摘要:我们将在AI硬件加速器的高速内存解决方案上介绍最近的进展。在这里,将类似TPU的数字收缩器阵列结构用于案例研究。重点放在全球缓冲区大容量(数十个MB)的创新上。全局缓冲液持有中间激活数据以及推理/训练期间的重量数据,因此,快速和低功率写入/阅读操作都需要足够的耐力和要求的保留率较小。为了满足此类需求,获得基于细胞的EDRAM,铁电记忆和STT/SOT-MRAM是引人入胜的候选者,并且在领先逻辑之上的单片3D Beol集成提供了许多前景。Bio:Shimeng Yu目前是佐治亚理工学院电气和计算机工程副教授。他获得了学士学位2009年北京大学微电子学位,M.S. 学位和博士学位。斯坦福大学分别于2011年和2013年获得电气工程学位。 从2013年到2018年,他是亚利桑那州立大学的助理教授。 YU教授的研究兴趣是用于节能计算系统的半导体设备和集成电路。 他的研究专业知识是针对深度学习加速器,内存计算,3D集成和硬件安全等应用的新兴的非易失性记忆。 他正在为IEEE电子设备字母(EDL)提供编辑。 他是IEEE的高级成员。2009年北京大学微电子学位,M.S.学位和博士学位。斯坦福大学分别于2011年和2013年获得电气工程学位。从2013年到2018年,他是亚利桑那州立大学的助理教授。YU教授的研究兴趣是用于节能计算系统的半导体设备和集成电路。 他的研究专业知识是针对深度学习加速器,内存计算,3D集成和硬件安全等应用的新兴的非易失性记忆。 他正在为IEEE电子设备字母(EDL)提供编辑。 他是IEEE的高级成员。YU教授的研究兴趣是用于节能计算系统的半导体设备和集成电路。他的研究专业知识是针对深度学习加速器,内存计算,3D集成和硬件安全等应用的新兴的非易失性记忆。他正在为IEEE电子设备字母(EDL)提供编辑。他是IEEE的高级成员。Among Prof. Yu's honors, he was a recipient of NSF Faculty Early CAREER Award in 2016, IEEE Electron Devices Society (EDS) Early Career Award in 2017, ACM Special Interests Group on Design Automation (SIGDA) Outstanding New Faculty Award in 2018, Semiconductor Research Corporation (SRC) Young Faculty Award in 2019, IEEE Circuits and Systems Society (CASS) Distinguished讲师和IEEE电子设备协会(EDS)杰出讲师等。Prof. Yu has served on many premier conferences as technical program committee member, including IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM), IEEE Symposium on VLSI Technology and Circuits, IEEE International Reliability Physics Symposium (IRPS), ACM/IEEE Design Automation Conference (DAC), ACM/IEEE Design, Automation & Test in Europe (DATE), ACM/IEEE International Conference on计算机辅助设计(ICCAD)等。
