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智慧世界论坛的女性2024
主题：支持AI和IoT解决方案的弱势群体Huang教授获得了理学学士学位。1982年，来自中国国防大学的电子技术和她的博士学位。 1993年，英国英格兰西部大学的计算机科学和数学博士学位。 她是日本Hosei大学计算机和信息科学学院的完整教授。。 她从2008年到2010年担任计算机科学系主管，目前担任Hosei大学图书馆副主任的职位。1982年，来自中国国防大学的电子技术和她的博士学位。 1993年，英国英格兰西部大学的计算机科学和数学博士学位。她是日本Hosei大学计算机和信息科学学院的完整教授。她从2008年到2010年担任计算机科学系主管，目前担任Hosei大学图书馆副主任的职位。
强化学习和智能决定
北京大学大学（中国）香港理工大学（中国）香港理工大学（中国）西北大学（美国）富丹大学（中国）加州大学加州大学戴维斯分校（美国）和香港大学，香港大学（中国）北京大学（中国）北京大学 of Washington (USA) The University of British Columbia (Canada) University of Science and Technology of China (China) ZTE Corporation (China) Chongqing University (China) ZTE Corporation (China) Beijing Institute of Technology (China) ZTE Corporation (China) Beijing Institute of Technology (China) Hosei University (Japan) Southwest Jiaotong University (China) Shenzhen Institute of Advanced Technology, Chinese Academy of Sciences (China) Beijing University邮政与电信（中国）托库希马大学（日本）智格大学（中国）西迪安大学（中国）西安·贾兴大学（中国）彭昌实验室（中国）萨里郡萨里大学（英国）上海何数邮政与电信（中国）澳门（中国）中兴公司（中国）埃塞克斯大学（英国）新南威尔士大学（澳大利亚）EIT高级研究所（中国）北京实验室（中国）北京邮政与电信大学（中国）中国邮政局（中国）北南科学大学（新加坡）麦卡伊大学（新加坡）
专题：能源消耗挑战与... - 中兴通讯
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未来先进卫星通信系统和...
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全球南方政治经济的卫生筹资和支出格局——历史和现状
a 日本东京法政大学经济学院比较经济研究所；b 塞尔维亚克拉古耶瓦茨大学全球卫生经济与政策系；c 中国科学院地理科学与自然资源研究所（IGSNRR），中国北京；d 智利塔尔卡大学经济与商学院；e 亚美尼亚埃里温州立医科大学药品管理系；f 葡萄牙里斯本新里斯本大学热带卫生与医学研究所全球健康与热带医学；g 美国纽约州特洛伊微生物生物解决方案公司；h 斯里兰卡努格戈达斯里贾亚瓦德纳普拉大学公共管理系；i 塞尔维亚克拉古耶瓦茨临床中心 COVID 医院；j 尼日利亚奥塔科文大学经济政策与发展研究中心（CEPDeR）经济与发展研究系； k 河内医科大学家庭医学系，越南河内；l 印度甘地讷格尔公共卫生研究所 (IIPHG)，印度甘地讷格尔；m 博克拉大学卫生与相关科学学院 (SHAS)，尼泊尔莱克纳特；n 昆士兰大学公共卫生学院，澳大利亚布里斯班；o 多伦多大学医学系，加拿大多伦多；p 贝勒大学罗宾斯健康与人文科学学院公共卫生系，美国德克萨斯州韦科；q 墨尔本大学西部健康神经病学和中风系，澳大利亚圣奥尔本斯；r 菲利克斯·胡富比和博瓦尼大学经济学系，科特迪瓦阿比让；s 巴基斯坦班努科技大学；t 塞尔维亚克拉古耶瓦茨大学妊娠病理学系
通过控制衬底偏离角来改善垂直 GaN-on-GaN 功率开关器件的晶圆级均匀性
2 法政大学 关键词：GaN-on-GaN、肖特基势垒二极管、均匀性、光致发光、功率器件 摘要 为了大规模生产 GaN-on-GaN 垂直功率器件，n 漂移层在 10 15 cm 3 范围内的净施主浓度 ND NA 的晶圆级均匀性是一个重要因素，因为它决定了击穿电压 VB 。在本研究中，我们通过控制 GaN 衬底的偏角展示了 GaN 肖特基势垒二极管晶圆级均匀性的改善。通过 MOVPE 在具有各种偏角和偏差的独立 GaN 衬底上生长外延结构。使用电容电压测量（C V）、光致发光（PL）和二次离子质谱（SIMS）仔细分析了 ND NA 的变化。与碳有关的NA变化导致了NDNA的不均匀性，而这与晶圆的衬底偏角有关。通过最小化偏角的变化可以提高NDNA的均匀性。引言在GaN衬底上制造的垂直结构GaN功率开关器件对于高效功率转换系统很有前景，因为这些器件提供极低的导通电阻（R on）和高击穿电压（VB）[1-3]。减少对器件成品率和可靠性致命的致命缺陷是一个重要问题。GaN-on-GaN二极管初始故障机理已有报道[4]，其中具有外延坑的二极管在非常低的反向电压下表现出严重击穿。此外，最近有报道称表面粗糙度会影响可靠性[5]。在使用金属有机 (MO) 源引入碳 (C) 杂质时，n 漂移层中的净施主浓度必须控制在 10 15 cm3 范围内才能获得高 VB [6]。通过低施主含量，可以在负偏置条件下抑制 pn 或肖特基界面处的峰值电场 [7, 8]。然而，关于垂直 GaN-on-GaN 器件中净施主浓度的晶圆级均匀性的报道很少。
2024世界PM大会
Masaki Azuma , Tokyo Institute of Technology, Japan Chen Biao , Northwestern Polytechnical University, China Zhongchun Chen , Tottori University, Japan Kenji Doi , Osaka Yakin Kogyo Co., Ltd., Japan Ayman Hamada Abdelhady Elsayed , Central Metallurgical Research and Development Institute (CMRDI), Egypt Masayoshi Fuji , Nagoya Institute of Technology, Japan Masashi Fujinaga , JPMA Adviser, Japan Hiroshi Fujiwara , Ritsumeikan University, Japan Hiroki Hara , Tungaloy Corporation, Japan Norimitsu Hirose , Höganäs Japan KK, Japan Kuen-Shyang Hwang , National Taiwan University, Taiwan Kenji Iimura , University of Hyogo, Japan Miki Inada , Kyushu University, Japan Keiichi Ishihara , Kyoto University, Japan Takashi Itoh , Nagoya University, Japan Shota Kariya , Osaka University, Japan Hidemi Kato , Tohoku University, Japan Masaki Kato , Doshisha University, Japan Masaru Kawakami , Fuji Die Co., Ltd. ，日本日本日本Teiichi Kimura的日本Katmi Kikuchi，日本高级陶瓷中心，Akira Kishimoto，日本Yoshitaka kitamoto，东京吉塔克山。 ，日本山高马西岛，霍西大学，日本木叶莫里塔，国家材料科学研究所（NIMS），日本新吉穆尔托，九州大学，日本日本伊萨哈塔塔卡哈塔（AIST），日本 Naoyuki Nomura，日本东北大学 Gaku Obara，日本明治大学 Tomoya Ohno，日本北见工业大学 Chikara Ohtsuki，日本名古屋大学