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超高光明绿色Ingan在硅上
总部位于中国的研究者报告说，硅（SI）上的高光泽绿色依赖二氮（INGAN）发光二极管（LED）[Haifeng Wu等人，Light：Science＆Applications，V13，V13，P284，2024]。将外延材料以1080x780格式的7.5μm螺距下的正常大小的LED和5µm像素的阵列。30x30阵列在1000a/cm 2电流注入时达到1.2x10 7 cd/m 2（nit）的亮度，声称是此类微型LED的最高报告。来自匈牙利大学的研究团队，Innovision Technology（Suzhou）Co Ltd，Lattice Power（Jiangxi）Corp，中部南大学，北京数字光学设备IC Design Co Ltd和Hunan Normal University，认为Spectrum的绿色部分对于“准确的色彩再现和整体图像质量”特别重要。微主导的显示被视为在虚拟/增强真实环境中具有即时应用的关键下一代视觉接口。研究人员使用金属有机化学蒸气
支持信息Ingan量子点...
图S1呈现0.7×0.7 µm 2原子力显微镜（AFM）的扫描，最高未盖的Ingan量子点（QDS）层。使用以TESPA-V2尖端在敲击模式下操作的Bruker AFM进行测量。让我们提醒我们，在最后一个INGAN QD层沉积后突然停止了生长，并且底物温度迅速降低以保留表面。从图像中，QD密度为5×10 11cm2，QD高度（润湿层以上）为0.9±0.2 nm。通过测量图S1中大约15个识别的QD的峰到峰高谱的测量来提取此值及其误差线，并通过样品另一个区域的第二个图像中的类似分析进行了验证。测量是从高度曲线中手动提取的。
Ingan/ganμled的香料建模，尺寸依赖...
在用于混合和/或虚拟现实的便携式应用中，高亮度微型播放的需求吸引了对基于Ingan/GAN的微型微型发光二极管（µLEDS）的重要研究浪。我们建议使用香料建模技术来描述和模拟µLED的电流行为。整个设备的子电路刻画将用于描述基于ABC模型的设备的电流 - 电压性能和光功率性能。我们建议一种创新的方法，即从模拟电流中立即得出载体浓度，以确定µLED量子效率。在第二步中，还将统计方法添加到香料模型中，以了解实验数据的差异。这种µLED香料建模方法对于允许设计可靠的像素驱动电路非常重要。
使用纳米板INGAN/GAN/GAN
摘要：等离激元纳米剂是一种新型的超小型激光器，由于其光线和快速载体动力学特征的破坏衍射极限，因此获得了广泛的兴趣。通常，对于等离激子纳米剂需要解决的主要问题是光学和欧姆损失引起的高损失，这导致了低质量因子。在这项工作中，设计和制造了具有较大界面区域的Ingan/gan纳米板等离激元纳米剂，其中SPS和激子之间的重叠可以得到构成。激光阈值计算为〜6.36 kW/cm 2，其中最大最大宽度（FWHM）从27 nm下降到4 nm。和502 nm处的快速衰减时间（刺激激光的尖峰）估计为0.42 ns。增强的激光特性主要归因于低折射率材料中电磁波的强限制，这证明了SPS和激子之间的近场耦合。这种等离子激光器应在数据存储应用程序，生物应用，光通信中有用，特别是对于集成到芯片上系统中的光电设备。
comsol模拟了Ingan太阳能电池中的热分布：耦合光电 - 热3-D分析
摘要。尽管对性能有重大影响，但很少研究太阳能电池中的热分布。此外，尽管INGAN太阳能电池的成就仍在实验室研究状态，但提出的工作致力于在细胞中出现的耦合现象的原始结果，这使得有可能强调新的可能的指南，以提高其效率。据我们所知，在文献中发表的INGAN太阳能电池中热耗散的大多数建模结果仅基于1-D模型，而不是3-D模型。因此，当前贡献中提出的结果是通过与Ingan太阳能电池中的热分布相关的Comsol多物理学3-D分析获得的。为此，我们与“半导体模块”，“固体的传热模块”和“ Wave Optics模块”耦合，使我们能够计算震荡 - 读取 - 读取孔加热，总热量，焦耳的速度，焦耳加热载体的浓度，电场的浓度，电场和Ingan Solar Solar Cylar Cyner in Ingan Solar Cellture in Ingan solar Cellture in Ingan Solar结构。这种方法可以通过确定导致性能下降的加热来源来优化设备稳定性。最后，这些模拟的原始结果表明，基于Ingan的太阳能电池在散发温度的潜力方面提供了很大的可能性，更一般而言，其应用兴趣与其良好的热力学行为相关。
