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引用：Dinah, C., Enoch, J., Ghulakhszian, A., Sekhon, M., Crabb, DP & Taylor, DJ (2024)。玻璃体内补体注射的患者可接受性
摘要 简介 地图状萎缩 (GA) 是非新生血管性（“干性”）年龄相关性黄斑变性 (AMD) 的晚期形式。以前无法治疗的补体抑制剂通过定期玻璃体内注射最近已被证明可以在 3 期试验中减缓 GA 病变的进展。美国食品药品监督管理局于 2023 年 2 月批准了一种这样的治疗方法 Syfovre (pegcetacoplan)。这些疗法可以减缓 GA 的进展，但不能停止或逆转 GA 的进展；它们还可能增加患上新生血管性（“湿性”）AMD 的风险。鉴于这些发展，本研究旨在量化这些新的玻璃体内注射治疗对英国 GA 患者的可接受性，并探讨可能影响这些治疗可接受性的因素。 方法与分析 在这项横断面非干预研究中，主要目标是确定认为定期玻璃体内治疗可以减缓 GA 进展的 GA 患者比例。我们将使用经过验证的可接受性问卷来量化 GA 患者对新疗法的可接受性。我们将建立可接受性与 GA 的功能和结构生物标志物之间的相关性。我们还将探索可能影响可接受性的人口统计学、一般健康和眼部因素。我们将从英国 7 到 8 个参与的国家医疗服务信托机构招募 180 名被诊断为 GA 的个人。将进行多元回归分析以确定多种因素对患者可接受性的同时影响。伦理与传播 该研究于 2023 年 3 月 14 日获得卫生研究局的伦理批准（IRAS 项目 ID：324854）。研究结果将通过同行评审的出版物和会议报告传播给医学视网膜界，并通过与患者和黄斑疾病慈善机构的对话传播。
超冷的液晶液体和共晶型镀和印度的液晶结构
与任何其他简单的液体不同，超冷液体GA是一种复杂的液体，具有共价和金属炭。[2]元素GA形成同素[3-5]及其低熔化温度（29.8°C）的能力使其成为具有高温和电导率的无毒金属材料。[6]在1952年，F.C。坦率地假设，在由大致球形对称性的原子组成的超冷液体中，二十面体短距离阶在能量上有利。[7,8]对于Dectes，超冷液体GA中的异常结构有序在科学社区中引起了极大的关注。在以前的尝试中描述了液体GA，TSAY和WANG [9]的异常特性时，在GA的四面体上报道了由两个二聚体相互互锁的四二二聚体 - 具有四个带有四个原子的指数。与其他邻居相比，最近的邻居原子之一的键长具有更长的键长，因此四面体是不对称的。在短寿命的共价GA二聚体的情况下，键长的长度接近2.44Å是归因于从摩尔圆形动力学模拟中观察到的结构肩部。[2]但是，在群集结构中的GA – GA对分离大于2.5Å，更有可能
c 面 GaN 模板和蓝宝石衬底上 -Ga2O3 薄膜的晶体各向异性
β -氧化镓（β -Ga 2 O 3 ）的带隙约为4.9 eV [ 1 ]，作为一种新兴的超宽带隙半导体，近年来得到了广泛的研究。由于其具有成熟的块体材料制备、优异的Baliga 品质因数和高电子迁移率等优点[ 2 ]，β -Ga 2 O 3 被认为是一种很有前途的日盲紫外（UV）光电探测器、气体传感器、紫外透明导体和大功率电子器件的候选材料[ 3 ，4 ]。虽然块体β -Ga 2 O 3 是外延生长高质量β -Ga 2 O 3 薄膜的理想衬底，但其昂贵的成本和较差的热导率仍然阻碍了同质外延的商业化。因此，在低成本、大尺寸衬底上异质外延β -Ga 2 O 3 薄膜仍然具有重要意义。
低热阻（0.5 K/W）Ga2O3 肖特基整流器...
摘要 — Ga 2 O 3 的低热导率可以说是 Ga 2 O 3 功率和射频器件最严重的问题。尽管进行了许多模拟研究，但是还没有关于大面积封装 Ga 2 O 3 器件热阻的实验报告。这项工作通过展示 15-A 双面封装 Ga 2 O 3 肖特基势垒二极管 (SBD) 并测量其在底部和结侧冷却配置下的结到外壳热阻 (R θ JC) 来填补这一空白。R θ JC 特性基于瞬态双界面法，即 JEDEC 51-14 标准。结冷和底部冷却的 Ga 2 O 3 SBD 的 R θ JC 分别为 0.5 K/W 和 1.43 K/W，前者的 R θ JC 低于同等额定值的商用 SiC SBD。这种低 R θ JC 归因于直接从肖特基结而不是通过 Ga 2 O 3 芯片进行散热。R θ JC 低于商用 SiC 器件，证明了 Ga 2 O 3 器件在高功率应用中的可行性，并表明了适当封装对其热管理的重要性。索引术语 — 超宽带隙、氧化镓、封装、肖特基势垒二极管、热阻。
后退火对蓝宝石上多晶Ga2O3光电探测器电性能的影响
研究了后退火对蓝宝石衬底上日盲多晶氧化镓 (Ga 2 O 3 ) 紫外光电探测器的物理和电学性能的影响。随着后退火温度 (PAT) 从 800 °C 升高到 1000 °C，多晶 Ga 2 O 3 的晶粒尺寸变大，但随着 PAT 进一步升高到 1100 °C，晶粒尺寸变小。随着 PAT 的增加，在蓝宝石上的 Ga 2 O 3 的透射光谱的吸收带边缘发生了蓝移，这是由于蓝宝石衬底中的 Al 掺入 Ga 2 O 3 中形成 (Al x Ga 1 – x ) 2 O 3 造成的。高分辨率X射线衍射和透射光谱测量表明，1100°C退火后的(Al x Ga 1 – x ) 2 O 3 的取代Al组分和带隙分别可以达到0.30和5.10 eV以上。1000°C退火样品的R max 与沉积态器件相比提高了约500%，且1000°C退火样品的上升时间和下降时间较短，分别为0.148 s和0.067 s。这项研究为多晶Ga 2 O 3 紫外光电探测器的制作奠定了基础，并找到了一种提高响应度和响应速度的方法。
