大多数实心电解质(SES)对于全稳态电池(ASSB)应用有望具有狭窄的电化学稳定性窗口。1因此,当采用高能量密度电极材料(例如锂金属阳极)时,观察到寄生电解质侧反应。2因此,必须确定这种反应引发哪些电势并形成哪种化学物质作为分解产物(导致固体电解质相间,SEI)很重要。在这项研究中,引入了一种新的Operando实验方法,以通过使用硬X射线使用光电子光谱来研究此类反应。这种实验方法使我们能够调查埋在薄金属膜(例如6 nm镍(镍)中,它部分透明的电子)充当工作电极。使用基于硫化物的LI 6 PS 5 Cl固体电解质证明了这种方法的可行性。实验表明,侧反应已经开始为1.75 V(Vs li + /li),导致相当大的Li 2 s形成,尤其是在电压范围内1.5-1.0 V. SEI的异构 /分层微观结构,观察到了SEI的异质 /分层微观结构(例如,Prefinential Li 2 O和当前收藏家附近的Li 2 S沉积物)。还观察到了侧反应的可逆性,因为在2-4 V电势窗口中分解了Li 2 O和Li 2 S,产生了氧化的硫种类,亚硫酸盐和硫酸盐。实验方法有望在动态条件下用于各种固体电解质和电流收集器组合的电解质分解反应。
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标准普尔全球企业可持续性评估(CSA)是评估环境,社会和治理(ESG)绩效的世界最重要的基准之一。它根据ESG标准评估公司,对其可持续性实践提供全面的看法。这些排名是公司评估其ESG绩效,确定加强领域并与全球可持续性标准保持一致的关键工具。去年,根据2023年评估,印度斯坦锌在金属和矿业行业中排名第一,得分为85。今年,印度斯坦锌在关键参数(例如气候战略,社区关系,废物和污染物)中取得了最高的分数。这些成就反映了公司对可持续性的综合和前瞻性方法 - 结合了环境管理,社区发展,道德治理和创新。
光学多层薄膜结构是在许多应用中广泛使用的最重要的光子结构之一,包括结构颜色1,2,过滤器3,吸收剂4,分布式Bragg反射剂5,6(DBR),Fabry-Pérot7(fp)7(fp)储存器,Photovoltaic 8和photovoltaic 8和辐射式冷却9--其他9- 11- 11- 11-11,等等。逆设计旨在确定最佳的材料布置并获得厚度组合以实现用户呈现的光学目标,这对于启用上述许多应用程序至关重要。术语中,主流逆设计方法有两种类型:1)基于优化的方法12-16,它们依靠数值模拟和迭代搜索来微调设计和目标的光学响应之间的差异; 2)基于深度学习的方法17-23,该方法使用神经网络从目标响应的空间中学习了对光学空间的一般映射
Terahertz(THZ)技术已成为下一代无线通信和广泛应用的令人兴奋的边界。THZ频段的空前带宽允许超高的数据速率,在无线虚拟现实,高清多媒体流媒体,高保真移动全息图和无线芯片芯片通信方面开辟了令人兴奋的机会。但是,部署THZ系统提出了重大的网络和安全挑战,必须应对这些挑战,以充分实现该技术的潜力。本文全面分析了THZ通信的关联网络和安全问题,这些网络和安全问题是根据2014年至2024年之间发表的相关文献。信号传播和路径丢失,光束跟踪和对齐方式以及有效的网络体系结构和干扰管理技术的设计是解决的一些关键网络挑战。在安全性方面,本文着眼于物理层安全性,窃听和阻塞威胁,以及针对启用THZ的设备的硬件安全性和可信赖的计算注意事项。分析强调了THZ信号的独特特征,例如它们的高方向性,对分子吸收和阻塞的敏感性以及独特的传播行为,这既带来了网络和安全的机会和挑战。创新的解决方案和鲁棒的安全机制,例如指导调制,基于波束的安全性,安全的钥匙分配协议和基于硬件的证明技术,以解决这些挑战的潜在方法,从而帮助并指导未来的研究工作。
我们提出了用于制备 Greenberger-Horne-Zeilinger (GHZ) 状态的优化提炼方案。我们的方法依赖于以受白噪声影响的 GHZ 状态作为输入来训练变分量子电路。通过对该方案进行一次迭代优化,我们发现可以提高 GHZ 状态的保真度,尽管进一步迭代会降低保真度。同样的方案,作用于相干失真的纯态输入,仅在某些特殊情况下有效。然而,我们表明,当在协议的两次迭代后优化输出时,可以实现截然不同的结果。在这种情况下,获得的方案在从受白噪声影响的输入中提炼 GHZ 状态方面更有效。此外,它们还可以纠正几种类型的相干纯态误差。
†同等贡献;电子邮件:aaron.thean@nus.edu.sg摘要 - 我们首次成功证明了创新的后端(beol)兼容的电磁调节器和内存(Eomm)基于niobate基于绝缘体(LNOI)的niobate(lnoi)Micro-Ring Rings Resonator(MRR)的5 ZRRING 0. ZRRICTRRICRICRICRICRICRICRICTRRICRICTRICTRICTRICRICRICTRRICRICTRICRICRICTRICTRICTRICTRICTRICRICRONE (HZO)非挥发性模拟记忆。高的非易失性记忆和调制性能都在单个紧凑型装置中实现,高灭绝比为13.3 dB,出色的效率为66 pm/v,稳定的九态开关,创纪录的耐力超过10 9个循环。这是通过利用LNOI中的Pockels效应来实现的,这是由残留的HZO铁电偏振的电场效应引起的。我们研究了由Eomm和Hybrid热光调制的Eomm启用的可重新配置的Chiplet-interposer光子互连的系统实现。我们的模型显示出与常规电气插座互连相比,潜在的70%能效提高。我们还测试了Eomm与Poet Technologies的400G TX/RX光学插入器芯片的集成,并研究了Eomm设备的有限规模演示。
标准参考条件为:25ºC,100 kPa和30%的相对湿度。对于标称值效率,不考虑与Pf = 1相关的参数,而div>则不考虑。*可能需要减少**寒冷天气(加热器)的选择。Atlas Copco将保留由于任何原因而在必要时更改任何数据的权利。EN-IEC 61000, EN-IEC 60335, EN-IEC 60335, EN-IEC 62109, EN 55014, UL1741, IEEE1547, UL1741, UL9540, NEMA250, ADR class 9, UN 3536, CE, NEN3140, NEN3840, ISO9001, ISO14001, Low Voltage Directive 2014/35/EU,EMC指令2014/30/EU