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基于源的无异质结纳米线 TFET 在低功耗应用中的设计与仿真”，IEEE 社会创新技术与管理跨学科方法国际会议 (IATMSI)，2024 年 3 月 14 日至 16 日，瓜廖尔，DOI：10.1109/IATMSI60426.2024.10502440 2. Aadil Anam；S. Intekhab Amin；Dinesh Prasad “用于生物传感应用的基于源的无异质结纳米线隧道 FET：设计与分析”，IEEE 社会创新技术与管理跨学科方法国际会议 (IATMSI)，2024 年 3 月 14 日至 16 日，瓜廖尔，DOI：10.1109/IATMSI60426.2024.10502440 2. Aadil Anam；S. Intekhab Amin；Dinesh Prasad “用于生物传感应用的基于 InSb 源的无异质结纳米线隧道 FET：设计与分析”，IEEE 社会创新技术与管理跨学科方法国际会议
杂交量子纳米线中Sn的外延驱动相位选择性
摘要：混合半导体 - 超导体纳米线构成了一个普遍存在的平台，用于研究栅极可调的超导性和拓扑行为的出现。其低维和晶体结构柔韧性有助于独特的异质结构生长和有效的材料优化，这是准确构建复杂的多组分量子材料的关键先决条件。在这里，我们对INSB，INASSB和INAS纳米线上的SN生长进行了广泛的研究，并演示了纳米线的晶体结构如何驱动半金属α -SN或超导β -SN的形成。对于INAS纳米线，我们观察到相纯超导β-SN壳。但是，对于INSB和INASSB纳米线，初始外延α -SN相变成共存α和β相的多晶壳，其中β /α的体积比随SN壳厚度而增加。这些纳米线是否表现出超导性，不批判性地依赖于β -SN含量。因此，这项工作为SN阶段提供了各种半导体的关键见解，这对适合生成拓扑系统的超导杂种产量产生了影响。关键字：纳米线，拓扑材料，半导体 - 螺旋体混合动力，SN，量子计算，界面，外交T
SCD – 半导体器件。 - SIBAT
Blackbird 是一款先进的 MWIR 探测器，是 SCD 高清探测器系列的扩展。它包括一个 3 兆像素 FPA，像素格式为 1920x1536，间距为 10μm。新的 FPA 基于 SCD 成熟的 InSb 技术和采用先进 CMOS 工艺实现的数字读出电路。FPA 的尺寸与 SCD 的 SXGA 格式 Hercules 探测器非常相似，实际上可以封装在同一个杜瓦瓶中。这产生了一个非常大的格式探测器，具有出色的图像质量、高帧速率和相对紧凑的尺寸。
擦除与超导体耦合的半导体量子点中的奇宇称态
量子点在 InSb 纳米线内以栅极定义，靠近 NbTiN 超导触点。随着点和超导体之间的耦合增加，传输中的奇宇称占据区域在诱导超导间隙上方和下方都变得不可辨别（被擦除）。在间隙上方，奇数库仑阻塞谷中的电导率增加，直到谷被抬起。在间隙下方，安德烈夫束缚态经历量子相变，变为奇数占有的 Kondo 屏蔽单重态基态。我们研究了在低偏置和高偏置下奇宇称状态的明显擦除在多大程度上一致。我们用数值重正化群模拟来补充实验。我们从 Kondo 屏蔽和超导之间的竞争的角度来解释结果。在擦除奇宇称机制中，量子点表现出类似于有限尺寸马约拉纳纳米线的传输特征，在偶奇点占据和偶奇一维子带占据之间形成相似性。
从密度泛函理论系统地调整二元 III-V 半导体的应变诱导带隙
III-V 半导体带隙性质和大小的改变对于光电应用具有重要意义。应变可用于系统地在很宽的范围内调整带隙，并引起间接到直接 (IDT)、直接到间接 (DIT) 和其他带隙性质的变化。在这里，我们建立了一种基于密度泛函理论的预测从头算方法来分析单轴、双轴和各向同性应变对带隙的影响。我们表明系统性变化是可能的。对于 GaAs，在 1.52% 各向同性压缩应变和 3.52% 拉伸应变下观察到 DIT，而对于 GaP，在 2.63 各向同性拉伸应变下发现 IDT。我们还提出了一种通过将双轴应变与单轴应变相结合来实现直接-间接转变的策略。确定了应变 GaSb、InP、InAs 和 InSb 的进一步转变点，并与元素半导体硅进行了比较。因此，我们的分析为二元 III-V 半导体中的应变诱导带隙调整提供了一种系统且可预测的方法。
纸编号：材料的电子，磁性和光学特性
