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锆和hafnium的分析化学
锆和hafnium具有许多有趣的物理和机械性能，例如在低温和升高温度下金属和合金的耐腐蚀性以及机械强度。锆到热中子的透射术已发现其作为核反应堆中建筑材料的最大用途。hafnium始终与锆有关，彼此之间的分离一直是分析化学家的挑战。hafnium由于其较大的中子横截面而被用作核反应堆中的对照棒。的兴趣较少。但是，随着其应用程序的扩大，这可能会更改。hafnium可以吸收并放弃热量的速度两倍以上是锆或钛的两倍以上，作为喷气发动机和太空技术的建筑材料似乎非常有前途。该专着介绍了有关锆和hafnium的表征和分析的可用文献的集合和比较。已经讨论了锆和hafnium的水性化学，以引起人们对水解和聚合的并发症的注意，及其对分析程序的影响。的经典方法（例如重为重量，滴定和吸收法）与光谱，X射线和中子激活方法一起列出。分离的技术，已经讨论了与hafnium的锆。 专着涵盖了直到1967年的重要文献。 感谢亨利·弗里瑟（Henry Freiser）教授对手稿的宝贵批评。分离的技术，已经讨论了与hafnium的锆。专着涵盖了直到1967年的重要文献。感谢亨利·弗里瑟（Henry Freiser）教授对手稿的宝贵批评。
氮氧化铪的制备技术及优化（...
本研究致力于脉冲直流反应磁控溅射氧氮化铪 (HfOxNy) 薄膜的技术和优化。采用田口正交表法优化 HfOxNy 薄膜的制备工艺，以获得具有最佳电气参数的材料。在优化过程中，通过对以氧氮化铪为栅极电介质的 MIS 结构的电气特性监测介电薄膜的参数。还检查了制备的 HfOxNy 层的热稳定性。结果显示，热处理后制备的薄膜的电气参数有所改善。即，我们观察到有益的平带电压 (Vfb) 值、CeV 特性的频率色散消失、有效电荷 (Qeffi/q) 降低以及所检查的 MIS 结构界面陷阱 (Dit) 密度降低。然而，与参考样品相比，介电常数值略低。证明了 HfO x N y 层在高达 800 °C 的温度下具有优异的稳定性。尽管观察到层体中结晶相的显著增加，但未发现电气性能或表面形貌的恶化。本研究的结果使所研究的采用脉冲直流反应磁控溅射制备的 HfO x N y 成为 MIS 结构和器件中栅极电介质的可能候选者。
锆和hafnium-矿物商品摘要2024
国内生产和使用：2023年，一家公司从佛罗里达州和佐治亚州的表面挖掘作业中回收了锆石（硅酸盐），作为重矿物砂的开采中的一项合并，第二家公司处理了加利福尼亚州现有的矿物砂量。磨料的沙子，独居石和钛矿物质浓缩物是国内重型矿物质作业的互合量。锆金属和hafnium金属是由俄勒冈州的一位生产商和犹他州的一家生产商从锆化学中间体生产的。锆和hafnium通常以大约36至1的比例包含在锆石中。耗载锆化学物质是由俄勒冈州的金属生产商以及至少10家公司从国内和进口材料中生产的。陶瓷，铸造砂，不透明剂和折射率是锆石的主要用途，其他最终用途包括磨料，化学物质，金属合金和焊杆涂层。锆金属的主要消费者是化学过程和核能工业。Hafnium Metal的主要用途是超级合金。
氧空位对铁电氧化铪电场循环行为的影响
摘要 —基于密度泛函理论（DFT）计算，提出了一种关于HfO 2 基铁电器件中氧空位（Vo）的新机制。在该机制中，除了已知的o相HfO 2 之外，m相HfO 2 中的Vo不仅作为电子陷阱而且也表现出铁电性。而“唤醒”过程中剩余极化的增加主要归因于这部分Vo-m相HfO 2 铁电单元。基于新机制，开发了动力学蒙特卡罗（KMC）模拟器来量化在HfO 2 基铁电器件中观察到的典型电场循环行为，包括唤醒、疲劳、分裂和击穿效应。这种新的认识建立了Vo与循环行为之间的关系，并进一步揭示了掺杂剂与HfO 2 基铁电器件唤醒特性之间的联系。
血浆极性由碱性沉积诱导的Hafnium disulfide $ 1T \ textrm { - } {\ rm hfs} _2 _2 $
我们将基于多体扰动理论和累积膨胀的AB从头算计算与角度分辨光发射光谱（ARPES）相结合，以量化高度掺杂的半导体过渡金属二核基因1 T -HFS中的电子样本相互作用。arpes揭示了传导带底部的准颗粒激发附近的卫星光谱特征的出现，这表明偶联与200 MeV的特征能量的玻体激发偶联。我们对光发射光谱函数的第一个原理计算表明，这些特征可以归因于电子耦合到载体等离子（掺杂诱导的集体电荷密度频率）。我们进一步表明，在表面上减少筛选会增强电子 - 种类的相互作用，并主要负责等离激子极性子的出现。
