导体。在2019年，在平面 - 平面无限层镍酸盐薄膜中报道了超导性，尽管t c <40 k。2023年，在高压加工的高压力摄入量下，biLayer ruddlesden-popper（RP）镍的液体氮气 - 温度超导率。在这里，使用巨大的氧化原子层逐层外观（goall-epitaxy）[1]，我们报告（LA，PR）3 Ni 2 O 7膜中的环境压力超导性[2]，具有40 k的发作t c。超导体 - 绝缘体过渡阶段图[3]。角度分辨光发射光谱（ARPES）测量[4,5]揭示了孔掺杂孔的多轨fermi表面。沿着布里渊区的对角线发现具有颗粒 - 孔对称特性的温度依赖性能隙[6]。这些环境压力镍超导体为揭示高温超导性机制提供了一个新的平台。参考文献[1]国家科学评论，NWAE429（2024）。[2]自然，doi：10.1038/s41586-025-08755-Z（2025）。[3] Arxiv：2502.18068。[4] ARXIV：2501.09255。[5] ARXIV：2501.06875。[6] ARXIV：2502.17831。查询：3943 6303
水分对结构依赖性影响ZnO薄膜电阻切换行为
依赖于金属绝绝构成结构设备中电阻开关现象的两末端回忆设备最近引起了人们对实现下一代记忆和神经形态架构的极大关注。[1-4]的身体机制取决于电化学效应和纳米离子工艺涉及金属原子溶解在电芯片中溶解的金属溶解的金属活性电极，并导致金属群体在互联网中的转变，以使得Metal the Is condrative the Is the Is the Is the Is the Metallix the Mentals Ondallic the Mentals the Mentals contallic contallix contallix contallix contallix contallix contallix contallix的迁移。[5,6]先前的报道表明，电阻开关机制受外在影响的强烈影响，例如存在可以扩散并吸附在绝缘基质中的水分。[7,8,17,18,9-16]在术语中，水分对电阻切换细胞功能的影响被观察到取决于所涉及材料的特定化学/结构特性。[7]在金属氧化物中，半导体ZnO被广泛利用为用于实现电子设备的活性材料。由于其特殊的光子，机械和电子特性以及生物相容性和环保性特征，ZnO也被认为是广泛应用的有前途的候选人，包括现场效应晶体管，压电电透射器，光伏，传感器，传感器和照片检测器。[19-24]也，对ZnO的兴趣与具有多种形态的可能性有关，包括纳米线，纳米棒，纳米生物和纳米片。[25,26]在此框架中，在包括纳米线/纳米棒在内的ZnO纳米结构中观察到了电阻性开关现象，[27-29]纳米岛[30]，以及在具有不同沉积技术的广泛薄膜中。[31,32,41,33-40]，在电阻开关设备领域，由于其高透明度可见光，[37-39]也充分利用了其辐射硬度，因此非常感兴趣地致力于ZnO。[42]
一种多光谱UV-VIS吸收技术，用于燃烧燃料膜和烟灰的定量高速场序列成像
非蒸发的液体燃料膜是汽油直接注入发动机烟灰形成的主要原因。在这项研究中，开发了一种UV-VIS吸收技术，以在加热的恒流实验中直接注射后的燃料膜厚度成像。一个六孔GDI喷油器将燃料在100栏上喷涂到距喷嘴30毫米的透明板上。燃料由30％甲苯 / 70％的Iso-octane（分别为383和372 K）组成。气体和壁温度分别为376和352 K，气压1 bar。燃料的蒸发部分被点燃，随后的燃烧膜旁边的燃烧导致了烟灰的形成。在加剧的高速CMOS摄像头上成像了从脉冲LED照明中传输散射的背光。