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界面电介质对 FeRAM 设计的影响......
摘要 — 随着铁电铪锆氧化物 (HZO) 在铁电微电子学中的应用越来越广泛，了解有意和无意电介质界面的集成影响及其对铁电薄膜唤醒和电路参数的影响变得非常重要。在这项工作中，测量了在具有 NbN 电极的 FeRAM 应用的电容器结构中铁电 Hf 0.58 Zr 0.42 O 2 薄膜下方添加线性电介质氧化铝 Al 2 O 3 的影响。观察到由线性电介质产生的去极化场会导致铁电体的剩余极化降低。氧化铝的添加还会影响 HZO 相对于施加的循环电压的唤醒。与 FeRAM 1C/1T 单元的设计密切相关，观察到金属-铁电-绝缘体-金属 (MFIM) 设备会根据氧化铝厚度和唤醒循环电压显著转移与读取状态相关的电荷。测量结果显示读取状态分离减少了 33%，这使存储单元的设计变得复杂，并说明了设备中清晰接口的重要性。
HZO-LNOI集成的铁电气调节器和内存的首次演示以启用可重新配置的光子系统Zefeng Zefeng Xu 1,2,6†
†同等贡献；电子邮件：aaron.thean@nus.edu.sg摘要 - 我们首次成功证明了创新的后端（beol）兼容的电磁调节器和内存（Eomm）基于niobate基于绝缘体（LNOI）的niobate（lnoi）Micro-Ring Rings Resonator（MRR）的5 ZRRING 0. ZRRICTRRICRICRICRICRICRICRICTRRICRICTRICTRICTRICRICRICTRRICRICTRICRICRICTRICTRICTRICTRICTRICRICRONE （HZO）非挥发性模拟记忆。高的非易失性记忆和调制性能都在单个紧凑型装置中实现，高灭绝比为13.3 dB，出色的效率为66 pm/v，稳定的九态开关，创纪录的耐力超过10 9个循环。这是通过利用LNOI中的Pockels效应来实现的，这是由残留的HZO铁电偏振的电场效应引起的。我们研究了由Eomm和Hybrid热光调制的Eomm启用的可重新配置的Chiplet-interposer光子互连的系统实现。我们的模型显示出与常规电气插座互连相比，潜在的70％能效提高。我们还测试了Eomm与Poet Technologies的400G TX/RX光学插入器芯片的集成，并研究了Eomm设备的有限规模演示。
用于碳化硅和氮化镓电子设备的高介电常数二元氧化物薄膜的结构和绝缘行为
摘要：高κ电介质是介电常数高于二氧化硅的绝缘材料。这些材料已经在微电子领域得到应用，主要用作硅 (Si) 技术的栅极绝缘体或钝化层。然而，自过去十年以来，随着宽带隙 (WBG) 半导体的广泛引入，如碳化硅 (SiC) 和氮化镓 (GaN)，后硅时代开始了，这为高κ材料在这些新兴技术中的应用开辟了新的前景。在此背景下，铝和铪的氧化物（即 Al 2 O 3 、HfO 2 ）和一些稀土氧化物（例如 CeO 2 、Gd 2 O 3 、Sc 2 O 3 ）是有前途的高κ二元氧化物，可用作基于 SiC 和 GaN 的下一代大功率和高频晶体管的栅极介电层。本综述论文概述了用于后硅电子器件的高介电常数二元氧化物薄膜。特别地，重点关注通过原子层沉积在 WBG 半导体（碳化硅和氮化镓）上生长的高 κ 二元氧化物，无论是非晶态还是晶体膜。讨论了沉积模式和沉积前或沉积后处理的影响。此外，还介绍了这些薄膜的介电行为，并报告了一些应用于 SiC 和 GaN 晶体管的高 κ 二元氧化物的示例。强调了这些技术的潜在优势和当前的局限性。
JHR材料测试反应器的完整参考Apollo3®确定性方案
JHR是一种正在CADARACHE CADARACHE施工的新材料测试反应器。其高通量芯包含37个沿同心环的燃料组件，进入铝基质的肺泡。对于反应堆的运行，这些燃料组件中有二十七个在其中心构成了hafnium杆，而其他燃料组件也可以容纳其他燃料组件，而其他燃料组件也可以容纳铍径向反射器，可以容纳实验设备。为了准确预测其操作核心特性，也是其辐照性能，正在开发基于Apollo3®平台的最近开发的方案，该方案正在开发，该方案使用了子组方法来用于空间自屏蔽，特征的2D方法和3D非结构化的符合符合符号的尖塔nararet s n运输求解器。已建立并优化了JHR的2D模型，用于在晶格步骤中计算自屏蔽和凝结的横截面，这要归功于亚组方法和特征方法。根据Tripoli-4®随机参考计算进行基准测试。与以前的Apollo2方案相比，更精致的空间网格给出了更好的裂变率和反应性结果。经典的2步计算使用无限晶格配置的假设，这对于靠近中心的组件是合理的，但对于外围的组件是合理的。因此，考虑到每个组件的周围，正在设置一种新方法。新的3-步骤方案使用SN求解器尖塔，比传统的2步方案获得更好的结果。关键字：Apollo3®，JHR，确定性计算方案，S N方法这种方法将应用于包含实验设备并启用烧毁计算的异质JHR核心配置的3D建模。
单色 XPS 光谱
Eu (3+)（氧化铕中的铕，Z=63）..............................................................................................149 F (-)（氟化锂中的氟，Z=9）......................................................................................................155 Fe o（铁金属，Z=26）......................................................................................................................159 Ga