超强二硼化铪粒子对自润滑铝复合材料耐磨性能的显著增强研究
摘要 本研究主要研究了通过添加石墨和二硼化铪 (HfB 2 ) 颗粒来显著提高 AA6061 合金混合复合材料的磨损性能。AA6061 合金因其高腐蚀性和耐磨性而广泛应用于航空和汽车领域。采用搅拌铸造法，通过在 AA6061 基体中添加不同百分比的石墨和 HfB 2 颗粒来创建混合复合材料。使用 SEM 和显微硬度计检查所得复合材料的微观结构，以验证增强颗粒的均匀分布和合金的硬度。为了比较混合复合材料与基体 AA6061 合金的摩擦学性能，在不同的负载条件下进行了磨损实验。结果表明，加入 5% 的石墨颗粒和 15% 的 HfB 2 颗粒后，耐磨性显着提高。坚硬的 HfB 2 颗粒提高了承载能力和耐磨性。石墨和 HfB 2 的协同作用产生了一种混合复合材料，与基础 AA6061 合金相比，其磨损率和摩擦系数明显较低。这项研究的成果凸显了混合增强策略在开发具有增强摩擦学性能的先进材料方面的潜力，使其有望成为汽车悬架部件和车顶导轨的替代品。
铁电铪-氧化锆基金属-氧化物-半导体结构中界面氧化物层的远程除氧
摘要：HfO 2 中铁电性的发现引起了人们对其在存储器和逻辑中的应用的极大兴趣，因为它具有 CMOS 兼容性和可扩展性。使用铁电 HfO 2 的器件正在被研究；例如，铁电场效应晶体管 (FEFET) 是下一代存储器技术的主要候选者之一，因为它具有面积小、能效高和运行速度快等优点。在 FEFET 中，铁电层沉积在 Si 上，界面处不可避免地会形成厚度约为 1 nm 的 SiO 2 层。该界面层 (IL) 增加了切换极化和写入存储器所需的栅极电压，从而增加了操作 FEFET 所需的能量，并使该技术与逻辑电路不兼容。本研究结果表明，铁电 Hf 0.5 Zr 0.5 O 2 基金属氧化物半导体 (MOS) 结构中的 Pt/Ti/薄 TiN 栅极电极可以远程清除 IL 中的氧气，将其减薄至约 0.5 纳米。IL 的减少显著降低了铁电极化切换电压，同时剩余极化强度增加约 2 倍，极化切换突变度增加约 3 倍，这与密度泛函理论 (DFT) 计算结果一致，该计算模拟了 IL 层在栅极堆栈静电中的作用。剩余极化强度和极化切换突变度的大幅增加与清除过程中的氧扩散相一致，氧扩散减少了 HZO 层中的氧空位，从而使部分 HZO 晶粒的极化脱钉扎。关键词：铁电性、远程清除、夹层、EOT 减少、极化■ 介绍
铁电铪-氧化锆基金属-氧化物-半导体结构中界面氧化物层的远程除氧
摘要：HfO 2 中铁电性的发现引起了人们对其在存储器和逻辑中的应用的极大兴趣，因为它具有 CMOS 兼容性和可扩展性。使用铁电 HfO 2 的器件正在被研究；例如，铁电场效应晶体管 (FEFET) 是下一代存储器技术的主要候选者之一，因为它具有面积小、能效高和运行速度快等优点。在 FEFET 中，铁电层沉积在 Si 上，界面处不可避免地会形成厚度约为 1 nm 的 SiO 2 层。该界面层 (IL) 增加了切换极化和写入存储器所需的栅极电压，从而增加了操作 FEFET 所需的能量，并使该技术与逻辑电路不兼容。本研究结果表明，铁电 Hf 0.5 Zr 0.5 O 2 基金属氧化物半导体 (MOS) 结构中的 Pt/Ti/薄 TiN 栅极电极可以远程清除 IL 中的氧气，将其减薄至约 0.5 纳米。IL 的减少显著降低了铁电极化切换电压，同时剩余极化强度增加约 2 倍，极化切换突变度增加约 3 倍，这与密度泛函理论 (DFT) 计算结果一致，该计算模拟了 IL 层在栅极堆栈静电中的作用。剩余极化强度和极化切换突变度的大幅增加与清除过程中的氧扩散相一致，氧扩散减少了 HZO 层中的氧空位，从而使部分 HZO 晶粒的极化脱钉扎。关键词：铁电性、远程清除、夹层、EOT 减少、极化■ 介绍
材料
摘要：难熔铌硅基合金因其在超高温下优异的力学性能，是一种颇具吸引力的高温结构合金，尤其可用作燃气涡轮发动机的结构部件。然而，由于室温断裂韧性和高温强度之间的权衡，铌硅基合金的应用发展受到限制。本文，我们报道了通过选择性激光熔化 (SLM) 制备分散有碳化铪 (HfC) 颗粒的 Nb-18Si 合金。利用 XRD 和 SEM-BSE 研究了扫描速度对沉积的 Nb-18Si-5HfC 合金的微观结构和相结构的影响。结果表明，随着扫描速度的升高，固溶体的固溶度提高，共晶的层间距缓慢减小到纳米级，相应的碳化铪分布变得更加均匀。还发现碳化铪颗粒弥散分布于层间结构中，使其在室温下具有较高的断裂韧性性能（20.7 MPa·m 1/2），通过对组织形貌和碳化物分布的控制，实现了硬度与断裂韧性的同步提高。