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工作未来报告2025
科学家已经使用细菌探索了自我修复混凝土，该混凝土使用芽孢杆菌物种在水中暴露时生产碳酸钙，密封裂纹并增强耐用性。铝氧硝酸盐（Alon）：Alon是一种由铝，氧气和氮制成的透明陶瓷化合物。它非常耐用，并且已经过测试以抵抗装甲的子弹。TIN（SN）：Stanene（Sn）是具有蜂窝结构的单原子锡原子的一层，类似于石墨烯。
瑞安·阿科姆
近年来，人们对物质的自组织进行了广泛的探索，在由不同聚合物材料（共聚物嵌段、均聚物混合物或两亲性聚合物）自组装而产生的多孔有序膜领域取得了重大进展。微组织膜中的层次有序结构，也称为蜂窝状（HC）结构，可显著提高材料的特定特性，从而增强材料的某些性能。自组装多孔膜的制备采用不同的方法。我们在此采用自下而上的微孔结构化方法，特别是呼吸图（BF）方法，从聚合物混合物中制备高度有序的膜。使用 BF 的首要动机是实施简单，并且适用于多种系统，这使其成为一种生产结构化表面的强大且廉价的技术。由 BF 形成的蜂窝状（HC）结构是水处理的潜在候选材料，可用作过滤膜来处理石油和天然气工业中遇到的稳定油水乳液。与商用均聚物膜相比，均聚物共混物的使用提高了选择性、渗透性和抗污性能。本演讲将重点介绍通过 BF 制备自组装均聚物膜共混物及其在工业废水清洁中的性能和污染/再利用潜力。关键词：微孔表面；聚合物共混物；呼吸图；水处理
原子级可视化金属 - 碱网络逐步生长机理
摘要：金属 - 有机网络研究中最具吸引力的主题之一是增长机制。但是，其研究仍然被认为是一个重要的挑战。在此处使用扫描隧道显微镜，在原子量表上研究了Ag（111）和Au（111）表面的金属 - Alkynyl网络的生长机理。在Ag（111）上的1,3,5- Tris（氯乙烯）苯的反应中，在393 K处形成的蜂窝Ag-Alkynyl网络，仅观察到短链中间体。相比之下，相同的前体形成了503 K的Au（111）上的蜂窝Au-Alkynyl网络。进展退火导致逐步进化过程，其中三种Cl-Alkynyl键在二聚体链的形成，Zigzag链，Zigzag链，Zigzag Chains和Novel Nove Chiral网络，如Intermedialses的形成。此外，密度功能理论的计算表明，氯原子对于有助于金属烷基键的破裂以形成Cl-intal-Altalalynyl至关重要，这保证了断裂/形成平衡的可逆性，作为形成常规规则大型大规模有原子网络的关键。■简介金属 - 有机网络（MONS）最近引起了显着的关注，这是二维（2D）材料的新兴领域的一部分。1此外，在MON的设计和制备中，具有出色的结构，化学和功能可调性。2
三明治面板资格宣传册
CFRP面板基于邮政边缘原理，工程，分析，分析，管理和Noordwijk（nl）的原型飞行结构的原型飞行结构，基于碳纤维增强面板（CFRP /铝蜂蜜夹心面板）之间新的相互连接系统的互连研究和开发。相同的系统可以应用于铝 - 铝蜂窝夹心面板，并在其他APCO Technologies飞行结构项目中固定使用。
DRDO的第67届基金会日
科学家已经使用细菌探索了自我修复混凝土，该混凝土使用芽孢杆菌物种在水中暴露时生产碳酸钙，密封裂纹并增强耐用性。铝氧硝酸盐（Alon）：Alon是一种由铝，氧气和氮制成的透明陶瓷化合物。它非常耐用，并且已经过测试以抵抗装甲的子弹。TIN（SN）：Stanene（Sn）是具有蜂窝结构的单原子锡原子的一层，类似于石墨烯。
石墨烯和其他二维材料的折叠
图2：（a）弯曲角α的石墨烯片。橙色圆圈表示带有弯曲段的区域，如（b）所述。（b）弯曲石墨烯蜂窝结构，显示碳碳键。每个二面角θ（从C-C键的平面扭曲中）由连接原子（红线）的三个键（4个碳原子）定义。二面角确定弯曲。由3个碳原子给出的两个相邻的碳键角用φ和ψ表示，它们定义了每个平面（分别为紫色和绿色）。
雷神无人机竞赛-CDN
准晶体的特征是没有翻译对称性的远程顺序[1]。在数学中，它们对应于无限的非周期性瓷砖。他们可以拥有与翻译的旋转对称性，例如著名的五角形对称性对称性[2]。另一个有趣而重要的情况是十二杆对称性[3-5]，可以从两个蜂窝晶格[6-9]旋转30°的叠加中获得。这种配置尤其及时，因为Moir´e蜂窝晶格的极端流行，例如魔法角扭曲的双层石墨烯[10]，该[10]对于小于30°的旋转角度获得了。moir´e晶格和准晶体具有许多共同的特性，例如在其频谱中存在平坦带[11-13]。在许多领域中研究了十二型准晶体：化学[14 - 17]，材料科学[4,18,19]，电子[8]，拓扑物理学[20-22]和光子学[7,23 - 31]。对于1D准晶体或准静态晶格，使用aubry-and-andR´e模型[32]获得了许多重要的分析结果[32]：而不是考虑一个在个体地点的位置，而没有转化对称性的结构，而是在一个定期的晶状体上以无效的态度固定在一定的位置上，而不是可及时的效率。现在，从理论上建立并在实验上证明了这种1D准晶体的分散包含遵守差距标记定理的无限差距[37-40]。每个频带都是无限窄的（平坦），并且填充
硅纳米片在4H-SIC（0001）底物上略有缺陷的外延石墨烯中插入
图4 A：RT 1 mL Si蒸发后，EpiGr/Bl/4H-SIC（0001）表面的STM（6.5 nm x 6.5 nm）图像。值得注意的是，位于（6x6）bl bump的一个（6x6）BL凸起之一中的Si原子插入引起的额外质量。其表观高度由D中报告的线轮廓（绿线）证明（请参阅红色箭头）。偏置电压0.1 V，反馈电流0.36 Na。图像上显示了比例尺。b：RT 1 ml Si蒸发后的EpiGr/Bl/4H-SIC（0001）表面的STM（12 nm x 12 nm）图像，显示了两个不同尺寸的纳米结构。偏置电压0.17 V，反馈电流0.5 Na。c：在b中成像的区域的2d-fft。虽然微弱，但请注意石墨烯蜂窝晶格的典型六边形模式以及6个斑点的伸长表明存在几个石墨烯晶格参数，这可能是由于Epi-Gr遭受的菌株而导致的菌株。e：较小的纳米结构的变焦在B中的方形白框中，显示了石墨烯网络和红色箭头指示的错位的存在。f。该区域的2d-fft在E中的缩小，显示了石墨烯蜂窝网络典型的六边形模式。在A和B中的STM图像上扫描的所有区域都可以看到石墨烯网络。在SM2C中的线轮廓中报告了该纳米结构的明显高度。