批准的CE课程2024年10月
10/3 -10/5 Life Vision Extravaganza 2024 8 Hours B Basic Sciences CA-C-24-10-10094 Marietta, GA Life University 10/3 -10/5 Life Vision Extravaganza 2024 1 Hour B Principles of Practice CA-C-24-10-10095 Marietta, GA Life University 10/3 -10/5 Life Vision Extravaganza 2024 1 Hour A Adjustive Technique CA-C-24-10-10096玛丽埃塔，GA Life University 10/3 -10/5 Life Vision Extravaganza 2024 2小时B哲学CA-C-24-10-10097 Marietta，GA Life University
HER2 靶向药物的优化、自动化和符合 cGMP 的合成 [
摘要背景：Affibody 分子 ABY-025 已被证明可用于在体内检测人类表皮生长因子受体 2 (HER2)，无论是用铟-111 ( 111 In) 还是镓-68 ( 68 Ga) 进行放射性标记。最好使用后者 68 Ga，因为与 111 In 相比，它在正电子发射断层扫描中具有更高的分辨率和在临床环境中的量化能力。正在进行的 II 期研究 (NCT05619016) 评估了 ABY-025 用于检测 HER2 低病变和选择患者进行 HER2 靶向治疗的效果，目的是优化 [ 68 Ga]Ga-ABY-025 的自动化和符合 cGMP 的放射合成。 [ 68 Ga]Ga-ABY-025 是在合成模块 Modular-Lab PharmTracer (Eckert & Ziegler) 上生产的，该模块常用于 68 Ga 标记。放射性示踪剂之前已在此模块上进行放射性标记，但为了简化生产，对方法进行了优化。将需要手动交互到放射性标记程序的步骤减至最少，包括方便且自动化的 68 Ga 洗脱液预浓缩和简化的自动化最终配制程序。放射性药物生产的每个部分都经过精心开发，以获得稳健性并避免任何操作员绑定的制造变化。优化的生产方法已成功应用于另一种放射性示踪剂的 68 Ga 标记，验证了其作为基于 Affibody 的肽的放射合成的通用且稳健方法的多功能性。结果：开发了一种简化和优化的自动化 cGMP 合规的 [ 68 Ga]Ga-ABY-025 放射合成方法。该方法的衰变校正放射化学产率为 44 ± 2%，放射化学纯度 (RCP) 为 98 ± 1%，生产后 2 小时的 RCP 稳定性为 98 ± 1%，表明该方法具有高度的可重复性。当用于放射性标记另一种类似肽时，该生产方法也显示出可比的结果。结论：对 [ 68 Ga]Ga-ABY-025 放射合成所做的改进，包括引入 68 Ga 洗脱液的预浓缩，旨在充分利用 68 Ge/ 68 Ga 发生器的放射性输出，从而减少放射性浪费。此外，减少放射合成前手动执行的准备步骤的数量，不仅可以最大限度地降低潜在的人为/
能源系统建模和可持续性分析
欧盟的H2020 Rinno（建立低碳，气候弹性的未来：安全，清洁和高效的能源，GA 892071），Pocityf（一个积极的能源城市变换框架，GA 864400）和响应（综合解决方案（用于正能量和弹性城市的综合解决方案），GA：957751）财务支持
采用极化诱导掺杂的 Ga2O3 场效应晶体管
摘要 III 族氮化物和β 相氧化镓（β -Ga 2 O 3 ）是目前研究较为深入的两种用于电力电子的宽带隙半导体材料。由于两种材料体系之间的晶格失配度相对较小，且可以利用体相 AlN、GaN 和β -Ga 2 O 3 衬底，因此已经实现了在β -Ga 2 O 3 上外延生长 III 族氮化物或反之亦然。然而，将两种材料体系集成在一起来设计功率器件仍然缺乏。本文数值研究了 AlN/β -Ga 2 O 3 异质结构，利用极化诱导掺杂来实现高性能增强型晶体管。受 AlN/β -Ga 2 O 3 界面极化效应的影响，沟道中的二维电子气浓度最高可达 8.1 × 10 19 cm −3。在沟道顶部引入p-GaN栅极，最终实现了具有可调正阈值电压的常关型AlN/β-Ga 2 O 3场效应晶体管。此外，我们插入了非故意掺杂的GaN背阻挡层以抑制漏极漏电流。最后，为了实现高性能III族氮化物/Ga 2 O 3基功率器件，我们进一步研究和分析了具有不同结构参数的器件的传输和输出特性。
ACR患者新闻信最终2024
AMD最常被归类为“干”形式，这意味着视网膜中没有出血或泄漏。与潮湿的形式相比，干燥的AMD进展得慢得多，但仍会导致法律失明。在干燥AMD的更高级阶段，由于地理萎缩（GA）的形成，视网膜组织的丧失导致盲点。ga是在黄斑中形成的萎缩区域，它是视网膜的中心，负责中央视力。在2023年，前两种处理（Syfovre和Izervay）被FDA批准用于治疗地理萎缩（GA）。这些治疗方法抑制了已鉴定的补体途径，这被认为会导致GA的形成，并且在每月或每个其他月注射到眼睛时，它们显示出适度的GA进展减慢，具有一定的潜力