o（镓金属，Z=31）......................................................................................................................163 Gd o（钆金属，Z=64）......................................................................................................................169 Ge o（锗金属，Z=32）......................................................................................................................173 Hf o（铪金属，Z=72）......................................................................................................................178 Hg o（汞金属，Z=80）......................................................................................................................182 Ho o（钬金属，Z=67）......................................................................................................................186 I (-)（碘钾碘化物，Z=53)...................................................................................................190 In o (铟金属，Z=49)....................................................................................................................196 Ir o (铱金属，Z=77)...................................................................................................................200 K (+) (氯化钾中的钾，Z=19)......................................................................................................204 Kr (+) (碳中氪，Z=36)......................................................................................................210 La (3+) (氧化镧中的镧，Z=57)......................................................................................................213 Li (+) (氢氧化锂中的锂，Z=3)......................................................................................................219 Lu o (镥金属，Z=71)......................................................................................................................224 Mg o (镁金属，Z=12)......................................................................................................................228 Mn o (锰金属， Z=25)......................................................................................................................233 Mo o（金属钼，Z=42）..................................................................................................................237 N (3-)（氮化硼中的氮，Z=7）..................................................................................................241 Na (+)（氯化钠中的钠，Z=11）........................................................................................247
水热形成的氧化铜（CUO）薄膜用于电阻开关存储器