屏障厚度对INGAN/GAN非对称多量子孔结构的光电特性的影响
gan/gainn非对称多量子发光二极管具有不同潜在的屏障厚度（5和15 nm），通过使用金属有机化学蒸气沉积来生长。狭窄的屏障结构改善了设备的性能，包括电致发光积分强度的超线性增加，高电流密度下效率下降的降低，波长漂移的降低，向前电压的降低以及壁插头效率的提高。这是由于量子屏障的厚度变窄，这会导致量子井之间的电场较小，量子限制性鲜明效应的弱化，跨设备活动区域的载体分布更均匀，以及电子泄漏的抑制。
紫外线LED 101 UV LED技术的基础
高带gap（较短的波长）材料由III-V半导体组合形成，允许在紫外线范围内进行辐射排放。通过改变铝，粘液和凝胶的比率，可以获得特定的发射波长。UV LED进一步分类为UVA，UVB和UVC LED。在UV和UVA LED附近使用Ingan在活动区域中使用Ingan，并且主要在蓝宝石底物上生长。氮化铝含量是低于365 nm的波长的首选材料。对于发射较短的紫外线波长的设备，需要具有更大铝含量的组合物。蓝宝石底物含有氮化铝或氮化铝铝铝层，也用于提高较短波长的LED质量[4]。
基于gan的高周期性多量子井太阳能电池_光学和电应力下的降解
寻找化石燃料的绿色替代品可刺激光伏场中的搜索。硅是建造太阳能电池的最常用材料，这主要是因为其成本效果，但吸收光谱有限（尤其是在蓝色和紫外线区域），这是相对较低的冲击式标题极限（30％）。此外，硅太阳能电池的温度系数相当高，这意味着它们的效率随温度升高显示可测量的下降。多函数太阳能电池达到高达47％[1]的效率，但是很难构建，并且非常昂贵。氮化盐是一种有前途的材料，用于吸收多结太阳能电池中的高能光子或Si-GAN串联细胞中的高能光子[2]，具有多个量子井（MQW）结构，显示出最佳性能[3]。MQW细胞在简单的P-N或P-I-N结构结构上显示出各种优势，这主要是由于可以在不存在的位错和相位分离问题的情况下生长较薄的Ingan层，这是GAN上生长的厚Ingan层的典型情况[4]。Ingan-GAN MQW结构已被证明在恶劣的环境中，在高激发密度和高温下[5，6]中也是可靠的[5，6]，从而可以在无线电源传输系统和空间应用中使用[7]。这项工作的目的是了解在高温下将基于MQW INGAN的太阳能电池提交给高功率光和电应力时如何降解。
引文：Peng RS、Xu SR、Fan XM、Tao HC、Su HK、Gao Y、Zhang JC 和 Hao Y，自组装 Ni 制备纳米图案化 InGaN 的应用
自 1993 年 Shuji Nakamura 制成第一只 GaN 基蓝光发光二极管 (LED) 以来 [1]，基于 III 族氮化物材料的 LED 发展迅速并得到了广泛的应用。然而，导致绿光 LED 效率低下的“绿光隙”一直未能得到解决，而蓝光和红光 LED 却实现了较高的发光效率 [2,3]。造成上述问题的原因之一是 InxGa1-xN/GaN 多量子阱 (MQW) 中铟组分的增加，而这是为了使 InGaN 基 LED 能够发出更长的波长的光。由于 InGaN 与 GaN 之间的晶格常数和热膨胀系数不匹配 [4,5]，以及 InN 在 GaN 中的低混溶性 [6]，高铟组分 InGaN QW 的绿光 LED 会遭受晶体质量劣化。同时，还会产生大量的位错，它们充当非辐射复合中心[7]，对发光是不利的。另一方面，有源区产生的光很难从高折射率半导体（n GaN = 2.5）逸出到空气中（n air = 1）。内部光的临界角（θ c ）或逸出锥仅为~23.6°[θ c = sin −1（n air /n GaN ）]，超过此角度发射的光子会发生全内反射，因此只有一小部分光可以逸出到周围的空气中[8]。绿光是三原色之一，提高绿光LED的发光效率是实现高效率、高亮度RGB（红、绿、蓝）LED的关键。