液态甲苯的紫外线吸光度为265 nm的LED。然而，在这种波长下，甲苯蒸气吸收，液体散射，烟灰和烟灰前体的灭绝以及烟灰白幕都干扰了液体燃料的吸光度。为了估计散射和烟灰消光的贡献，将310、365和520 nm处的LED添加到梁路径中，并以32 kHz的帧速率在高速摄像头上与连续的帧相吻合。获得了一个深色框架以说明烟灰阴影，以使所得5图像序列的重复速率为6.4 kHz。通过在先前的工作中开发的形态图像处理估算了甲苯蒸气的吸收，以将弥漫性的，移动的蒸气云与燃料膜的锋利，固定特征分开。允许获得时空分辨的燃油膜厚度测量和有关烟灰的其他信息的多光谱方法。
通过薄膜中的反应性扩散硅氧化的机理 使用神经形态的癫痫发作检测 - Gibbs三重连接过剩测定的方法 专用于四销噪声噪声测量的低噪声和准理论直流电流源
摘要。在许多应用中引起了硅化的形成，尤其是在微电子中的接触形成和互连。在此主题上发表了一些评论，本章的目的是通过重点关注新的实验结果来提供这些评论的更新。本章在理解主要机制（扩散/反应，成核，横向生长…）方面给出了一些进展（即在4至50 nm之间）。提出了有关硅质形成机制的最新实验结果，并将其与模型和/或模拟进行比较，以提取与反应性扩散相关的物理参数。这些机制包括成核，横向生长，扩散/界面控制生长以及扩散屏障的作用。几种技术的组合（包括原位技术（XRD，XRR，XPS，DSC）和高分辨率技术（APT和TEM）被证明是必不可少的，这对于在薄膜中的固态反应中获得了理解，并更好地控制这些反应以在微电机设备或其他应用程序中接触或其他应用。
厚度和波长依赖性非线性光学吸收在2D层次MXENE膜中
作为迅速扩展的2D材料家族，MXENES最近引起了人们的关注。通过开发一种涂层方法，该方法可实现无传输和逐层膜涂层，研究了Ti 3 C 2 t x mxeneFim的非线性光吸收（NOA）。使用Z扫描技术，MXENEFILM的NOA在≈800nm处的特征。结果表明，随着层数从5增加到30的增加，从反向吸收吸收（RSA）转变为可饱和吸收（SA）。值得注意的是，非线性吸收系数的β变化从≈7.1310 2 cm GW 1到在此范围内的2.69 10 2 cm GW 1。也表征了MXENEFIM的功率依赖性NOA，并且观察到β的趋势下降以增加激光强度。最后，在≈1550nm处的2D mxene纤维的NOA的特征是将它们整合到氮化硅波导上，在其中观察到薄膜的SA行为，包括5和10层MXENE，与在≈800nm处观察到的RSA相反。这些结果揭示了2D MXENEFM的有趣的非线性光学性质，突出了它们的多功能性和实现高性能非线性光子设备的潜力。
溅射 (Fe,Mn)3O4 尖晶石氧化物薄膜用于微型...
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MOS2薄膜合成的最新进展用于传感，光伏和等离子应用：评论
摘要：在石墨烯兴起后2D材料的最新成功的激增中，由于其独特的纳米级特性的结合，钼（2D-MOS 2）（2D-MOS 2）一直在基本和应用的视点中引起人们的注意。例如，2D-MOS 2的带隙从直接（以批量形式）变为超薄纤维（几层）的间接（几层），为光电子学中的各种应用提供了新的前景。在这篇综述中，我们介绍了2D-MOS 2薄膜的合成和表征范围的最新科学进步，同时着重强调了它们在能量收集，气体传感和等离子设备中的某些应用。对2D-MOS 2的物理和化学处理途径的调查首先提出，然后详细描述并列出了用于研究其有趣的光学特性的MOS 2纳米材料以及理论模拟的最相关特征技术。最后，讨论了与高质量合成和相当可控制的MOS 2薄膜有关的挑战，并将其整合到新型功能设备中。