通常可以观察到，已将回忆设备视为非挥发性半导体记忆（NVSM）设备，逻辑操作或神经形态计算的合适结构[1]。与典型的NVSM设备相比，已经选择了具有简单设备体系结构，快速开关属性，低功耗级别或出色的可扩展性的将来的内存应用程序的电阻随机存储器（RRAM）设备[2-4]。到目前为止，已经提出了基于几种介电和导电材料的不同Ar散布[5-7]。但是，所有这些设备的瓶颈都是大型操作电压或固定率变质。过渡金属氧化物，例如氧化钛（Tio X）[8]，氧化镍（Nio X）[9]，氧化锌（ZnO）[10]或氧化物（HFO X）[11,12]，已被广泛检查用于记忆应用。在这些材料中，氧化铜（CUO）也可以表现出出色的电阻转换（RS）特征[13]。作为一种无毒的，互补的金属氧化物半导体（CMOS）兼容和丰富的地球材料，铜（CU）已被广泛用于超大级构成（ULSI）设备中。因此，作为集成电路处理序列中最常见的导电膜之一，基于CU的设备被视为在半导体设备制造中是相关的候选者。CUO膜可以使用几种方法，例如分子束外延（MBE）[14]，化学蒸气沉积
三元氮化物 CaZrN2 和 CaHfN2 的合成
摘要：最近的计算研究预测了许多新的三元氮化物，揭示了这一尚未充分探索的相空间中的合成机会。然而，合成新的三元氮化物很困难，部分原因是中间相和产物相通常具有较高的内聚能，会抑制扩散。本文，我们报告了通过 Ca 3 N 2 和 M Cl 4（M = Zr、Hf）之间的固态复分解反应合成两个新相，钙锆氮化物（CaZrN 2 ）和钙铪氮化物（CaHfN 2 ）。虽然反应名义上以 1:1 的前体比例通过 Ca 3 N 2 + M Cl 4 → Ca MN 2 + 2 CaCl 2 进行到目标相，但以这种方式制备的反应会产生缺钙材料（Ca x M 2 − x N 2 ，x < 1）。高分辨率同步加速器粉末 X 射线衍射证实，需要少量过量的 Ca 3 N 2 (约 20 mol %) 才能产生化学计量的 Ca MN 2 。原位同步加速器 X 射线衍射研究表明，名义化学计量反应在反应途径早期产生 Zr 3+ 中间体，需要过量的 Ca 3 N 2 将 Zr 3+ 中间体重新氧化回 CaZrN 2 的 Zr 4+ 氧化态。对计算得出的化学势图的分析合理化了这种合成方法及其与 MgZrN 2 合成的对比。这些发现还强调了原位衍射研究和计算热化学在为合成提供机械指导方面的实用性。■ 简介
微波炉退火对高灵敏度pH-EGFET传感器HFO2薄膜的传感特性的影响
摘要：最近，某些挑战一直存在于pH传感器的应用中，尤其是在使用氧化物（HFO 2）薄膜作为感应层时，其中与敏感性，滞后和长期稳定性障碍性能有关的问题。微波退火（MWA）技术作为解决这些挑战的有前途的解决方案，由于其独特的优势，吸引人的吸引力很大。在本文中，首次研究了使用HFO 2作为传感膜的微波退火（MWA）处理对扩展栅场效应晶体管（EGFET）的传感行为的影响。选择了MWA处理的各种功率水平（1750 W/2100 W/2450 W）以探索最佳处理条件。使用X射线光电学光谱（XPS）和原子力显微镜（AFM）等技术进行了彻底的物理分析，以表征MWA处理的HFO 2传感薄膜的表面。我们的发现表明，MWA处理有效地增加了HFO 2传感薄膜中的表面位点（NS），从而导致EGFET的pH敏感性提高到59.6 mV/pH，并在长期稳定性中降低了滞后和滞后的降低和增强。这些结果表明，MWA提供了一种直接，能量良好的方法来增强EGFET中的总体HFO 2传感效果性能，为HFO 2应用程序提供了见解和更广泛的微电子挑战。
优化 14 nm 双栅极 Bi-GFET 以降低漏电
近年来，电子技术的突破使金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET) 的物理特性不断提升，尺寸越来越小，质量和性能也越来越高。因此，生长场效应晶体管 (GFET) 因其优异的材料特性而被推崇为有价值的候选者之一。14 nm 水平双栅极双层石墨烯场效应晶体管 (FET) 采用高 k 和金属栅极，分别由二氧化铪 (HfO 2 ) 和硅化钨 (WSi x ) 组成。Silvaco ATHENA 和 ATLAS 技术计算机辅助设计 (TCAD) 工具用于模拟设计和电气性能，而 Taguchi L9 正交阵列 (OA) 用于优化电气性能。阈值电压 (V TH ) 调整注入剂量、V TH 调整注入能量、源极/漏极 (S/D) 注入剂量和 S/D 注入能量均已作为工艺参数进行了研究，而 V TH 调整倾斜角和 S/D 注入倾斜角已作为噪声因素进行了研究。与优化前的初始结果相比，I OFF 值为 29.579 nA/µm，表明有显著改善。优化技术的结果显示器件性能优异，I OFF 为 28.564 nA/µm，更接近国际半导体技术路线图 (ITRS) 2013 年目标。
电化学导向的有损生物功能化......
纳米技术和光子学领域的最新进展为开发新一代灵活、便携、多功能和高性能光纤传感器提供了可能性，例如基于有损模式谐振 (LMR) 的传感器。由于其灵活性和相对较高的灵敏度，这种新方法在过去 20 年中应运而生，并发现了许多应用，如折射率 (RI) [ 1 ]、电压 [ 2 ]、pH 值 [ 3 ]、湿度 [ 4 ] 和化学检测 [ 5 , 6 ]。此外，由于 RI 灵敏度高，基于 LMR 效应的无标记生物传感器的研究也已有大量报道 [ 7 , 8 ]。这种光学效应发生在光纤上的薄膜中。然而，必须满足基底（光纤）、薄覆盖层和外部介质的介电常数的特定条件。一般来说，薄膜介电常数的实部必须为正，同时其幅度要高于其虚部和分析物的介电常数 [ 7 ]。因此，要获得 LMR，需要选择合适的光纤覆盖材料。许多薄膜材料沉积在石英玻璃上时可以获得 LMR。这些材料包括半导体和金属氧化物或氮化物（氧化铟镓锌 [9]、氮化硅 [10]、氧化铟锡 (ITO) [11]、掺氟氧化锡 (FTO) [12]、氧化锡 [13]、氧化锌 [9, 14]、氧化铟 [15]、氧化钛 [16]，以及氧化铪、氧化锆和氧化钽 [17]、类金刚石碳膜 (DLC) [18] 和各种聚合物 [3]）。其中一些材料，例如 ITO [19-21] 和 FTO [12]，由于其独特的性能，例如良好的电导率和合适的带隙 [22]，已被报道能够在光学和电化学两个领域发挥作用（EC）传感器的询问是可以同时进行的。由于多个