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合金和电化学特性，用于锂离子电池的当前收集器
1）A。Yoshino，K。Sanechika：日本专利，2128922（1984）。2）A。Yoshino，M。Shikata；日本专利，2668678（1986）3）H.4）UACJ Foil Corporation网站。com/en/products/foil.html> 5）X. Zhanga，T。M. devine。 ：电化学学会杂志，153（2006）375-383。 6）M。M. M. Morita，T。Shibata，N。Yoshimoto，M。Ishikawa：Electrochimica Acta，47（2002）2787-2793。com/en/products/foil.html> 5）X. Zhanga，T。M.devine。：电化学学会杂志，153（2006）375-383。6）M。M. M. Morita，T。Shibata，N。Yoshimoto，M。Ishikawa：Electrochimica Acta，47（2002）2787-2793。
散射箔组成对用于闪光放射疗法的临床线性加速器中电子能量分布的影响：蒙特卡洛研究
摘要：这项研究研究了从改良的医疗线性促进剂中的电子束中的电子能量分布的散射箔材料和采样持有人的放置如何用于闪光灯放射疗法。我们分析了各个位置的电子能光谱，即离子室，镜像和下巴，以评估CU，PB-CU，PB和TA箔的影响。我们的发现表明，靠近源的距离会增强电子能量分布对箔材料的依赖性，从而通过材料选择实现精确的光束控制。蒙特卡洛模拟可有效设计箔以实现所需的能量分布。将采样支架移至远离源的较远的材料材料的影响，促进了更多均匀的能量扩展，尤其是在0.5-10 MEV范围内，以12 MEV电子束。这些见解强调了量身定制的材料选择和采样持有人定位在优化电子能量分布和闪存放射疗法研究的通量强度方面的关键作用，从而使实验设计和临床应用受益。
具有铜箔的创新电池连接器
解决方案：超声金属焊接超声金属焊接技术，由于铜的出色流动行为，多层薄层的可靠连接。高频摩擦运动会破坏箔之间的氧化物层，从而形成具有最佳电阻的粘性键。使用Telso®FlexControl软件在模块化20 kHz焊接系统MPX上实现了该应用程序。配置优势超声波焊接技术为过程和质量监控提供了广泛的选择。20 kHz焊接系统MPX的模块化设计允许最佳集成到制造线中。可以在Telso®FlexControl软件中清楚地管理各种程序，以用于不同的接触配置。与语言无关的操作的直观图形接口可显着简化使用。
自粘性防紫外线黄色箔 YSA520
货号：卷 (宽度：1,15 米) GESA520001 1 米 GESA520005 5 米 GESA520010 10 米 GESA520015 15 米 GESA520020 20 米 GESA520Z 1,15 米 x … 预切 (运行米数)
适用于神经应用的高度适应性箔片植入物
柔性聚合物基板是一种很有前途的方法，可以克服神经植入物的一个核心挑战：高通道密度下的复杂功能与生物环境中的长寿命相结合。这种方法的优点是可以缩小 Si 基芯片的尺寸，并在柔性基板上通过薄膜互连线连接的芯片之间分配任务。与单个但更大的芯片相比，这伴随着较低的弯曲刚度，以及技术系统在功能范围、基板尺寸和目标解剖结构方面的良好适应性。现在已经确定了如何将 ASIC 集成到机械兼容的 PI 基基板中，同时考虑到先前定义的要求。接下来的步骤是 (a) 测试系统的功能
激光箔打印增材制造铝部件：加工、微观结构和机械性能
摘要：本文研究了利用我们最近开发的激光箔打印 (LFP) 增材制造方法制造致密铝 (Al-1100) 部件 (相对密度 > 99.3%)。这是通过使用 7.0 MW/cm 2 的激光能量密度来稳定熔池形成并以 300 µ m 厚度的箔片产生足够的穿透深度来实现的。LFP 制造的样品中的最高屈服强度 (YS) 和极限拉伸强度 (UTS) 沿激光扫描方向分别达到 111±8 MPa 和 128±3 MPa。与退火的 Al-1100 样品相比，这些样品表现出更高的拉伸强度但更低的延展性。断口分析显示拉伸试验样品中存在拉长的气孔。利用电子背散射衍射 (EBSD) 技术观察到 LFP 制备样品中沿凝固方向的强烈晶体织构和密集的亚晶界。
石墨烯在铜箔上的堆垛关系和基底相互作用
石墨烯的生产是在金属基底上用化学气相沉积 (CVD) 方法进行的，因为该方法可重复、可扩展，且能获得具有大畴尺寸的高质量层。到目前为止，各种过渡金属已作为基底进行了测试 [4–10]，其中铜箔由于碳溶解度低，已被证明是控制单层和双层生长的合适基底。[11–14] 通常，铜箔上石墨烯畴的成核以随机取向发生，从而形成多晶单层石墨烯片 [15] 甚至扭曲的双层石墨烯。[16] 相邻畴合并后会引入晶界，从而限制载流子迁移率。[17] 使用六边形 Cu(111) 表面作为基底，结果表明石墨烯成核发生在与基底晶格对准的位置，从而有效减少晶界。 [18,19] 在实际应用中，需要将石墨烯从金属基底转移到非金属目标基底（如 SiO 2 、SiC）。在许多情况下，转移层的质量不如原生石墨烯。众所周知，基底的选择可能会影响石墨烯的特性。[20–22] 一方面，Kraus 等人早些时候提出，铜基底的刻面可能会压印在石墨烯上，即使在平坦的基底上，转移后也会导致层起波纹。[23] 另一方面，研究表明，在 SiO 2 上转移的单晶石墨烯中的纳米波纹会降低电子迁移率。[24] 此外，在 Bernal 堆叠双层石墨烯中，在不同基底上都观察到了应变诱导的位错线[25–27]，这可能会限制载流子迁移率。即使在目标基底上转移后，这些位错也可能存在。了解这些位错的形成和生长衬底的影响将为设计双层石墨烯和其他堆叠二维材料的特性开辟一条道路。我们利用低能电子显微镜 (LEEM) 和衍射 (LEED) 研究了在 Cu(111) 衬底上以及转移到外延缓冲层后 CVD 生长的石墨烯的厚度和晶体度。我们发现，在石墨烯生长过程中，衬底表面会重新构建为小平面，即使在单层石墨烯中也会留下波纹结构。LEEM 暗场测量揭示了衬底小平面在双层（和三层）石墨烯中堆叠域形成过程中的作用，这些堆叠域在转移过程中得以保留。