半导体这些材料位于良好导体和良好绝缘体的极端之间。它们是纯净的结晶材料，是纯净的，但在添加杂质和/或响应光，热，电压等时会进行。示例：诸如硅（Si），锗（GE），硒（SE）之类的元素；诸如砷耐加仑（GAAS）和抗抗氧化酰胺（INSB）的化合物结构分离的原子中的电子占据了离散的能级。当原子彼此接近时，这些电子可以使用其邻居的能量水平。当原子定期排列在所谓的固体晶格中时，能量水平会在频带中分组在一起。这是允许能量的连续范围，而不是单个级别。在所谓的带隙中也将有一组能量。类似于单个原子的能级，电子将首先填充较低的波段。费米级别对哪些水平电子通常会填充有一个粗略的了解，但是总会有一些具有单个能量的电子。在导体中，最高的占用带（称为传导带）并不完全满。这使电子可以从相邻原子进出，因此很容易进行。
便携式防空导弹：对民航的恐怖威胁？
AA 防空 AD 防空 ALBI 空射弹道拦截 APEC 亚太经济论坛 AQIM 马格里布基地组织 ASEAN 东南亚国家联盟 ATLAS 先进双管防空导弹 BCU 电池冷却装置 BICC 波恩国际转换中心 CCD 电荷耦合器件 CdS 硫化镉 CIS 独立国家联合体 CLOS 视距指挥 CM 对抗措施 CPU 中央处理单元 CREWPADS 机组便携式防空系统 DIRCM 定向红外对抗措施 DMZ 非军事区 FARC 哥伦比亚革命武装力量 (Fuerzas Armadas Revolucionarias de Colombia) FMLN 法拉本多马蒂民族解放阵线 (Frente Farabundo Marti para la Liberación Nacional) FN 飞弩 (Fei Nu) FOV 视场 FSA 叙利亚自由军FYR 前南斯拉夫共和国 GOB 白俄罗斯政府 GUNT 民族团结过渡政府 (过渡政府) HEL 高能激光器 HgCdTe 碲化汞镉 HN 红樱桃 HY 红缨 ICAO 国际民用航空组织 ICU 伊斯兰法院联盟 IFALPA 国际航空公司飞行员协会联合会 IFF 敌我识别 InSb 锑化铟 IR 红外线 IRCM 红外对抗系统 ISAF 国际安全援助部队 LML 轻型多管发射器 LOS 视距 LTTE 泰米尔伊拉姆猛虎解放组织 MANPADS 便携式防空系统 MAWS 导弹应用
通过晶格工程控制SN的结构阶段
拓扑和超导性，两种不同的现象，为量子特性及其在量子技术，旋转型和可持续能源技术中的应用提供了独特的见解。tin（sn）在这里起关键作用作为元素，因为其两个结构相，α -sn表现出拓扑特征，β -sn显示超导性。在这里，我们使用分子束外延和缓冲层的晶格参数的分子束外延对SN薄膜中的这些相进行了精确的控制。SNFMS表现出β -SN或α -Sn相，因为缓冲层的晶格常数与6相差不同。10Å至6。48Å，跨越从燃气（例如INAS）到Insb的范围。α-和β -SNFM的晶体结构以X射线衍射为特征，并由拉曼光谱和扫描透射电子显微镜确认。原子力显微镜验证了光滑，连续的表面形态。电运转运测量进一步验证了阶段：β-SN超导性和Shubnikov -de HAAS振荡接近3.7 K的电阻下降，用于α -SN拓扑特征。密度功能理论表明，在拉伸应变下α -SN在压缩应变下是稳定的，与实验发现很好地对齐。因此，这项研究介绍了一个通过晶格工程控制SN阶段的平台，从而在量子技术及其他方面实现了创新的应用。
辐射棒探针系统的长期操作和高性能混合磁场传感器的路径
摘要该论文报告了对射射HALL探针（RHP）磁性诊断系统的系统评估，该诊断系统基于INSB半导体薄膜，并描述了导致创新磁探针概念的建议的路径。在最近的氘 - 帝国实验运动中，RHP操作的相关说明还提供了，显示了在类似Iter的强烈中子通量下正确的操作。对RHP系统进行系统评估的期间范围从2009年10月到2021年3月，在此期间，该机器产生了超过19,000个脉冲。RHP系统由六个三维大厅探针组成，这些探针具有内置的重新校准能力，这要归功于在量身定制的自动预脉冲预校准序列中产生局部已知场的微糖苷，也可以手动启动。在脉冲过程中，当记录其信号时，微苯酚也可以用作电感传感器。此外，该系统在探针位置提供了温度测量值，这些温度也被连续记录。评估证明了RHP系统的准确长期操作。所有诊断通道可靠地提供脉冲预校准数据和脉冲信号，并且保留了霍尔传感器的原始灵敏度。混合探针有望提供感应和霍尔传感技术的优势，本质上是单个ITER磁性离散探针的相同包装大小。，它将解决积分器漂移的问题，以解决持久的燃烧等离子体排放。集成考虑和数据融合分析导致提出高性能，紧凑，宽带，混合场探针，由电感线圈和HALL传感器组合组成，由为迭代或替代性概念开发的线圈技术制造，并具有改善的辐射热度。通过Luenberger-Kalman观察者处理的线圈和霍尔传感器产生的信号提供了一个磁场测量值，该测量值是不钻孔和低噪声的。由于这些原因，已提出混合探针作为未来燃烧的血浆实验和示范融合发电厂的潜在主要磁性诊断传感器。