Hexagon AB 是一家瑞典上市公司,公司注册号为 556190-4771。除非另有说明,所有价值均以欧元表示。欧元缩写为 EUR,千欧元缩写为 KEUR,百万欧元缩写为 MEUR,数十亿欧元缩写为 bn EUR,百万美元缩写为 MUSD。除非另有说明,括号中的数字指的是 2021 年。除非另有说明,否则市场和同行的数据代表 Hexagon 自己的评估。评估基于已发布来源中最新的可用事实。尽管已尽一切努力翻译本年度报告,但请读者注意,董事会签署的原始年度报告为瑞典语。
振幅[3,4]光散射的方向性[5,6]自旋[7,8]和轨道角动量[9,10],而不受金属基方法固有材料损耗的限制。特别是,由近场增强驱动的应用,如生物分子传感,依赖于高共振品质因数(Q)(定义为共振波长除以线宽),因此需要高的电磁近场强度来实现最大样本灵敏度。[11,12]从米氏理论等中得知,共振品质因数和共振器折射率[13]之间的固有相关性,因此推动了基于高折射率材料体系(如硅[14,15]锗[16,17]或磷化镓)的全电介质纳米光子学的发展。 [18,19] 尽管这些材料在近红外 (NIR) 和红外 (IR) 光谱区域具有出色的高 Q 共振特性,但由于它们的带隙能量处于中间水平,因此在整个可见光谱范围内都伴随着较高的材料固有带间吸收损耗。由于这些基本的材料限制,在整个可见光谱范围内都缺乏无损高折射率材料。[20–23] 特别是,对于可见波长范围,存在大带隙和无损材料的竞争
Hexagon 联合创始人兼首席执行官 Maureen Hillenmeyer 博士表示:“在我们推进针对小分子药物发现的新平台的过程中,我们很高兴能够获得顶级投资者财团的持续支持和信任。真菌和细菌等微生物的代谢物经过数百万年的进化,能够有效抑制某些蛋白质,其中许多蛋白质与人类疾病有关。我们可以向大自然学习如何对抗疾病。从青霉素到他汀类药物再到各种肿瘤药物,微生物天然产物药物发现已经带来了多项突破。然而,传统的‘强力’药物发现过程限制了这一领域的真正潜力。我们相信基因组学是治疗许多人类疾病的关键,我们准备利用这些知识开发新型疗法。我们将计算、生物学和化学结合在一起,达到前所未有的规模。”
摘要:硝酸氢硼(HBN)中带负电荷的硼空位(V B-)缺陷,其具有光学可寻址的自旋态由于其在量子传感中的潜在使用而出现了。非常明显地,当将其植入距HBN表面的纳米尺度距离时,V b-可以保留其自旋相干性,并有可能启用超薄量子传感器。但是,其低量子效率阻碍了其实际应用。研究报告了提高血浆v B-缺陷的总量子效率。但是,迄今为止报告的最多17次的总体增强功能相对较小。在这里,我们证明了使用低损坏纳米捕获天线(NPA)的V B-的发射增强。观察到总体强度增强高达250次,对应于NPA的实际发射增强约为1685次,以及保留的光学检测到的磁共振对比度。我们的结果将NPA耦合的V B-缺陷作为高分辨率磁场传感器,并为获得单个V B-缺陷提供了有希望的方法。关键字:二维材料,HBN,血浆,纳米腔,旋转缺陷,量子传感
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摘要:首次系统地研究了通过高真空化学气相沉积从硼氮烷中生长六方氮化硼 (hBN) 在外延 Ge(001)/Si 衬底上的过程。分别评估了 10 − 7 –10 − 3 mba r 和 900–980 ◦ C 范围内的工艺压力和生长温度对 hBN 薄膜的形貌、生长速率和晶体质量的影响。在 900 ◦ C 下,获得了横向晶粒尺寸约为 2–3 nm 的纳米晶 hBN 薄膜,并通过高分辨率透射电子显微镜图像进行了确认。X 射线光电子能谱证实了原子 N:B 比为 1 ± 0.1。通过原子力显微镜观察到三维生长模式。增加反应器中的工艺压力主要影响生长速率,对晶体质量的影响很小,对主要生长模式没有影响。在 980 ◦ C 下生长 hBN 会增加平均晶粒尺寸,并在 Ge 表面形成 3-10 个取向良好、垂直堆叠的 hBN 层。探索性从头算密度泛函理论模拟表明,hBN 边缘被氢饱和,并且有人提出,在装置的热部件上产生的 H 自由基部分去饱和是导致生长的原因。
摘要:由于其具有吸引力的机械,电子,折射率和其他特性而闻名过渡金属。通过在激光加热的钻石砧细胞中,通过同步加速器单晶X射线衍射实验鉴定出一类新的硼酸盐。可回收到环境条件,化合物rhenium triboride(REB 3)和四翼烷(REB 4)由近包装的单层rhenium原子组成,这些原子与硼龙网络交替与硼龙网络交替,该网络由脱落的六边形层构建,它们将短短粘合(〜1.7Å)轴向轴承轴向轴承轴承轴承(〜1.7Å),轴向轴向轴向轴承轴承轴承轴承轴承。沿着六角形C轴定向的短而不可压缩的RE -B和B -B键导致低轴向可压缩性与钻石的线性压缩性相当。REB 3和REB 4的亚毫米样品在低至33 GPA的压力下合成,用于材料表征。两种化合物的晶体都是金属和坚硬的(Vickers硬度,H V = 34(3)GPA)。几何,晶体化学和理论分析的注意事项表明,具有X> 4的潜在REB X化合物可以基于与REB 3和REB 4中相同的结构组织原理,并且具有相似的机械和电子特性。
摘要:光量子技术有望彻底改变当今的信息处理和传感器。许多量子应用的关键是纯单光子的有效来源。对于用于此类应用的量子发射器,或对于相互耦合的不同量子系统,量子发射器的光发射波长需要进行定制。在这里,我们使用密度泛函理论来计算和操纵二维材料六方氮化硼中荧光缺陷的跃迁能量。我们的计算采用 HSE06 函数,它使我们能够准确预测 267 种不同缺陷的电子能带结构。此外,使用应变调谐,我们可以定制合适量子发射器的光跃迁能量,以精确匹配量子技术应用。因此,我们不仅提供了为特定应用制造发射器的指南,而且还提供了一条有希望的途径来定制可以耦合到其他固态量子比特系统(例如金刚石中的色心)的量子发射器。
工业企业解决方案 (IES) 包括世界领先的制造解决方案组合,该组合采用了最新的计量传感器技术,可实现快速准确的测量。这些解决方案包括坐标测量机 (CMM) 和激光跟踪器和扫描仪等技术,用于优化制造设施的设计、流程和产量,以及 CAD(计算机辅助设计)、CAM(计算机辅助制造)和 CAE(计算机辅助工程)软件。该细分市场中的解决方案还包括用于优化设计、提高生产力以及在工业工厂和工艺设施的生命周期内创建和利用资产管理信息的软件。
